单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用

对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火,采用Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律.利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨.实验证实NTD氢区熔单晶硅在150～650℃范围内等时退火具有显著特点:在500℃下退火,出现电阻率极小值,即出现浓度很高的过量浅施主;P型向N型转变温度为400℃,迁移率恢复温度为500℃,载流子恢复温度为600℃,均明显低于NTD氩区熔单晶硅转型温度及迁移率和载流子恢复温度,这与氢积极参与辐照缺陷相互作用直接相关.     

不同Ⅴ/Ⅲ族元素比对m面GaN薄膜性能的影响?

采用分子束外延( MBE)方法在蓝宝石衬底上外延生长m面GaN薄膜。利用原子力显微镜( AFM)、扫描电子显微镜( SEM)分析薄膜表面形貌,发现Ⅴ/Ⅲ族元素比从1∶80降低到1∶90时,外延膜表面均方根粗糙度从13.08 nm降低到9.07 nm。利用光谱型椭偏仪研究m面GaN薄膜,得到了m面GaN薄膜的厚度、折射率和消光系数。拟合结果显示,GaN样品厚度和理论值一致,且Ⅴ/Ⅲ族元素比为1∶90时,所得外延膜折射率较低,透射率大。两种测试方法表明,Ⅴ/Ⅲ族元素比较小的样品晶体质量高。     

Fuzzy半群中的Fuzzy理想

本文先引入Ｆｕｚｚｙ半群中Ｆｕｚｚｙ理想的概念，进而讨论它们的一些代数性质，推广了前人的一些结果。     

电解沉积的分形维数与ZnSO_4溶液浓度的关系

用电沉积方法得到了不同浓度硫酸锌电解液的分形凝聚图像;进行图像处理,得到了其分形维数与浓度的关系曲线;用粒子扩散限制凝聚模型解释了此关系     

混合价簇合物[Et_4N]_2[{(CO)_4M}_xM′S_4][x=1,2;M=Mo(0)或W(0);M′=Mo(Ⅵ)或W(Ⅵ)]的共振Raman光谱及IR光谱研究

研究了[{(CO)4_M}_xM′S_4]~(2-)[X=1,2;M=Mo(O),W(O);M′=Mo(Ⅵ),W(Ⅵ)]系列簇合物的共振Raman(RR)光谱及红外(IR)光谱.除了对:v_(c—o),v_(M(Ⅵ)—S(b))[S(b):桥基S],v_(M(Ⅵ)—S(t))[S(t):端基S],v_(M(o)—c),δ_(M(O)—C—O)进行归属外,着重讨论v_(M(O)—S(b)),v_(M(O)-M(Ⅵ))的归属.研究了IR谱中Δv[v_(M(Ⅵ)—S(b))(—v)_(M(O)—S(b))]与M(0)→M(Ⅵ)电荷迁移的关系.RR谱研究结果表明,在[(CO)_(4-)MS_2MoS_2]~(2-),[(CO)_4MoS_2MoS_2Mo(CO)_4]~(2-)中S(b)一M(0)电荷迁移与M(0)-MO(Ⅵ)电荷迁移之间有较明显的相互偶合;在[(CO)_4MS_2WS_2]~(2-)中S(b)→W(Ⅵ)与M(O)→W(Ⅵ)电荷迁移、S(t)→W(Ⅵ)与M(0)→W(Ⅵ)电荷迁移之间也分别存在明显的相互偶合,说明了它们存在强的电子离域.本系列簇合物中二核簇的电子离域程度比三核簇强.     

相移测量技术中相移器研究

本文介绍一种用于相移测量技术的相移器。该相移器由计算机通过Ｄ／Ａ接口板自动控制输出电压幅度，其电路采用闭环控制，位移由压电晶体产生，具有很高的电压稳定度（０１％）和较小的相移误差（小于３°）。描述相移器的结构、驱动源工作原理及相移器标定方法     

频移阴影莫尔法

提出了一种新的莫尔条纹解调技术即频移法，它改变了莫尔条纹分布的频率，而相移莫尔法只是改变了莫尔条纹的相位。从阴影莫尔图分布的基本公式出发，借助于相移阴影莫尔法的思想推导并得出了频移阴影莫尔法的公式，在此基础上给出了特定条件下的产和公式。     

三网融合狂欢节——总有一种不变令万变归宗

狂欢节 日常业务环境比较沉闷的我们，近年来一再被卷入喜庆喧哗之中。我指的是高潮迭起的各种技术与业务新气象。     

过渡金属超薄膜的光学性质及其应用

讨论了单层过渡金属超薄膜以及它与介质膜组成的多层膜的光学特性，对它们进行了定量的分析，并以实例说明了过渡金属超薄膜在中性分光镜、窄带高反滤光片等方面的应用