热泳和Brown运动对太阳能辐射下热分层纳米流体边界层流动的影响

在太阳辐射下的纳米流体中,数值地研究竖向延伸壁面具有可变流条件时的层流运动.使用的纳米流体模型为,在热分层中综合考虑了Brown运动和热泳的影响.应用一个特殊形式的Lie群变换,即缩放群变换,得到相应边值问题的对称群.对平移对称群得到一个精确解,对缩放对称群得到数值解.数值解依赖于Lewis数、Brown运动参数、热分层参数和热泳参数.得到结论:上述参数明显地影响着流场、温度和纳米粒子体积率的分布.显示出纳米流体提高了基流体热传导率和对流的热交换性能,基流体中的纳米粒子还具有改善液体辐射性能的作用,直接提高了太阳能集热器的吸热效率.     

具有时滞的Lienard类型方程的非线性振动

本文获得了具有时滞的Lienard类型方程所有解振动的充分必要条件,推广或扩展了文[4－7]的一些结果。     

吡啶基桥连双卟啉的合成及其与有机小分子的相互作用

通过将2，6-吡啶二羟酸或2，6-二溴甲基吡啶分别与5-（4-羟基苯基）-10，15，20-三苯基卟啉（1）和5-（4-氨基苯基）-10，15，20-三苯基卟啉（2）反应，合成了3种新型的双卟啉化合物3～5．用紫外-可见光谱（UV-Vis）、红外光谱（IR）、质子核磁共振光谱（1^HNMR）、质谱（MS）对中间体和目标化合物的结构进行了表征；用紫外-可见光谱考察了双卟啉化合物4与2-羟基-苯乙酸（苦杏仁酸）的相互作用。结果表明，双卟啉与苦杏仁酸之间形成1：2的络合物，其结合位点在卟啉环内。     

壳聚糖抗庭院植物病原真菌的活性

分别用过氧化氢和溶菌酶降解壳聚糖,制备得到了系列分子量(3.8×105,7.8×104,4.8×104,1.7×104,2.3×103)的壳聚糖样品.采用平板法研究了壳聚糖系列样品对大叶黄杨炭疽病、沿阶草炭疽病、广玉兰炭疽病和对节白蜡腐烂病等庭院植物病原真菌的体外抗菌性能.结果表明:水不溶性壳聚糖酸溶液均表现出抑菌活性,且随着浓度的增大而抑菌活性增强;中等分子量(7.8×104)壳聚糖比大分子量(3.8×105)壳聚糖和低分子量(1.7×104,2.3×103)壳聚糖抗菌作用强.     

Logistic和Lotka-Volterra模型参数的灰色估计方法研究

根据灰色系统建模原理,对Logistic模型中的参数进行了估计,将此方法应用于Gause(1934)草履虫实验数据的拟合,并与已有拟合结果对比,说明此方法是有效的.然后将其推广至两种群的Lotka—Volterra模型参数的确定,来研究山西省人口—经济系统的发展演化状况,得出了满意的结果.     

线性代数与空间解析几何新形态教材建设的实践与思考

从线性代数与空间解析几何课程发展历史引入,对比分析传统教材内容与体系的差异,在此基础上探讨信息技术与教育教学深度融合背景下新形态教材出版的必要性,进而阐述线性代数与空间解析几何新形态教材出版创新的探索与实践,最后浅谈新形态教材建设的几点思考.     

基于EMD和PCA的暂态电能质量消噪

针对电能质量扰动的消噪问题,提出一种基于经验模态分解(EMD)和主成分分析(PCA)的消噪方法.方法先用EMD将信号分解为一组内蕴模态函数(IMF),对第一层IMF进行细节信息提取,然后对第二层及其后面的IMF进行PCA变换,根据噪声能量选择合适的主成分分量重构,去除各层IMF中的噪声.分别用电压聚降、电压中断、暂态脉冲、谐波及其组合进行数字仿真,和SureShrink小波阈值法、BayesShrink小波阈值法去噪结果比较,所用的方法去噪效果优于SureShrink小波阈值法、BayesShrink小波阈值法去噪结果,尤其对于电压暂降、电压中断、电压聚升这几个最重要的暂态电能质量问题消噪效果更为明显,结果证实了其有效性.     

线性不确定系统的鲁棒D型迭代学习控制

研究一类线性不确定系统的鲁棒D型迭代学习控制问题.首先针对一类线性标称控制对象,建立其迭代学习控制的二维模型;然后基于获得的二维模型,利用二维系统稳定性理论,获得系统在迭代初态与期望初态一致和不一致两种情形下的D型迭代学习控制律的存在条件和设计方法;进一步,将所得结果推广至控制对象包含不确定性的情形.所得结果以线性矩阵不等式(LMI)的形式给出,可以方便地利用Matlab中的LMI工具箱求解.最后,数值仿真实例验证了本文所提方法的有效性.     

SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性

采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SrTiO3（STO）薄膜.研究了STO薄膜金属 绝缘体 半导体(MIS)结构的介电和界面特性.结果表明，STO薄膜显示出优异的介电性能，在10kHz处的介电常数约为105，损耗低于001，这来源于多晶结构和良好的结晶性；MIS结构中的固定电荷密度Nf和界面态密度Dit分别约为15×1012cm-2和(14—35)×1012cm-2eV-1，这主要与Si/STO界面处形成的低介电常数界面层有关. 关键词： SrTiO3薄膜 MIS结构 介电性能 Si/STO界面