首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   435篇
  免费   102篇
  国内免费   83篇
化学   152篇
晶体学   7篇
力学   13篇
综合类   8篇
数学   58篇
物理学   118篇
无线电   264篇
  2024年   9篇
  2023年   17篇
  2022年   36篇
  2021年   22篇
  2020年   14篇
  2019年   17篇
  2018年   19篇
  2017年   19篇
  2016年   22篇
  2015年   23篇
  2014年   42篇
  2013年   21篇
  2012年   31篇
  2011年   22篇
  2010年   16篇
  2009年   21篇
  2008年   28篇
  2007年   27篇
  2006年   19篇
  2005年   26篇
  2004年   17篇
  2003年   16篇
  2002年   13篇
  2001年   8篇
  2000年   9篇
  1999年   12篇
  1998年   3篇
  1997年   6篇
  1996年   6篇
  1995年   5篇
  1994年   9篇
  1993年   7篇
  1992年   6篇
  1991年   8篇
  1990年   10篇
  1989年   15篇
  1988年   2篇
  1987年   4篇
  1986年   1篇
  1985年   2篇
  1984年   2篇
  1982年   2篇
  1981年   2篇
  1978年   1篇
  1975年   1篇
  1974年   1篇
  1965年   1篇
排序方式: 共有620条查询结果,搜索用时 15 毫秒
111.
The quantum noise of squeezed probe light passing through an atomic system with different electromagnetically induced transparency and Autler-Townes splitting effects is investigated theoretically.It is found that the optimal squeezing preservation of the outgoing probe beam occurs in the strong-coupling-field regime rather than in the weakcoupling-field regime.In the weak-coupling-field regime,which was recently recognized as the electromagnetically induced transparency regime(Abi-Salloum T Y 2010 Phys.Rev.A 81 053836),the output amplitude noise is affected mainly by the atomic noise originating from the random decay process of atoms.While in the strong-coupling-field regime,defined as the Autler-Townes splitting regime,the output amplitude noise is affected mainly by the phase-toamplitude conversion noise.This is useful in improving the quality of the experiment for efficient quantum memory,and hence has an application in quantum information processing.  相似文献   
112.
GdCOB晶体的坩埚下降法生长   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
本文报道了非线性光学晶体Ca4GdO(BO3)3(GdCOB)的垂直Bridgman法生长.已获得直径25mm的高质量单晶.生长界面处的纵向温度梯度维持在30~40℃/cm,生长速度0.2~0.8mm/h.GdCOB晶体为二维成核的层状生长机制,易出现(111)及(20)解理面.讨论了影响生长的因素.保证原料配比准确和混料充分,减小温度波动和测温误差等是成功生长GdCOB晶体的重要因素.  相似文献   
113.
Baeyer-Villiger反应是有机化学基本反应之一,但是催化不对称Baeyer-Villiger反应的研究尚处于起步阶段。本文按手性配体的不同,评述了手性金属络合物催化不对称Baeyer-Villiger反应的研究,特别是由外消旋或前手性酮制备光学活性内酯的研究进展。  相似文献   
114.
声表面波用压电晶体的新进展   总被引:1,自引:1,他引:0  
报道了我们在Li2B4O7、Sr3Ga2Ge4O14、LiNbO3、LiTaO3等声表面波用压电晶体材料方面的最新研究进展.采用改进型坩埚下降法成功生长了直径3~4英寸的Li2B4O7晶体,并实现了批量生产.作为硅酸镓镧系列新型压电晶体之一,Sr3Ga2Ge4O14晶体具有最大的压电系数.报道了直径2英寸Sr3Ga2Ge4O14晶体的生长结果,测试了该晶体的压电性能.在CO2(90;)、H2(10;)混合气氛中,分别在700℃和450℃下对LN和LT晶片进行化学还原处理,成功制备了3英寸LN和LT低静电黑片,不仅减少了器件制作工序,而且使成品率提高了5~8百分点.此外,在密封坩埚中生长了低静电LiNbO3晶体,观察到一些新的现象.  相似文献   
115.
利用0.35μm工艺条件实现了性能优良的小尺寸全耗尽的器件硅绝缘体技术(SOI)互补金属氧化物半导体(FD SOI CMOS)器件,器件制作采用双多晶硅栅工艺、低掺杂浓度源/漏(LDD)结构以及突起的源漏区。这种结构的器件防止漏的击穿,减小短沟道效应(SCE)和漏感应势垒降低效应(DIBL);突起的源漏区增加了源漏区的厚度并减小源漏区的串联电阻,增强了器件的电流驱动能力。设计了101级环形振荡器电路,并对该电路进行测试与分析。根据在3V工作电压下环形振荡器电路的振荡波形图,计算出其单级门延迟时间为45ps,远小于体硅CMOS的单级门延迟时间。  相似文献   
116.
本文针对膝关节骨性关节炎对中医推拿及保健康复设备的临床需求,设计了一种基于中医推拿手法(坐位调膝法)的推拿机器人,并对推拿机器人进行了仿真实验验证.仿真实验结果显示机械臂上下活动范围为0~20 mm,机械臂上下旋转活动范围为0~19°,机械手膝宽调节范围为0~20 mm,水平运动的范围为0~140 mm,均符合预期设计...  相似文献   
117.
随着电信业的竞争日益激烈和信息技术对各行业的影响日益深刻,向客户提供ICT服务是当前各行业间实现融合的需求,也是电信业寻求转型的必然趋势。但是,由于ICT服务在我国尚处起步阶段,其管理理论与方法都不够完善,是制约ICT服务发展的重要因素。文章针对电信业ICT项目管理模式展开了探讨。  相似文献   
118.
阐述了毫米波系统级封装(SOP)架构中基板功能化的概念、作用及实现方法。提出了利用低温共烧陶瓷(LTCC)技术,在SOP多层陶瓷基板中一体化集成多种无源电路单元,使封装基板在作为表面贴装有源芯片载体的同时,自身具备相应的无源射频功能。最终通过设计实例的仿真、加工及测试对比,验证了在SOP架构下实现封装基板功能化的可行性,及其所具有的良好的射频滤波、层间信号互联、射频接口过渡等电气性能。  相似文献   
119.
ICP-AES法测定猫爪草中常量及微量元素   总被引:12,自引:3,他引:12  
运用ICP—AES法对河南、新疆产猫爪草中常量及微量元素进行了测定。结果表明猫爪草含K,Fe,Ca,Cr,Mg,Mn,Zn,Co,Cu,Ni,Se,Sr等多种常量及微量元素,微量元素Pb,Cd,As等的含量甚微;研究发现猫爪草块根中Zn/Cu值为3左右,与抗癌中药中微量元素的含量有Zn高Cu低的现象一致。  相似文献   
120.
构建了嗜热栖热菌木糖异构酶与底物木糖的复合物模型,并运用NAMD2.5软件对其在300 和360 K下进行了10 ns的分子动力学模拟. 对该酶的回旋半径、亚基间相互作用及残基柔性进行了计算与统计分析,确定了该酶在360 K时柔性残基及区域. 研究发现与300 K相比,360 K时木糖异构酶中B-因子增幅较大的残基主要可分为两组:一组位于催化结构域,是由残基55~80组成的helex-loop-helix区域,另一组位于其亚基界面上. 研究表明高温下该酶催化结构域回旋半径增加,可能加速了活性中心的运动从而有利于D-木糖的异构化反应.在360 K时亚基界面上减少了8个氢键和5个离子对,这可能也是高温下其整体结构刚性下降并且活性升高的主要原因,该结果也对文献报道的该酶E372G突变体冷适应的实验现象进行了解释. 研究结果揭示了嗜热栖热菌木糖异构酶温度和结构柔性之间的关系.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号