应变硅pMOS反型层中空穴迁移率k·p及蒙特卡罗模拟研究

对应变硅pMOS反型层中的空穴迁移率进行了理论研究.使用应力相关的6能带k·p模型,自洽地求解垂直于沟道方向的一维薛定谔方程与泊松方程,获得反型层中二维空穴气的能带结构.采用蒙特卡罗方法对单轴压应力和双轴张应力情况下的空穴迁移率进行了模拟研究,得出了沟道迁移率随垂直于沟道电场变化的曲线,并与常规的非应变硅pMOS迁移率进行了比较.模拟结果显示:无论是单轴压应力还是双轴张应力,都使得空穴迁移率增大.当单轴压应力沿着[110]沟道时,迁移率增大的幅度最大,平均增幅可达到170%左右.     

基于Hermite插值多项式的可验证多秘密共享方案

本文研究了信息安全和密码学中的秘密共享问题.利用离散对数计算的困难性、双变量单向函数的隐蔽性以及Hermite插值多项式,获得了一个门限可验证多秘密分享方案,具有子秘密可重复使用、子秘密可离线验证、多个主秘密可以同时被重构等特点.     

大功率670nm半导体激光器的研制

采用低压金属有机化学气相沉积生长了670nm激光器外延片,有源区采用单量子阱结构,阱区、垒区分别为InGaAsP和AlGaInP.利用该外延片制作了带无电流注入区的氧化物条形激光器.激光器腔长为900μm,电流注入区条宽为100μm,两端的无注入区宽度均为25μm.镀膜后器件的阈值电流为0.4A,输出波长670士2nm,最大输出功率为1100mW,水平、垂直发散角分别为8°,40°.表明该种结构可以提高器件的腔面光灾变功率.     

一种新型高压直流电源

介绍一种采用PWM控制芯片和多线圈一次升压脉冲变压器技术研制的新型DC-DC转换升压可调直流高压电源。直流高压的输入电压为15V，输出电压可从800V～25kV连续调整，最大工作电流为1mA。具有体积小、绝缘性好、性能稳定、操作简单等优点。     

论p-Bergman,α-Bloch,小α-Bloch空间与Cesro平均

对于ｐ，α∈（０，∞）设Ａｐ，Ｂα和Ｂ０α分别是开单位圆盘上的ｐ－Ｂｅｒｇｍａｎ，α－Ｂｌｏｃｈ和小α－Ｂｌｏｃｈ空间本文首先给出Ａｐ，Ｂα和Ｂα０之间的进一步关系；其次，研究Ａｐ，Ｂα和Ｂα０中的Ｔａｙｌｏｒ级数之部分和的Ｃｅｓｒｏ平均；最后，讨论Ａｐ，Ｂα和Ｂα０中Ｔａｙｌｏｒ级数之系数的Ｃｅｓｒｏ平均     

撞击--敲开神秘宇宙之门

1飞船撞月球，欲揭月球迷 为了揭开月球上有冰无冰这个谜团，科学家们想了许多办法．1999年8月1日，已出色完成任务的“月球勘探者号”，燃料即将消耗殆尽，就要坠落在月球的某个角落．科学家们认为，与其如此，还不如让它发挥最后的价值．7月31日凌晨5时52分，这个重约161千克的家伙，以6000千米／小时的速度舍身撞向月球，完成人类最后赋予它的两项使命．     

Authorware学习开发三部曲

随着软件业的高速发展,“无需编程”类的工具软件逐渐深入人心,被越来越多的用户所接受,品种各异的工具软件以“无需编程”为重要特色之一推向市场。然而,对于“无需编程”即可开发应用软件的确切含义的理解,却大都认为这一类工具软件专用性强,灵活程度不够,不能进行深层次的应用开发,只适用于非计算机专业人员使用,不能很好体现专业程序员的编程水平等。而实际情形又是怎样呢?下面以著名的Authorware3.0为例,结合我们的体会,分三部分谈谈在使用无需编程类工具软件从事应用开发时应当了解的设计思路。     

大功率670nm半导体激光器的研制

采用低压金属有机化学气相沉积生长了670nm激光器外延片，有源区采用单量子阱结构，阱区、垒区分别为InGaAsP和AlGaInP. 利用该外延片制作了带无电流注入区的氧化物条形激光器. 激光器腔长为900μm，电流注入区条宽为100μm，两端的无注入区宽度均为25μm. 镀膜后器件的阈值电流为0.4A，输出波长670±2nm，最大输出功率为1100mW, 水平、垂直发散角分别为8°, 40°. 表明该种结构可以提高器件的腔面光灾变功率.     

用超薄金属膜和不对称法布里—珀罗干涉滤光片设计窄带高反膜

提出利用ｎ≈ｋ的金属膜层材料设计窄带反膜的一种新方法－用超薄金属膜与不对称法布里－珀罗干涉滤光组合设计法，给出了可光光区窄带高反膜的膜系结构，定量地分析了膜系的反射率，反射峰值，反射半波带宽光谱反射特性，实验证实了理论设计和分析，同时，也提供了设计非可见光波段的窄带高反滤光片的方法。