首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   242篇
  免费   73篇
  国内免费   59篇
化学   74篇
力学   10篇
综合类   2篇
数学   30篇
物理学   87篇
无线电   171篇
  2024年   3篇
  2023年   7篇
  2022年   19篇
  2021年   9篇
  2020年   6篇
  2019年   7篇
  2018年   4篇
  2017年   8篇
  2016年   11篇
  2015年   5篇
  2014年   20篇
  2013年   11篇
  2012年   11篇
  2011年   9篇
  2010年   3篇
  2009年   14篇
  2008年   11篇
  2007年   13篇
  2006年   10篇
  2005年   9篇
  2004年   17篇
  2003年   17篇
  2002年   8篇
  2001年   8篇
  2000年   20篇
  1999年   16篇
  1998年   7篇
  1997年   8篇
  1996年   6篇
  1995年   17篇
  1994年   6篇
  1993年   7篇
  1992年   10篇
  1991年   4篇
  1990年   5篇
  1989年   2篇
  1988年   4篇
  1987年   4篇
  1986年   2篇
  1985年   3篇
  1984年   1篇
  1983年   6篇
  1982年   3篇
  1981年   1篇
  1980年   1篇
  1965年   1篇
排序方式: 共有374条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
通过一系列实验研究了高分辨率TFT液晶显示器的对比度和透过率特性。改善了UV^2A光配向技术在提高分辨率的同时像素透过率和对比度下降的情况。提高了面板光学性能的同时也降低了生产成本。  相似文献   
92.
Fluorescence quenching processes of poly[2-methoxy-5-(2‘ethyl-hexoxy)-p-phenylene vinylene] (MEH-PPV) in solution by electron acceptors, O2 and acid, have been studied. Static quenching of the fluorescence from MEH-PPV by an electron acceptor (DDQ or TCNE) occurs due to electron transfer from MEH-PPV to the electron acceptor and this electron transfer quenching can be promoted by chloroform. Photooxidation takes place in the MEH-PPV solution and singlet oxygen is an intermediate in the photooxidation, according to the results of ESR spectroscopy. Acid also plays an important role in the fluorescence quenching process of MEH-PPV, by the protonation of the alkoxy groups in the molecular chain.  相似文献   
93.
杨媛  张锦楠  罗素蓉  宋晓红  李奇 《化学学报》2006,64(18):1904-1910
合成了反式-9,10-二氢-9,10-二乙基蒽-11,12-二羧酸(EADA)及其与硼酸共同构建主体晶格的正四丁基铵阳离子管状包合物(n-C4H9)4N C18H13O-4?B(OH)3(1)和(n-C4H9)4N C18H13O-4(2),并通过单晶X射线衍射法对其进行了晶体结构测定.结果表明,晶体1属单斜晶系,P2(1)/c空间群,晶胞参数a=1.5699(1)nm,b=0.9955(6)nm,c=2.2933(1)nm,β=109.962(3)°,Z=4,R1=0.0434,wR=0.0759;晶体2属单斜晶系,C2/c空间群,晶胞参数a=1.4005(3)nm,b=1.2821(2)nm,c=1.7657(3)nm,β=100.388(1)°,Z=4,R1=0.0584,wR=0.0966.在晶体1中,EADA阴离子和硼酸分子的氢键四聚体链交错平行排列,生成具有矩形截面的管道式主体晶格,每个管道内包含了两列规则排列的正四丁基铵阳离子(n-C4H9)4N .在晶体2中,相互独立的EADA阴离子交错排列形成类蜂巢形截面的管道式主体晶格,正四丁基铵阳离子形成Z形长列被包合在这些管道里,阳离子的烃链穿插在管道壁中.  相似文献   
94.
黄琰  董文杰  支蓉  龚志强 《物理学报》2011,60(4):49201-049201
通过探讨极端降水与城市道路交通受灾损失之间的关系确定灾损函数曲线,首先构建城市道路积水排尽模型、积水持续时间模型,以及道路积水的经济损失评估模型等理论模型,再引入与道路抗涝能力相关的社会经济因子,最终构建了一个极端降水对道路交通造成经济损失的估算模型.经检验,该模型具有较好的模拟性能和适用性,且所需输入变量少,计算简便,适合地区经济损失的快速评估.从该模型出发,确定了上海地区逐年极端降水降水强度和总过程降水量的阈值,从而提出一个新的极端降水定义方法——随影响因子变化的固定阈值法,该方法突出了极端降水给社会 关键词: 极端降水 极端降水-经济损失模型 阈值  相似文献   
95.
双频星载雷达高度计是一种主动式微波遥感器,有Ku和C两个波段.控制处理单元用于高精度时序控制、高速数据采集和实时高速处理,硬件主要由DSP,FPGA,A/D组成.这种基于DSP FPGA设计不但满足整个系统对精度和处理速度的需求,同时还满足了星载设备小型化、低功耗和高可靠性的要求.  相似文献   
96.
对苯二酚在多壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用循环伏安法、微分脉冲伏安法、计时安培法研究了对苯二酚在多壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为,计算得到了碳纳米管修饰电极有效面积Aeff=23.9mm2以及对苯二酚电化学氧化过程的一些重要参数:传递系数α=0.630;控制步骤的反应电子数nα=1.03;反应速率常数k′=3.74×10-2cm/s;扩散系数D=2.85×10-6cm2/s。实验结果显示,本实验条件下对苯二酚在碳纳米管修饰电极上的氧化反应受扩散过程控制,为前行化学反应(CE),对苯二酚在失去电子之前先经历了一个脱氢的过程。微分脉冲伏安结果显示,催化氧化峰电流与对苯二酚浓度在1×10-4~6×10-6mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限达4.0×10-7mol/L(S/N=3)。  相似文献   
97.
周磊  支蓉  冯爱霞  龚志强 《物理学报》2010,59(9):6689-6696
利用中国地区435个台站1961—2002年逐日平均温度序列,将温度变化发生在9天时间尺度上的特征编码在网络中,通过研究二分图温度网络(BGT网络)中节点与项目的关系,揭示出9天时间尺度上温度变化的特征及其在空间上的拓扑统计性质.网络中各节点RRRD, RrDD, eeed, DRRD, DDRR等所代表的温度波动模态在网络中异常频发,对9天尺度温度变化的预报有一定的指导意义.统计网络的节点度分布,集群系数等拓扑结构特征量,发现BGT网络服从正态分布特征.BGT网络项目内节点度的多样性大体上 关键词: 二分图温度网络 气候系统 拓扑结构  相似文献   
98.
大面积平坦金刚石薄膜的制备和图形化   总被引:8,自引:2,他引:8  
采用直拉热丝CVD法沉积了面积3 英寸的金刚石薄膜。硅衬底在沉积前采用0-5 ~1μm 金刚石微粉研磨,使成核密度达1010 个/cm2 以上,同时调整沉积工艺,特别是降低沉积气压至0-5 ~1-5kPa,促进了金刚石的二次成核,使薄膜变得十分平坦,当薄膜厚度为5μm 时,表面粗糙度Ra 仅为60nm 左右。另外,以铝作为保护膜,用氧离子束刻蚀金刚石薄膜,得到宽度为3 ~5μm 的精细金刚石薄膜图形。  相似文献   
99.
小蓉 《电子与电脑》2001,10(10):105
前几天帮朋友修理光驱,发现该光驱严重挑盘,有时甚至不读盘,光盘放进后猛转,光驱指示灯也长亮不熄。 问题分析:此故障应为光头老化等原因所引起的,拆开光驱后仔细观察,接上电源,激光头上有红色激光束(应该可看见光头上有一较亮红点)射出,光头的循迹聚焦动作也正常,那问题出在哪儿  相似文献   
100.
介绍一种新型远红外声光调制器,采用高品质因子Ge单晶(III)方向传声作为声光介质,铌酸锂晶体作为压电换能器,工作中心频率为80MHz;还介绍了两种散热结构,经测试比较,环绕散热结构比背面散热结构的衍射效率提高10%,而且光斑质量也明显变好,较大地提高了远红外声光调制器的性能,利用10W高频驱动功率,测得锗声光器件的峰值衍射效率为65%。它的成功为声光调制器在激光雷达、远距离目标跟踪等方面的远红外技术应用,具有实际意义。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号