排序方式: 共有77条查询结果,搜索用时 296 毫秒
31.
本文提出了一种降低VDMOS导通电阻的新结构,从理论上分析了该结构在保证VDMOS器件击穿电压保持不变的前提下,可以降低VDMOS的比导通电阻约22%,同时该新结构仅需要在原VDMOS器件版图的基础上增加一个埋层,工艺可加工性较强。把该结构用于一款200V耐压的N沟道VDMOS器件的仿真分析,器件元胞的比导通电阻降低了23%,采用三次外延四次埋层的制作方式,器件的比导通电阻可以降低33%,该新结构在条栅VDMOS研制方面具有广阔的应用前景。 相似文献
32.
33.
在利用分子束外延方法制备Si Ge p MOSFET中引入了低温Si技术.通过在Si缓冲层和Si Ge层之间加入低温Si层,提高了Si Ge层的弛豫度.当Ge主分为2 0 %时,利用低温Si技术生长的弛豫Si1 - x Gex 层的厚度由UHVCVD制备所需的数微米降至4 0 0 nm以内,AFM测试表明其表面均方粗糙度(RMS)小于1.0 2 nm.器件测试表明,与相同制备过程的体硅p MOSFET相比,空穴迁移率最大提高了2 5 % . 相似文献
34.
35.
36.
利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验,采用电流-电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS样品存在自退火效应时,新增界面陷阱特性与通常的理论不能够很好地一致.根据所测数据,明确提出了有自退火效应样品的新增界面陷阱除了电荷效应外还具有传导电流能力的观点,初步认为该电流是表面费米能级和陷阱能级相互作用导致的产生复合电流,该电流不能简单地从I-V曲线上定量分
关键词:
界面陷阱
亚阈值电流
X射线辐射
VDMOS 相似文献
37.
部分埋氧结构VDMOS器件的二维势模型 总被引:1,自引:0,他引:1
提出具有部分埋氧结构的功率VDMOS器件的二维势模型。借助场解析方法,首先划分该结构器件的工作区域,由边界连续条件,求解各区的泊松方程,建立部分埋氧结构VDMOS器件二维势分布的解析模型。分析结果表明,在漏端电压分别为100V和200V下,电势解析解与数值解误差分别小于3%和4.7%。VDMOS器件引入埋氧层能显著提高耐压,且部分埋氧层的长度对VDMOS器件的耐压影响大于埋氧层的宽度对耐压影响。 相似文献
38.
39.
40.