SOI CMOS器件研究

利用0.35μm工艺条件实现了性能优良的小尺寸全耗尽的器件硅绝缘体技术(SOI)互补金属氧化物半导体(FD SOI CMOS)器件,器件制作采用双多晶硅栅工艺、低掺杂浓度源/漏(LDD)结构以及突起的源漏区。这种结构的器件防止漏的击穿,减小短沟道效应(SCE)和漏感应势垒降低效应(DIBL);突起的源漏区增加了源漏区的厚度并减小源漏区的串联电阻,增强了器件的电流驱动能力。设计了101级环形振荡器电路,并对该电路进行测试与分析。根据在3V工作电压下环形振荡器电路的振荡波形图,计算出其单级门延迟时间为45ps,远小于体硅CMOS的单级门延迟时间。     

InGaAs-GaAs脊波导DBR激光器双模运行特性研究

对一种新型InGaAs-GaAs脊波导分布式Bragg反射(DBR)半导体激光器双模运行特性进行了研究.该激光器由1个普通增益区和2个DBR区组成,两DBR区采用均匀蚀刻的Bragg光栅,中间加入50～100 μm的分隔区,以减小两DBR区间的热作用影响.实验发现,在增益区偏置电流强度满足双模(双波长)运行条件的情况下,在分隔区施加一电流Ispace,会对双模调谐特性产生非常大的影响.结果表明:施加适当的Ispace可使双波长的可调谐间隔显著增加,并同时提高2个激射模的边模抑制比;在一定的范围内,较大的Ispace对应较好的双模运行参数.测量了3种几何尺寸样品在多种偏置电流下的双模运行特性,对分隔区长度、Ispace以及两者组合对双模调谐特性的影响作了深入研究.研究结果对改善双波长DBR半导体激光器双模运行特性给出了有用的信息.     

带有多层介质衬底FSS的损耗和带宽特性分析

本文简要介绍应用模匹配方法分析带有多层介质衬底的FSS频率响应技术,在此基础上研究带有多层介质衬底的平面Y形缝隙周期阵列对平面波的频率传输特性。重点讨论介质层厚度变化对FSS传输损耗及带宽的影响。     

大功率半导体激光器的腔面钝化

大功率半导体激光器的腔面退化是影响其寿命和可靠性的重要因素,长期以来一直是人们关注和研究的重点。本文利用离子铣结合腔面钝化还原层的方法对大功率半导体激光器的腔面进行处理。结果显示,离子铣腔面钝化能够在一定程度上减少半导体激光器的功率退化,168h加速老化后退化幅度降低4.5%;同时该技术对老化过程中COD阈值降低有明显的抑制作用,可有效减少使用中的突然失效。结果表明,该技术能够改善半导体激光器的腔面特性,器件的可靠性和使用寿命可望得到提高。     

浅析我国通信工程发展现状

随着新时代信息科技的飞速发展，无线网络通信早已成为人类日常生活中必不可少的构成元素之一。无线通信网络自身也向新的发展方向开拓进取，注重多元化通信方式的融合，其中LTE无线通信网络的萌芽带来了重大的通信网络改革。随着人民日益增长的物质文化需要增加，LTE无线通信网络也必须加强自身发展战略的调整，以满足现代或生活水平中人们更高的需求。     

挖掘课本习题的智力因素,发展学生探索能力

课本习题在帮助学生理解基础知识、掌握解题技能技巧,以及灵活运用知识解决各种具体问题等方面都有着十分重要的意义。因此重视课本习题,钻研课本习题,挖掘它们的智力因素,充分发挥课本习题的作用是非常必要的。本文举出一例,作为对这个问题的初步探。     

对中等生若干思维特征的个案研究及教学对策

对中等生若干思维特征的个案研究及教学对策山东省济宁教育学院哈家定我们常把学生分为优等生、中等生和差生，其中，中等生是大多数．研究中等生的思维特征，相应做出教学对策的探讨，是有现实意义的；抓好中等生的教学可以兼顾两头，有利于实现面向全体的教学、提高整体...     

电站空冷系统方案设计研究

蒸汽循环发电系统的主要特征是不断排放大量低品位热能。缺水矿口电力生产的限制性条件是电站冷却大量用水。直接空冷系统(GEA系统)不适应机组向大容量的发展,水循环间接空冷系统(Heller系统)其热效率较低。本文以1000MW电站为参考,研究间接空冷系统,旨在寻求一种节能省水、经济效益显著的电站空冷系统方案设计。