BaO—TiO2—Sm2O3系陶瓷结构与介电性能研究

研究了BaO-TiO2-Sm2O3(BTS）系材料的结构和介电性能。实验结果证明：在富TiO2区的BTS系中,随着BaO/Sm2O摩尔比的增加,材料的介电常数ε和介电常数的温度系数αε发生变化,XRD分析证明这是因为材料的主晶相发生变化所致。当BaO/Sm2O3＝1．33时,可获得具有超低损耗的热稳定微波陶瓷材料,其主晶相为BaSm2Ti4O12。     

中温热补偿MLC陶瓷

本文研究了ＢａＯ－ＴｉＯ２－Ｎｄ２Ｏ３（ＢＴＮ）系陶瓷的结构和介电性质。在该系统中加入适量的玻璃和添加剂，获得了一系列中温热补偿独石电容器（ＭＬＣ）陶瓷，实验结果证实：当Ｔｉ／Ｂａ＝１．００３时，ＢＴＮ系陶瓷的居里温度（Ｔｃ）随Ｎｄ２Ｏ３含量的增大而产生逐步漂移。用ＸＲＤ确定了陶瓷的主晶相，ＳＥＭ照片显示出晶粒尺寸对Ｎｄ＾３＋含量的依赖关系，分析了Ｔｉ／Ｂａ比对陶瓷介电系数温度系数（ａｅ）的影响。     

BTNT系陶瓷的微波特性研究

研究了BaO-TiO2-Nd2O3-Ta2O5(BTNT)系陶瓷材料的结构和微波特性，实验结果证明：五种组分的BTNT系材料具有钨青铜结构，用此类材料研制的微波单片陶瓷电容器（SLC）具有良好的高频和微波特性。     

片式多层元件新技术概论

根据多层瓷介电容器的结构特征,全面概括了“独石”结构广泛应用于片式元件设计与制造的新趋势,重点论述了多层压敏电阻器,多层热敏电阻器,多层电感元件,多层复合元件等片式无源元件,引入独石结构较传统结构在性能上的显著改进和技术上的重大突破,总结了片式多层元件技术与应用的新进展。     

片式多层元件新技术概念

根据多层瓷介电容器的结构特征,全面概括了“独石”结构广泛应用于片式元件设计与制造的新趋势,重点了多层压敏电阻器,多层电感元件,多层复合元件等片式无源元件,引入独交传统结构在性能上的显著改进和技术上的重大突破,总结了片式多层元件技术与应用的新进展。     

NBT基无铅压电陶瓷滤波器

主要研究了用改性的(NaBi)0.5TiO3(NBT)基无铅压电材料制作的压电陶瓷滤波器。在研究过程中出现很多不同于以往的情况，这些一方面是由于NBT基材料与传统PZT基材料的介电性能有较大差异造成的，另一方面说明NBT基材料的压电性能较PZT基材料还有进一步提高的必要。     

A位非等配比对(NaBi)0.5(1-x)BaxTiO3性能的影响

研究了A位非等配比--过量Bi3+(Bi3+Na1+＞11)对(NaBi)0.5(1-x)(Ba)xTiO3材料的介电、压电性能的影响.随着引入的过量Bi3+的增加,材料的介电常数和损耗均呈先下降后增大的现象.当Bi3+∶Na+＝52∶48时,(NaBi)0.5(1-x)(Ba)xTiO3复合材料的d33、kt值都达到最大值.     

移动通信滤波器技术新进展

本文从现代移动通信技术和材料科学工程相互促进发展的角度，综述了固态化无源滤波器件的产生和发展进程，重点讨论了移动通信信用中、高频及微波器的主要类型、性能特点、以及设计制造与应用概况。     

新型片式元器件在移动通信领域的应用

本文从现代移动通信技术的市场需求和电子器件更新换代两方面，概括了新型片式元器件的发展动态，重点讨论移动通信用片式元器件小型化、高频化和精密调技术，以及微波介质天线等功能器件在蜂窝电话、GPS、W－LAN、蓝牙等移动通信系统的应用进展。     

中温BaO-TiO_2-Nd_2O_3-PbO系陶瓷的结构和介电性能

研究了中温烧结的BaO-TiO_2-Nd_2O_3-PbO系陶瓷的结构和介电性能,在BaO-TiO_2-Nd_2O_3系中加入适量的PbO可获得ε_r=75,a_ε=(0±10)×10~(-6)/℃,tgδ=3×10~(14),ρ≥10~(14)Ω·cm的中温热稳定MLC瓷料。通过样品的SEM、EDAX和XRD分析证明此种类型陶瓷的主晶相是三元化合物BaNd_2Ti_5O_(14),同时也观察到Nd_2Ti_2O_7和PbTiO_3等附加相的存在。