热沉尺寸对半导体激光器有源区温度的影响

半导体激光器随着输出功率的提高在各领域的应用日益广泛,但芯片温度升高引起的功率饱和问题仍然是目前研究的重点之一。利用ANSYS软件对工作波长为808nm的单芯片半导体激光器的芯片有源区温度与封装热沉尺寸的关系进行了稳态热分析,模拟得出不同热沉参数条件下封装激光器芯片有源区温度的变化曲线,并提出一种散热较好的结构方案。     

p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器

报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm.零偏下器件在280nm时的峰值响应为0.022A/W,在反向偏压为1V时,峰值响应增加到0.19A/W,接近理论值.在正向偏压下器件则呈平带状态,并在283和355nm处分别出现了两个小峰.在考虑极化的情况下,通过器件中载流子浓度分布的变化解释了器件在不同偏压下的响应特性,发现p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收.     

超大型网络圆锥曲线密码管理解决方案

二进制域上圆锥曲线密码是一种新型的公钥密码系统,在随机选取曲线参数,明文嵌入方面较椭圆曲线有优势.针对在超大型网络系统中,各种密码管理混乱、安全隐患严重的问题,利用圆锥曲线的优点,提出了一种安全的密码管理解决方案,该方案利用圆锥曲线/AES混合加密的方式保证密钥传输中的机密性、完整性、不可否认性.该方案对于强化超大型网络系统的运维管理有一定的实际意义.     

NH4H2PO4和ND4D2PO4晶体微结构的拉曼光谱研究

本文利用偏振拉曼光谱和第一性原理, 对磷酸二氢铵(NH₄H₂PO₄, ADP)和不同氘含量磷酸二氢铵DADP晶体的晶格振动模式进行了研究. 实验测得了不同几何配置、200–4000 cm^-1范围的偏振拉曼光谱, 分析在不同氘含量条件下921 cm^-1和3000 cm^-1附近拉曼峰的变化. 在ADP晶体中, 基于基本结构单元NH₄⁺ 和H₂PO₄^-基团的振动模, 用第一性原理进行了数值模拟, 进一步明确拉曼峰与晶体中原子振动的对应关系; 通过洛伦兹拟合不同氘含量DADP晶体的拉曼光谱中2000–2600 cm^-1处各峰的变化讨论了DADP 晶体的氘化过程, 结果表明氘化顺序是先NH₄⁺ 基团后H₂PO₄^-基团, 研究结果为今后此类材料的生长和性能优化奠定了基础.     

InGaN/GaN多量子阱结构发光二极管发光机理转变的低频电流噪声表征

本文对InGaN/GaN多量子阱结构发光二极管开启后的电流噪声进行了测试, 结合低频电流噪声的特点和载流子之间的复合机理, 研究了低频电流噪声功率谱密度与发光二极管发光转变机理之间的关系. 结论表明, 当电流从0.1 mA到10 mA逐渐增大的过程中, InGaN/GaN发光二极管的电流噪声行为从产生-复合噪声逐渐接近于低频1/f噪声, 载流子的复合机理从非辐射复合过渡为电子与空穴之间载流子数的辐射复合, 并具有标准1/f噪声的趋势, 此时多量子阱中的电子和空穴之间的复合趋向于稳定. 本文的结论提供了一种表征InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光机理转变的有效方法, 为进一步研究发光二极管中载流子的复合机理、优化和设计发光二极管、提高其发光量子效率提供理论依据.     

影响激光大屏幕画面亮度的若干因素

用激光束直接在屏幕上投射而再现图象的视频激光大屏幕显示技术要能够实际应用,还有一些较大的问题需要解决。其中最为致命的是画面亮度不足的问题。本文试图对影响屏的亮度的若干因素作点分析和讨论。首先,提出了屏的亮度公式与激光源的选择问题。给出的亮度公式为B=F·(C·G·τ/A)。根据色度标准和激光器的实际使用水平,选用的三基色为:氩离子激光器的5145埃和4880埃以及氪离子激光器的6471埃。这样的三基色合成,除青紫区色     

大尺寸磷酸二氢钾晶体的折射率均一性研究

采用德国Trioptics公司生产的新一代全自动高精度折射率测量仪,测量了磷酸二氢钾(KDP)晶体不同部位的样品位于近紫外到近红外波段(0.253—1.530μm)内12个不同波长处的折射率,测量精度达到10-6量级.结果表明,大尺寸KDP晶体不同部位样品的折射率存在不均一性,靠近晶体恢复区的样品折射率小于晶体锥头区的样品折射率,偏差在10-5—10-4量级.研究发现,这种折射率不均一性与晶体不同部位的结晶质量存在差异有关.另外,将测量数据与其他文献中的数据进行对比.结果显示,所测试的样品数、波段宽度、测量点数量以及数据的精度均超过其他文献,结合测试条件分析了不同文献数据存在差异的原因.最后,使用最小二乘法拟合得到了KDP晶体较为可靠的Sellmeier方程.     

Finite size effect on the Raman frequency of phonons in nano-semiconductors

A comprehensive study on Raman spectroscopy with different excitation wavelengths, sample sizes, and sample shapes for optic phonons (OPs) and acoustic phonons (APs) in polar and non-polar nano-semiconductors has been performed. The study affirms that the finite size effect does not appear in the OPs of polar nano-semiconductors, while it exists in all other types of phonons. The absence of the FSE is confirmed to originate from the long-range Fr¨ohlich interaction and the breaking of translation symmetry. The result indicates that the Raman spectra of OPs cannot be used as a method to characterize the scale and crystalline property of polar nano-semiconductors.     

低压电力线载波通信模拟实验系统的设计

首先阐述了电力线传输的特性,以此为基础,结合均匀传输线理论建立起相应的模拟实验系统。然后从原理、构成以及主要模块的硬件设计几方面对该系统进行了具体分析。