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72.
Pb(Ⅱ)离子印迹吸附剂的制备及固相萃取性能研究 总被引:1,自引:2,他引:1
采用表面印迹技术,结合溶胶凝胶过程,合成了巯基功能化的Pb(Ⅱ)离子印迹吸附剂,利用傅立叶变换红外光谱和N2吸附-脱附对其进行了表征,并用平衡吸附实验研究了其固相萃取性能.结果表明,该印迹吸附剂对Pb(Ⅱ)的结合能力和选择性明显高于非印迹吸附剂,并且具有较快的吸附速率,20 min即达到吸附平衡,最大的平衡吸附量达221 mg/g,在Cd(Ⅱ)存在下,相对选择性系数达到121.该法的检出限为0.23 μg/L,相对标准偏差为3.7%.将该印迹吸附剂用于实际水样的分离富集和测定,结果令人满意. 相似文献
73.
Sputtering pressure influence on growth morphology,surface roughness,and electrical resistivity for strong anisotropy beryllium film 下载免费PDF全文
The strong anisotropy beryllium (Be) films are fabricated at different sputtering pressures by direct current magnetron sputtering. With the increase of pressure, the deposition rate of Be film first increases, and when the pressure exceeds 0.8 Pa, it gradually descends. The X-ray diffraction analysis indicates that Be film is of α-Be phase, its surface always reveals the (101) crystal plane possessing the low surface energy. As for the growth morphology of Be film, the surface is mainly characterized by the fibrous grains, while the cross section shows a transition from a columnar grain to a mixed grain consisting of a cone-shaped grain and a columnar grain as the sputtering pressure increases. The large grain fraction decays exponentially from 75.0% to 59.3% with the increase of sputtering pressure p, which can improve the grain size uniformity. The surface roughness increases due to the insufficient atom diffusion, which is comparable to its decrease due to the etching effect at p 〈 0.8 Pa, while it increases drastically at p 〉 0.8 Pa, and this increase is dominated by the atom diffusion. The electrical resistivity values of Be films range from 1.7 μΩ m to 2.7 μΩ m in the range 0.4 Pa-1.2 Pa, which is 50 times larger than the bulk resistivity. 相似文献
74.
荧光衍生化试剂2-(4-羧基苯基)-4,5-萘并咪唑的合成及在HPLC测定醇类中的应用 总被引:1,自引:1,他引:1
合成了一种用于醇类分析的高灵敏度的荧光衍生化试 剂2-(4-羧基苯基)-4,5-萘并咪唑(CNI),将其在二氯甲烷中于80 ℃条件下与醇缩合成酯 ,并采用RP-HPLC法进行分离检测,色谱柱为Zorbax Bp C8柱(250 mm×4.6 mm i.d.) ,流动 相为V(乙腈)∶V(甲醇)=90∶10的溶液,荧光检测波长λex 345 nm, λem 485 nm。同时,测定了人血清中的胆固醇,其最低检出质量浓度为1.0 μg /L。 相似文献
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近来,有关 C60的研究主要集中在有关晶格动力学 [1]、电子结构 [2~ 4]和 MxC60( M代表碱金属或碱土金属)的超导电性研究 [5].但由于 MxC60在大气中不能稳定存在,制约了 MxC60的深入研究和实际应用 .最近, Masterov等人报导了他们对 Cu/C60的超导特性研究 [6~ 7],认为其转变温度 Tc在 80~ 120 K之间,这个转变温度比现有的 MxC60的转变温度( Tc~ 40 K)要高得多 .但有关更进一步的研究未见报导 .因此,我们拟对 CuxC60体系作较为详尽的研究,这对于进一步研究其超导机理是有必要的 .本工作是在成功地制备了 CuxC60薄膜的… 相似文献
76.
提出一种单光子探测器量子效率的绝对自身标定方案,利用光参量下转换过程中产生的光子对在时间上的相关性,先将参量光束分为两路,然后引入相对延时,使同时产生的孪生光子先后进入单光子探测器,然后将探测器之后的电路分为三路,其中一路直接进入计数器得到探测器所探测到的光子的总计数率,另两路用电路方法引入和光路相当的相对延时,经符合电路后进入计数器,得到前后到达探测器的光子对之间的符合计数率.这样,从符合计数率与总光子计数率之比即可在不需要任何其他探测器或者参照标准的情况下获得探测器的量子效率.文中给出两种方案,分别适 相似文献
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封装并测量了瓦级大功率InGaN蓝色发光二极管(LED)在不同正向电流IF驱动下的光通量、电功率、发光效率、发射光谱和色品坐标等参数的变化。研究表明, 光通量与电功率随IF的增大呈亚线性增加,而发光效率η则下降。当IF从50 mA一直增大到450 mA左右时,发射光谱的峰值波长λp随IF的增加发生蓝移,蓝移现象可能与InGaN蓝光LED芯片在较大电流时能带被拉平以及In成分的作用有关。当IF大于500 mA或800 mA后,λp又发生红移,红移现象可能与大电流注入下InGaN蓝光LED芯片产生的热效应以及电子-空穴对辐射复合有关。此外,光谱的半峰全宽(FWHM)产生宽化现象,色坐标x和y值也发生变化。 相似文献
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用光致荧光谱、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和扫描电子显微镜(SEM)对用阳极氧化法制成的多孔硅层在1%NH3/H2O2溶液中的腐蚀现象进行了研究。红外分析表明,Si-O键和H-O键的强度随NH3/H2O2溶液的腐蚀时间的增加而增加,Si-H键强主匠随腐蚀时间增加而减少。光致荧光谱的峰值在腐蚀开始时先下降后上升,半高宽变窄,谱峰的以边明显蓝移。分析研究表明,1%NH3/H2O2溶液对多孔硅层有腐蚀 相似文献