InAs/GaSb超晶格中波红外二极管的阳极硫化

采用分子束外延技术,在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs(8ML)/GaSb(8ML)超晶格中波红外光电二极管.用阳极硫化和ZnS薄膜对二极管表面进行钝化处理后,二极管漏电流密度降低了三个数量级,零偏阻抗R0达到106Ω,R0A达到103Ωcm2.通过测量电流密度与光敏元周长面积比的关系可知表面漏电不是主要漏电成分;电容电压特性曲线表明吸收层i层背景掺杂浓度约4~5×1014cm-3.在空气中放置一个月后再次测试,发现响应率和探测率几乎没有变化.与化学硫化和SiO2薄膜钝化方法相比,阳极硫化方法是一种更简单和有效的钝化方法.     

夹心化合物Na5[(CH3)4N-]3(H3O)2[ Co2(AsVMo9O33)2]·8H2O的合成与结构

合成了砷钼夹心型化合物Na5[ (CH3)4N]3( H3O)2[ Co2( AsVMo9O33)2]·8H2O,用X-射线单晶衍射、元素分析和红外光谱对晶体的结构进行了表征.结构表征指出该化合物是由砷钼夹心型[ Co2(AsVMo9O33)2]10-多阴离子,( CH3 )4N+反荷阳离子,Na+反荷阳离子和结晶水分...     

基于5G技术的有线电视网络改造建设

为更好地让有线电视顺应时代需求,文章立足于网络时代有线电视改革,分析5G技术在有线电视网络中的应用现状,阐述有线电视在5G时代所面临的机遇和挑战,并据此提出了相应的有线电视网络改造建议.