用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结

能够直观地"看到"半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等,也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本文用EBIC(电子束诱生电流)法观察了InSb半导体器件中的p-n结。同时观察到了器件中的肖特基结,其中肖特基结显示出明显的温度特性:温度降低,肖特基结响应区域扩大,温度降至80K,Cr-InSb肖特基结响应区域可扩展至47mm。用离子注入法在InSb材料中制成的p-n结其空间电荷区并不呈对称的空间分布,靠n区一侧的空间电荷区较薄,电荷密度较大,靠p区一侧的空间电荷区较厚,电荷密度相对较小。作为一种常用的观察分析工具,EBIC法在观察分析半导体器件结构方面有透视和显微等优点。     

多级降压收集极的优化设计

本文根据实验室实际制管的需要,首先利用MTSS 软件对多级降压收集极（简称MDC）进行电场优化,在收集效率明显提高的情况下,针对电子运动的非轴对称性,通过在收集极内引入非轴对称磁场,进一步提高收集效率并降低回流率。最终使计算结果满足工程上制管的要求。     

基于PIC单片机的无线遥控小车设计

遥控小车在军事侦查、污染及恶劣环境作业等领域有着广阔的应用价值。我们以PIC单片机为控制核心,采用遥控编码解码集成电路（PT2262/PT2272）及专用的电机驱动芯片L298N,通过PWM脉宽调速,设计了一个价廉的无线遥控智能小车。小车的结构体为三轮,后轮为驱动轮,     

槐枝中总黄酮的含量测定

采用索氏提取法提取槐枝中的总黄酮,芦丁为对照,分光光度法测定其含量。样品浓度在16.104—96.624μg.mL-1范围内线性关系良好,相关系数r=0.9996。该方法简便、准确,可用于槐枝中总黄酮的含量测定。     

加权Bergman空间上的约化子空间

主要证明在加权Bergman空间上符号为有限Blaskchke乘积的解析Toeplitz算子总是可约的,即至少有一个约化子空间.并且把该算子限制在该子空间上酉等价于加权Bergman位移.     

羰基镍紫外光谱图测定

羰基镍Ｎｉ（ＣＯ）４系剧毒化合物，为研制羰基镍报警仪的需要，应用分光光度计测得了羰基镍蒸气的紫外光谱图，找到了羰基镍最大吸收峰位置在２０５ｎｍ处。     

水下噪声目标被动测距技术研究

运用被动测距声纳中的三元测距技术，通过直接测1、3阵元的时延差来实现时延估计。仿真结果表明，改进的时延估计方法可提高时延估计精度，从而改善测距精度。此外，定义临界距离，并以此为分界点，分别采用K系数分配法和直接测量法对中远程和近程目标进行测距，解决了被动声纳的近程测距模糊问题。将其应用于声纳系统中，可显著提高声纳的被动测距能力，使被动测距声纳可全程测距。     

互反函数图像的交点不一定在直线y=x上

我们知道，两个互为反函数的图像一定关于直线y=x对称．有不少同学因此而认为：互为反函数的两个函数如果有交点的话，其交点一定在直线Y=x上．其实这个结论是错误的．我们先举几个例子来说明一下：     

圆柱杆侵彻过程及应力波传播分析

研究了初始侵彻速度为１０００ｍ／ｓ～２０００ｍ／ｓ的圆锥杆对半无限厚水泥靶的垂直侵彻过程及其应力波传播。针对初始侵彻速度范围内的撞击特点，发展了计算撞击力的刚体－流体撞击模型和计算靶体变形的法向膨胀理论。模拟动量定理和功能守恒定律，建立了圆锥杆垂直侵彻半元限厚水泫靶时的动力学模型。结非线性动力学方程的数值解，确定了撞击力。在些基础上，根据牛顿第二定律建立了圆锥杆的波动方程，研究了应力波在圆锥中的传     

基于双CPU的磨床控制系统

磨床是一种对控制精度要求较高的工件加工机器,磨床通过对砂轮和工件进给位置的控制来实现对磨削量的控制,控制系统对进给量控制精度的高低将会对磨床加工精度产生直接影响,传统的基于运动控制卡的磨床控制系统价格较为昂贵,且系统扩展性差,为了解决上述问题,论文提出了一种基于双CPU的磨床控制系统,以较低的价格实现磨床的高精度控制。