pMOSFET中栅控产生电流的衬底偏压影响研究

研究了pMOSFET中栅控产生电流(GD)的衬底偏压特性。衬底施加负偏压后,GD电流峰值变小;衬底加正向偏压后,GD电流峰值增大。这归因于衬底偏压VB调制了MOSFET的栅控产生电流中最大产生率,并求出了衬底偏压作用系数为0.3。考虑VB对漏PN结的作用,建立了包含衬底偏压的产生电流模型。基于该模型的深入分析,很好地解释了衬底负偏压比衬底正偏压对产生电流的影响大的实验结果。     

IBIS建模和PCB信号完整性分析

随着数字系统中时钟频率的提高,PCB上的信号完整性也日益成为设计过程中不可忽略的问题.文中通过阐述IBIS模型的建立和PCB板上信号完整性的分析,介绍了一种必要的基于IBIS模型建立的信号完整性仿真及分析方法,例举了时钟网络设计的反射仿真结果对比.     

基于纯有机电致发光器件实现红外至可见光信号上转化

在有机红外光敏剂掺杂的有机电致发光器件(OLED)中实现近红外光信号到可见光的上转化,为大面积柔性有机红外上转化器件提供一种原型设计.     

免疫型光纤倏逝波生物传感器的研究与发展

介绍了基于倏逝波激发的荧光免疫型光纤生物传感器的基本原理,针对其中应用的各种方法进行了分析。基于倏逝波激发的荧光免疫型光纤生物传感器的免疫检测方法、探头发展和系统结构发展．对国内外的最新产品和技术及其应用情况进行了介绍和概述,并结合新技术的出现和系统整体结构的演变趋势对免疫型倏逝波光纤生物传感器的发展进行了展望。     

基于LMS自适应滤波器的设计

针对在惯组时间序列的插值和预测分析中,不可避免地会引入一些误差,致使预报结果不能反映惯组实际状况的缺点,基于自适应滤波能够提供卓越的滤波性能和自动地调节现时刻滤波器参数的特点,设计了一种基于LMS自适应滤波器,以适应信号和噪声未知的或随时间变化的统计特性,从而实现最优滤波。仿真结果表明该方法是有效的。     

基于粗糙特征量的短期电力负荷预测

针对负荷特征一直是实际电力负荷预测中的重大问题。提出了基于粗糙特征量的约简算法。通过对天气及负荷历史数据进行挖掘,找到负荷的关键特征,并与径向基网络结合建立了负荷预测模型。算例结果表明,与按经验选取输入的传统网络相比,预测准确度有了明显的提高,更适用于电力负荷预测。     

CMOS 5 Gb/s串行接收器

设计了一个使用0.13μm CMOS工艺制造的低电压低功耗串行接收器。它的核心电路工作电压为1V,工作频率范围从2.5 GHz到5 GHz。接收器包括两个1:20的解串器、一个输入信号预放大器以及时钟恢复电路。在输入信号预放大器中设计了一个简单新颖的电路,利用前馈均衡来进一步消除信号的码间串扰,提高接收器的灵敏度。测试表明,接收器功耗45 mW。接收器输入信号眼图闭合0.5UI,信号差分峰-峰值150 mV条件下误码率小于10~(-12)。接收器还包含了时钟数据恢复电路,其中的相位插值器通过改进编码方式,使得输出信号的幅度能够保持恒定,并且相位具有良好的线性度。     

电子束辐照烟气脱硫脱氮反应器中的剂量分布的模拟计算

采用Monte-Carlo程序EGSnrcMP对能量为0.8MeV的电子束辐照烟气脱硫脱硝反应器中的剂量分布进行了模拟计算,将计算的结果运用MATLAB数学分析软件进行了数据处理,对能量为0.5MeV的电子束辐照烟气脱硫脱硝反应器中的剂量分布进行了模拟计算,并与文献中实验测量值进行了比较。结果表明:采用EGSnrcMP程序计算所得到的剂量与实验结果吻合。     

紫外－可见光谱法研究含Schiff碱基双分子膜的构象

测定了不同浓度、不同温度条件下含Ｓｃｈｉｆｆ碱基的单链两亲性化合物在Ｃ１６ＳＢＣ６Ｎ＋ＯＨ水溶液的电子吸收光谱。结果表明，两亲性分子在高温低浓度水溶液中处于较为分散状态，而在低温高浓度水溶液中呈聚集状态（双分子膜）。同时，通过量化计算比较，得出了不同聚集态时Ｓｃｈｉｆｆ碱基的构象（即Ｎ－苯环与Ｃ－苯环的扭转二面角）。     

Luminescence of a GaN grain with a nonpolar and semipolar plane in relation to microstructural characterization

We report on the growth of the high-quality GaN grain on a r-plane sapphire substrate by using a self-organized SiN interlayer as a selective growth mask.Transmission electron microscopy,scanning electron microscopy,and Raman spectroscopy are used to reveal the effect of SiN on the overgrown a-plane GaN growth.The SiN layer effectively terminates the propagation of the threading dislocation and basal plane stacking faults during a-plane GaN regrowth through the interlayer,resulting in the window region shrinking from a rectangle to a "black hole".Furthermore,strong yellow luminescence(YL) in the nonpolar plane and very weak YL in the semipolar plane on the GaN grain is revealed by cathodoluminescence,suggesting that C-involved defects are responsible for the YL.