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11.
回顾了SiC单晶的发展历史,总结了目前的发展状况,同时介绍了SiC单晶生长所需要的温场和生长工艺,最后介绍了SiC单晶的加工技术. 通过模拟计算与具体实验相结合的方法,调整坩埚在系统中的位置及优化坩埚设计可以得到理想温场. 近平微凸的温场有利于晶体小面的扩展,进而有利于减少缺陷提高晶体的质量. 由于SiC硬度非常高,对单晶后续的加工造成很多困难,包括切割和磨抛. 研究发现利用金刚石线锯切割大尺寸SiC晶体,可以得到低翘曲度、低表面粗糙度的晶片;采用化学机械抛光法,可以有效地去除SiC表面的划痕和研磨引入的加工变质层,加工后的SiC晶片粗糙度可小于1nm. 相似文献
12.
采用激光诱导自蔓延反应合成制备了Ti-Fe-Ni三元合金。实验结果表明,当第三组元Ni含量介于12 at.%之内时,合成产物仍保持Ti70.5Fe29.5共晶合金的相组成,即是由β-Ti固溶体、TiFe和Ti2Fe金属间化合物所组成。但随着Ni含量的增加,合成产物中β-Ti固溶体的数量逐渐减少,而TiFe和Ti2Fe金属间化合物的数量逐渐增加。同时组织形态也由共晶组织逐渐转变为过共晶组织。随着Ni含量的增加,合成样品的致密度逐渐降低;由于受合成样品微观组织和致密性这两种因素的综合作用,致使Ni含量为9 at.%的合成样品具有高的硬度、强度及良好的塑性。 相似文献
13.
14.
15.
SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对… 相似文献
16.
6H-SiC衬底片的表面处理 总被引:1,自引:0,他引:1
相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面.结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量.经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm.在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜. 相似文献
17.
本智能车系统以树莓派为控制核心,采用惯性运动单元(IMU)传感器实现车位置、姿态判断,通过激光雷达对周围环境的实时扫描数据结合IMU数据,经树莓派处理后建立二维栅格地图。在该地图的基础上,通过机器人操作系统(ROS)中Move_base功能包和AMCL功能包为系统提供路径规划和小车定位,结合激光雷达对前进过程中的新增障碍物进行躲避,最终实现自动导航功能。该系统是集环境感知、规划决策、自动行驶等功能于一体的新技术综合体。 相似文献
18.
镁合金表面宽带激光熔覆Cu-Zr-Al合金涂层 总被引:7,自引:0,他引:7
采用宽带激光熔覆技术在镁合金表面制备了Cu-Zr-Al合金涂层。研究结果表明,Cu-Zr-Al合金涂层是由ZrCu、Cu8Zr3、Cu1 0Zr7和Cu5 1Zr1 4金属间化合物和α-Mg所构成,其中ZrCu相呈连续网状分布于由Cu8Zr3、Cu1 0Zr7、Cu5 1Zr1 4相所构成的灰色区周围。熔覆区和热影响区之间呈现出犬牙交错型界面结合特征。受熔覆材料元素扩散迁移的影响,热影响区具有典型的共晶组织形态。由于合金涂层中多种金属间化合物的增强作用,使合金涂层具有高的硬度、弹性模量、耐磨性和耐蚀性。 相似文献
19.
为了促进新加坡VOIP业务的发展,新加坡电信管制机构IDA于2005年6月中旬宣布,IDA将引入新的IP电话管制框架,为那些有兴趣提供IP电话业务的运营商发放牌照及分配电话号码。IDA希望IP技术的引入能够降低电话业务的成本,从而降低价格及为用户提供更为丰富多彩的业务。IDA的一个发言人表示,为IP电话提供电话号码为用户带来了方便, 相似文献
20.