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目前看来,193nm与x射线光刻技术都很希望应用到0.13μm 0.13μm以下的集成电路工业中去,而掩膜笃这两种光刻技术而言是非常重要的.本文对193nm光学掩模与x射线掩模制造技术进行了对比分析。 相似文献
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采用电子束光刻、X射线光刻和微电镀技术,成功制作了面积为10mm×0.5 mm,周期为500nm,占空比为1∶1,金吸收体厚度为430nm的可用于X射线衍射的大面积透射光栅.首先利用电子束光刻和微电镀技术制备基于镂空薄膜结构的X射线光刻掩模,然后利用X射线光刻经济、高效地复制X射线透射光栅.整个工艺流程分别利用了电子束光刻分辨率高和X射线光刻效率高的优点,并且可以得到剖面陡直的纳米级光栅线条.最后,测量了制作出的X射线透射光栅对波长为11nm同步辐射光的衍射峰,实验结果表明该光栅具有良好的衍射特性. 相似文献
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硅栅干法刻蚀工艺中腔室表面附着物研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用Cl2,HBr,O2和CF4为反应气体,对多晶硅栅进行了刻蚀试验,并借助X射线能谱仪器En-ergy Dispersive X-ray Spectrometry(EDS)进行试验样品的化学成分测定和数据分析。结果表明,淀积附着物主要是以硅元素为主体,溴、氯和氧次之的聚合物,在淀积的动态过程中,HBr起到了主要的作用,Cl2和O2在一定程度上也促进了淀积过程的进行,在工艺过程中氟元素起到了清除淀积物的作用。最后通过试验得到了反应腔室表面附着物淀积的机理性结论。 相似文献
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下一代光学掩模制造技术 总被引:3,自引:0,他引:3
尽管其它光刻技术在不断快速发展,然而在0.13μm及0.13μm以下集成电路制造水平上,光学光刻仍然具有强大的生命力。随着光学光刻极限分辨率的不断提高,当代光学掩模制造技术面临着越来越严重的挑战。本文对下一代光学掩模工艺技术的技术指标和面临的技术困难进行了论述,并对其中一些关键的技术解决方案进行了简要分析。 相似文献
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作为微细加工技术之一的高分辨率光刻技术--同步辐射X射线光刻(XRL)可应用于100nm及100nm节点以下分辨率光刻,高精度对准技术对XRL至关重要,直接影响到后续器件的生产质量。目前国内的XRL对准系统主要采用CCD相机和显微物镜采集图像,经过计算机图像处理程序进行自动对准;图像边缘分辨是图像处理部分的关键,直接决定了对准精度。针对3种不同的图像边缘增强方法进行了掩模和硅片识别精度以及对准精度的研究,并且初步设计了几种对准标记。 相似文献
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目前看来, X 射线光刻技术能否真正应用到 013μm 及 013μm 以下的集成电路工业中去是光刻技术工作者很关心的一个问题。分别从光源、曝光系统、掩模、光刻胶、光刻机、光刻工艺、成本等七个方面对 X 射线光刻技术的现状进行了介绍,并对它的应用前景进行了简要分析。 相似文献