全文获取类型
收费全文 | 2188篇 |
免费 | 403篇 |
国内免费 | 436篇 |
专业分类
化学 | 705篇 |
晶体学 | 29篇 |
力学 | 133篇 |
综合类 | 39篇 |
数学 | 298篇 |
物理学 | 651篇 |
无线电 | 1172篇 |
出版年
2024年 | 27篇 |
2023年 | 88篇 |
2022年 | 87篇 |
2021年 | 78篇 |
2020年 | 57篇 |
2019年 | 78篇 |
2018年 | 54篇 |
2017年 | 72篇 |
2016年 | 66篇 |
2015年 | 81篇 |
2014年 | 144篇 |
2013年 | 90篇 |
2012年 | 112篇 |
2011年 | 141篇 |
2010年 | 105篇 |
2009年 | 127篇 |
2008年 | 129篇 |
2007年 | 154篇 |
2006年 | 129篇 |
2005年 | 115篇 |
2004年 | 96篇 |
2003年 | 95篇 |
2002年 | 90篇 |
2001年 | 68篇 |
2000年 | 58篇 |
1999年 | 52篇 |
1998年 | 44篇 |
1997年 | 41篇 |
1996年 | 37篇 |
1995年 | 44篇 |
1994年 | 44篇 |
1993年 | 45篇 |
1992年 | 49篇 |
1991年 | 41篇 |
1990年 | 47篇 |
1989年 | 22篇 |
1988年 | 26篇 |
1987年 | 17篇 |
1986年 | 19篇 |
1985年 | 27篇 |
1984年 | 29篇 |
1983年 | 14篇 |
1982年 | 9篇 |
1981年 | 18篇 |
1980年 | 10篇 |
1979年 | 9篇 |
1978年 | 6篇 |
1957年 | 5篇 |
1954年 | 6篇 |
1953年 | 6篇 |
排序方式: 共有3027条查询结果,搜索用时 0 毫秒
61.
62.
63.
为探索火腿微生物的活动与火腿质量的关系,以及如何缩短生产周期,我们进行了如下工作:火腿微生物的分离及人工接种;模拟缩短生产周期;通过火腿游离氨基酸测定以评定质量.初步试验结果表明:以分离而得的青霉4号菌株接种和以1%苯甲酸钠抑菌的两组质量较好;缩短火腿生产周期的模拟试验有一定成效,由原来的8—10个月缩短到4个月;经火腿的游离氨基酸分析表明,质量与常规生产的相比较无显著差异. 相似文献
64.
65.
66.
硅基高密度电容器是利用半导体3D深硅槽技术和应用高介电常数(高K)材料制作的电容。相比钽电容和多层陶瓷电容(MLCC),硅基电容具有十年以上的寿命、工作温度范围大、容值温度系数小以及损耗低等优点。文章研究原子层沉积(ALD)制备的Al2O3薄膜的介电特性,通过优化ALD原子沉积温度和退火工艺,发现在沉积温度420℃和O3气氛退火5 min下,ALD生长的Al2O3薄膜击穿强度可大于0.7 V/nm,相对介电常数达8.7。制成的硅基电容器电容密度达到50 nF/mm2,漏电流小于5 nA/mm2。 相似文献
67.
硅通孔(Through silicon via)的互连技术是3D IC集成中的一种重要工艺。报道了一种高深宽比的垂直互连穿透硅通孔工艺,其通孔的深宽比达到50以上;研究了利用钨填充硅通孔的一些关键工艺,包括阻挡层淀积工艺和钨填充工艺,分析了不同填充工艺所造成的应力的变化。最后获得了一种深宽比达到58∶1的深硅通孔无缝填充。 相似文献
68.
69.
70.
报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm.零偏下器件在280nm时的峰值响应为0.022A/W,在反向偏压为1V时,峰值响应增加到0.19A/W,接近理论值.在正向偏压下器件则呈平带状态,并在283和355nm处分别出现了两个小峰.在考虑极化的情况下,通过器件中载流子浓度分布的变化解释了器件在不同偏压下的响应特性,发现p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收. 相似文献