限流沿对撞壁射流近壁区混合过程影响的实验研究(二)

1前言本文的第一部分分析了射流气体撞击限流沿后的发展过程以及射流入射角、限流沿高度等对二次射流气体发展情况的影响。本文将详细分析射流气体撞击限流沿后所形成的二次射流的速度和浓度的分布规律,并利用标量耗散率描述了射流气体的混合情况。众所周知,混合是扩散火焰燃烧速度的控制因素。通常扩散燃烧区内的温度足以使燃烧化学反应瞬间完成,因此燃烧时间完全取决于混合时间,即燃烧反应的速率由混合速率来控制。RW．Bilger等[1]认为扩散燃烧反应只有当完全达到分子级混合时才发生,他们在研究中利用标量耗散率概念来描述分子级混…     

晶硅太阳电池黑斑分析

p型单晶硅太阳电池在EL检测过程中,部分电池片出现黑斑现象.结合X射线能谱分析(EDS),对黑斑片与正常片进行对比分析,发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同,排除了镀膜及丝网印刷过程中产生黑斑的可能.利用X射线荧光光谱分析(XRF)测试了同一电池片的黑斑区域与正常区域,发现黑斑处Ca含量较大,并出现Sr、Ge和S等杂质元素.将6个档位的电池片制备成2 cm×2 cm的电池样片,利用光生诱导电流测量了每个电池的外量子效率(EQE).在460～1 000 nm波长范围内,同一电池片黑斑处与正常处的EQE相差较大,说明黑斑的出现与原生硅片缺陷无关,应归结于电池片生产过程中引入的杂质缺陷.给出了杂质引入的原因以及解决途径,从而显著减小了黑斑片产生的几率.     

STUDY OF HALOGEN DOPING IN POLYCRYSTALLINE YBa2Cu3O7-δ

This paper presents systematically the doping effects of halogens in YBa₂Cu₃O_7-δ polycrystalline samples, with a series of concentrations of fluorine, chlorine, bromine or iodine. All samples were prepared by chemical method of citrate pyrolysis, which makes the halogen concentration in the samples more uniform. Samples doped with F have T_c as high as 94.5K, Cl, Br and I dopings also raise T_c to a certain extent. In addition, the influence of halogen doping on critical current density, morphology, constitution and so forth is discussed.     

胶体碳球制备新型Sn/Se共掺杂TiO2及其光催化性能

TiO₂的光催化性能改性是水污染治理和光催化领域研究的重点方向。为了增强TiO₂的光催化性能,以胶体碳球为模板,采用水热-煅烧法首次制备了TiO₂空心球、硒掺杂二氧化钛(Se-TiO₂)空心球和锡/硒共掺杂二氧化钛(Sn/Se-TiO₂)空心球。同时,对Sn/Se-TiO₂空心球的形貌、结构以及元素组成进行了表征,并以罗丹明B为模拟污染物,评价了样品的光催化性能。结果表明：TiO₂为单一的锐钛矿相,Sn和Se成功地掺杂进入了TiO₂晶格中;Sn/Se共掺杂形成了缺陷能级,降低了禁带宽度和电子-空穴对的复合几率,提高了可见光的响应范围。当Se掺杂2.0%(物质的量分数,下同),Sn掺杂0.5%时,样品光催化性能最好,去除率为76.92%。同等条件下空心球的光催化去除率：TiO₂22,说明Sn/Se共掺杂T...     

碲铋渣中铋的测定

讨论了在pH=9.4～10.0的氨性溶液中,利用Fe3+与Te4+、Bi3+生成三元共沉淀物,分离其它杂质,然后用KOH溶解Te,从而达到Te,Bi分离的目的。在pH=1.5～1.7的溶液中,利用抗坏血酸掩蔽铁,以硫脲-PAR作为指示剂,用EDTA标准溶液滴定Bi。当n=6时,相对标准偏差为0.4%,回收率为98.53%～102.2%,方法准确、可靠。     

基于相似测度算法的激光诱导薄膜损伤表面特征研究

鉴于薄膜激光损伤性能评价是增强抗激光红外观察窗口性能的重要保证,给出薄膜在脉冲激光诱导作用下的损伤表面特性及其机理。实验采用YAG脉冲激光器对TiO2薄膜样片进行1-on-1方式的激光诱导。通过CCD采集TiO2薄膜激光辐照前后2幅图像,将这2幅图像进行匹配,建立差异图像测度算法;实验得出TiO2薄膜样片的差异能量测度可判别出损伤情况,即测度值M＜0.1为未发生损伤,0.1＜M＜0.2为轻度损伤,0.2＜M＜0.5为中度损伤,M＞0.5为严重损伤。薄膜样片经过能量密度为0.5 J/cm2的激光辐照后粗糙度明显增大。研究结果表明,采用激光辐照前后图像匹配的测试方法可实现薄膜激光损伤与否的判别。     

4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究

采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)InP单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm-2.对4 inch InP晶片上进行多点X-射线双晶衍射测试, 其(004)X-射线双晶衍射峰的半峰宽约为30弧秒且分布均匀.与液封直拉法(LEC)相比, VGF-InP单晶生长过程的温度梯度很低,导致其孪晶出现的几率显著增加.然而大量晶体生长结果表明VGF-InP晶锭上出现孪晶后,通常晶体的生长方向仍为(100)方向,这确保从生长的4 inchVGF-InP(100)晶锭上仍能获得相当数量的2~4 inch(100)晶片.由于铁在InP中的分凝系数很小,掺Fe-InP单晶VGF生长过程中容易出现组份过冷,导致多晶生长.通过控制生长温度梯度及掺铁量,可获得较高的掺铁InP单晶成晶率.对VGF-InP单晶的电学性质、位错密度及位错的分布特点、晶体完整性等进行了研究.     

大功率太赫兹电真空器件的研究现状与应用

太赫兹科学技术是当前迅速发展的新兴领域,由于其具有许多独特的特性,在军事上具有重要应用前景.但目前仅有真空电子学的方法可以产生满足军事应用需求的高功率太赫兹辐射,因此大功率太赫兹电真空器件是研究热点之一.综述了大功率太赫兹电真空器件的研究现状,涉及太赫兹行波管、返波管、绕射辐射器件、扩展互作用器件、回旋管等,并分析了其应用情况及前景.     

Evaluation of four inch diameter VGF-Ge substrates used for manufacturing multi-junction solar cell

Low dislocation density Ge wafers grown by a vertical gradient freeze (VGF) method used for the fabrication of multi-junction photovoltaic cells (MJC) have been studied by a whole wafer scale measurement of the lattice parameter, X-ray rocking curves, etch pit density (EPD), impurities concentration, minority carrier lifetime and residual stress. Impurity content in the VGF-Ge wafers, including that of B, is quite low although B₂O₃ encapsulation is used in the growth process. An obvious difference exists across the whole wafer regarding the distribution of etch pit density, lattice parameter, full width at half maximum (FWHM) of the X-ray rocking curve and residual stress measured by Raman spectra. These are in contrast to a reference Ge substrate wafer grown by the Cz method. The influence of the VGF-Ge substrate on the performance of the MJC is analyzed and evaluated by a comparison of the statistical results of cell parameters.     

一种求解三维热辐射输运方程的整体预处理迭代方法及并行计算

为三维灰体热辐射输运方程的隐式离散纵标方法发展一个整体预处理迭代方法并研制并行程序.该方法采用组装线性代数方程组策略,同时求出所有离散方向上的辐射强度.借助预处理的Krylov子空间迭代法,避免复杂网格上扫描算法可能遇到的死锁问题,能够提高健壮性和计算效率.空间离散上采用一阶迎风有限体积格式.数值实验测试变形六面体网格...