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71.
A comprehensive study on Raman spectroscopy with different excitation wavelengths, sample sizes, and sample shapes for optic phonons (OPs) and acoustic phonons (APs) in polar and non-polar nano-semiconductors has been performed. The study affirms that the finite size effect does not appear in the OPs of polar nano-semiconductors, while it exists in all other types of phonons. The absence of the FSE is confirmed to originate from the long-range Fr¨ohlich interaction and the breaking of translation symmetry. The result indicates that the Raman spectra of OPs cannot be used as a method to characterize the scale and crystalline property of polar nano-semiconductors. 相似文献
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随着科学技术的不断发展和创新,轨道移动闭塞控制技术在世界各国都得到了广泛地使用,在完善城市轨道交通信号系统方面起到了十分重要的作用.但是,受设备生产厂商不同、产品规格型号不同等因素的影响,不同的轨道移动闭塞制式信号系统所采用的组成架构合运行方式也存在着一定的差异,当前市场上使用最为广泛地移动闭塞ATC系统主要有中央集中式和区域分散式两种.本文在参考前人研究结果的基础上,根据笔者多年的工作经验,分别对两种系统的结构特点和运行情况进行了研究,并分析了两种不同结构的ATC系统之间存在的差异,以便于为今后工作的顺利开展提供可靠的理论依据. 相似文献
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74.
75.
伴随科学技术发展速度的加快和水平的提升,以及互联网技术应用范围的扩大,无线局域网在各行业领域中的应用范围也在不断扩大.高速无线局域网作为现阶段我国最为先进的网络技术,其在室外发射与接收天线时的信号损耗量与信号干扰程度最小,且信号传播期间绕射、反射、自然环境的损耗量最小,多径信道衰落程度最低.对此,本文以高速无线局域网为切入点,对其在室外信号接收发射期间信号的抗干扰能力进行研究. 相似文献
76.
本文基于AR(2)模型的Yule-Walker方程组,利用二阶线性常系数递推关系的一般理论,导出了AR(2)过程自相关函数计算公式. 相似文献
77.
本文以氧化石墨烯包覆泡沫镍电极(GO@NF)作为基底,采用水热法在GO@NF基底上原位生长CoO纳米花,同时GO在水热过程中被同步热还原为还原氧化石墨烯(RGO),从而一步制得还原氧化石墨烯包覆泡沫镍负载CoO纳米花电极(CoO/RGO@NF)。使用XRD和SEM对CoO/RGO@NF电极进行表征,发现CoO纳米花均匀生长在泡沫镍三维网络结构上,CoO纳米花为大量针状纳米棒围绕一个中心而成的花状结构,纳米棒的长度约为10 ~ 15 μm,直径约为100 ~ 200 nm。使用循环伏安和线性扫描法测试了CoO/RGO@NF电极电催化CO2的还原性能,在-0.76 V(vs. SHE)电位下,CoO/RGO@NF电极电催化CO2还原的电流效率达到70.9%,产甲酸法拉第效率达到65.2%,甲酸产率为59.8 μmol·h-1·cm-2,且电极可持续稳定电催化还原CO2 4 h,表明CoO/RGO@NF电极对CO2电还原有着优良的催化活性、选择性和稳定性。 相似文献
78.
79.
Improved performance of Au nanocrystal nonvolatile memory by N_2-plasma treatment on HfO_2 blocking layer
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The N_2-plasma treatment on a HfO_2 blocking layer of Au nanocrystal nonvolatile memory without any post annealing is investigated. The electrical characteristics of the MOS capacitor with structure of Al–Ta N/HfO_2/Si O2/p-Si are also characterized. After N_2-plasma treatment, the nitrogen atoms are incorporated into HfO_2 film and may passivate the oxygen vacancy states. The surface roughness of HfO_2 film can also be reduced. Those improvements of HfO_2 film lead to a smaller hysteresis and lower leakage current density of the MOS capacitor. The N_2-plasma is introduced into Au nanocrystal(NC) nonvolatile memory to treat the HfO_2 blocking layer. For the N_2-plasma treated device, it shows a better retention characteristic and is twice as large in the memory window than that for the no N_2-plasma treated device. It can be concluded that the N_2-plasma treatment method can be applied to future nonvolatile memory applications. 相似文献
80.
近年来,国际间通过合作对暗物质的探究非常活跃,在用仪器探测和理论研究两方面都有不少进展.本文向读者提供有关暗物质研究的三项信息. 相似文献