化学机械抛光过程优化研究

根据承载器与抛光台的转速、浆料中微粒尺寸及下压力对抛光工艺的影响进行统计分析,特别是工艺中的抛光去除率、金属碟形缺陷和层间介质的侵蚀作为输出结果的主要参考因素。采用3水平3因数的实验方案,结合信噪比方式对数据进行处理．使用田口玄一法进行数据的加工,从形成的3参数3水平对输出结果影响的3子图上,获取最优的工艺参数组合。选取根据经验的常用参数组合作为参照,发现新的优化方式能够提高10％的去除率,降低15％的碟形缺陷和侵蚀．显著的改善抛光质量。     

CMP后的晶圆清洗过程研究

伴随着整个CMP工艺的进步,CMP后清洗工艺技术也日趋关键。分析了引起缺陷和玷污的因素、微粒去除的理论研究以及清洗的方案;在清洗方案中详细论述了机械去除、化学湿法去除和兆声去除;最后指出了新的技术及发展趋势。