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161.
随着CMOS工艺的日益成熟和SiGe外延技术水平的不断提高, SiGe BiCMOS低噪声放大器(LNA)广泛应用于空间射频收发系统的第一级模块. SiGe HBT作为SiGe BiCMOS LNA的核心器件,天然具有优异的低温特性、抗总剂量效应和抗位移损伤效应的能力,然而,其瞬态电荷收集引起的空间单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题.本文基于SiGe BiCMOS工艺低噪声放大器开展了单粒子效应激光微束实验,并定位了激光单粒子效应敏感区域.实验结果表明, SiGe HBT瞬态电荷收集是引起SiGe BiCMOS LNA单粒子效应的主要原因. TCAD模拟表明,离子在CMOS区域入射时,电离径迹会越过深沟槽隔离结构,进入SiGe HBT区域产生电子空穴对并引起瞬态电荷收集. ADS电路模拟分析表明,单粒子脉冲瞬态电压在越过第1级与第2级之间的电容时,瞬态电压峰值骤降,这表明电容在传递单粒子效应产生的瞬态脉冲过程中起着重要作用.本文实验和模拟工作为SiGe BiCMOS LNA单粒子效应抗辐射设计加固提供了技术支持. 相似文献
162.
A new velocity map imaging spectrometer is constructed for molecular reaction dynamics studies using time-resolved photoelectron/ion spectroscopy method.By combining a kHz pulsed valve and an ICCD camera,this velocity map imaging spectrometer can be run at a repetition rate of 1 kHz,totally compatible with the fs Ti:Sapphire laser system,facilitating time-resolved studies in gas phase which are usually time-consuming.Time-resolved velocity map imaging study of NH3 photodissociation at 200 nm was performed and the time-resolved total kinetic energy release spectrum of H+NH2 products provides rich information about the dissociation dynamics of NH3.These results show that this new apparatus is a powerful tool for investigating the molecular reaction dynamics using time-resolved methods. 相似文献
163.
采用第一性原理密度泛函计算方法和周期性平板模型系统研究了放射性碘分子在Cu2O三个低指数表面的吸附行为。通过计算若干平衡吸附构型的结构参数和吸附能评估了不同特征吸附位的作用。构型优化计算表明所选晶面存在适度的结构弛豫。计算结果表明,与Cu2O(110)表面相比,Cu2O(100)和(111)晶面表现出更高的碘分子吸附反应活性。其中,表面氧原子位(OS)和配位未饱和铜原子位(CuCUS)分别为Cu2O(100)和(111)晶面的能量最优吸附位点。此外,针对几种典型吸附结构计算分析了其电子结构信息,以进一步阐明吸附体系之间的相互作用机理。 相似文献
164.
超临界二氧化碳(CO2)射流破岩既能降低岩石门限压力又能有效保护储层,直旋混合射流兼具直射流和旋转射流特点可提高破岩效率,基于此提出了超临界CO2直旋混合射流的破岩方法。为了揭示超临界CO2直旋混合射流破岩特性,设计加工出叶轮式直旋混合射流喷嘴,通过岩石定点冲击破碎实验对比了该射流与常规水射流的破岩效果,并研究了叶轮长度、叶轮中心孔直径、混合腔长度、喷射距离、射流压力等重要参数对超临界CO2直旋混合射流破岩效果的影响。结果表明:相同实验条件下,该射流方法的平均破岩能力比常规水射流提高了42.9%;超临界CO2直旋混合射流破岩易出现较大体积岩屑崩落现象;随着叶轮长度、混合腔长度、喷射距离的增大破岩效果均先增强后减弱,实验条件下上述参数存在最优范围值;叶轮中心孔直径的增大会导致岩石破碎孔深度增加、直径减小;随着射流压力的升高,超临界CO2直旋混合射流破岩效果有着较为明显的提升。研究结果可为超临界CO2直旋混合射流破岩方法的进一步研究提供实验依据。 相似文献
165.
设计一种粗-细二级调节相结合的装置来动态地测量压力机的下死点, 可以方便准确地测量不同工作冲程时的下死点位置. 针对所测数据, 结合模糊判断法和层次分析法构造压力机下死点精度的综合评价指标, 来对压力机下死点定位精度进行分析与评价. 评价步骤通过选择评价因素和构建评价集, 确定比较矩阵并计算各影响因素权重, 以确立模糊评价矩阵, 并通过综合评价模型判断下死点精度等级. 结果表明, 该评价方法可有效地评价压力机的定位精度. 相似文献
166.
文章结合WCDMA商用网络干扰定位的经验,对上行干扰的种类、定位流程进行了阐述,分析了室分系统、室分有源设备和系统外部的相同频段或者相近频段的电磁干扰引起的干扰案例。 相似文献
167.
未来移动通信的发展或演进应该是多种无线接入技术的共存,相互补充、相互融合,协同服务。文章主要介绍了GSM/WCDMA/WLAN三网的现状、覆盖方法、发展策略及业务融合等问题。 相似文献
168.
浅谈智能变电站设计与建设 总被引:1,自引:0,他引:1
随着经济社会的高速发展,社会生产以及人们生活对电力需求日益增长,国家电网公司提出了建设坚强智能电网,其承载着降低能耗、科学发展和有效利用能源、推动新兴产业技术进步的使命。智能变电站是统一坚强智能电网的重要组成部分,文章以某智能变电站建设为例,探讨智能化变电站与常规变电站的区别,具体分析智能变电站智能一次设备、自动化系统及智能化状态监测功能的设计与实现方式,提出该站投运后出现的问题并介绍其解决办法,为后续智能变电站建设提供成功范例。 相似文献
169.
We investigate the nonlinear modes in a rotating double well potential with 79T symmetry. Focus on the existence and stability of the nonlinear PT modes in this system, we found that five types of PT modes can stably exist by given certain parameter settings. The multistable area between these modes are studied numerically and the bistable and tristable areas are delimited. With different input trial wavefunctions, five types of solitary wave modes are identified. We found that the rotating of the potential can significantly affect the power flow of the fundamental harmonic mode, whose effect is absent for the other modes. 相似文献
170.
单晶硅阶梯光栅闪耀面表面粗糙度会引起入射光的散射形成杂散光,为获得低杂散光的阶梯光栅槽形,减小单晶硅阶梯光栅闪耀面表面粗糙度显得尤为重要。在单晶硅湿法刻蚀工艺中,阶梯光栅闪耀面表面粗糙度较大的原因是反应生成的氢气易在硅片表面停留,形成虚掩模,阻碍反应的进一步进行。基于超声波空化作用及异丙醇(IPA)增加单晶硅表面润湿性的原理,在单晶硅湿法刻蚀制作阶梯光栅工艺过程中分别利用超声波震荡法及润湿性增强法对所制阶梯光栅闪耀面表面粗糙度进行改善。利用超声波震荡法所制阶梯光栅闪耀面表面粗糙度小于15nm,利用润湿性增强法所制阶梯光栅闪耀面表面粗糙度小于7nm。同时施以超声波震荡法和润湿性增强法,在异丙醇质量分数范围为5%~20%,超声波频率为100kHz,功率范围为30~50 W时,所制阶梯光栅闪耀面表面粗糙度小于2nm,而且当异丙醇质量分数为20%、超声波频率为100kHz以及超声波功率为50W时,所制中阶梯光栅闪耀面表面粗糙度达到1nm。实验结果表明,同时施以超声波震荡法及润湿性增强法,并优化实验参数可以制备更低粗糙度的阶梯光栅。 相似文献