基于IP架构的节目交换平台设计

首先分析了数字电视节目安全播出的重要性,指出传统基于ASI架构的节目交换平台存在的不足,同时介绍了IP节目交换技术,并按节目交换系统和集成监控系统两部分对基于IP架构的节目交换平台进行设计,分析了基于IP架构节目交换平台的特点.     

TD-LTE小基站回传承载方案

TD-LTE小基站的部署场景、覆盖策略与传统宏基站不同,站址的规划也与宏基站有较大区别,采用传统宏基站PTN回传网络承载TD-LTE小基站将面临三大难题:网络效能低、安全性差、智能性低.对如何建设高效、安全、智能的小基站回传网络进行了研究,结合中国移动网络现状,提出PON+CMNet、PTN+CMNet、PON+PTN 、PTN端到端4种小基站回传承载方案,并对这4种方案进行了现网测试验证.验证表明,4种承载方案均满足小基站通信业务需求,采用PON+CMNet承载方案在安全性、智能性、高效性上优于另外3种承载方案.     

一种宽温范围高稳定CMOS带隙基准源

在传统带隙基准源的基础上,设计了一种在极宽温度范围内具有高温度稳定性的CMOS带隙基准电路。该电路将三极管的集电极置于负反馈环路中,以避免三极管基极分流对集电极电位的影响,实现温度补偿。通过采用低电源抑制比(PSRR)的差分运放,可以得到不受电源电压影响的基准电压。基于0.5 μm CMOS标准工艺实现,采用Spectre进行仿真,结果表明:该带隙基准源在室温下产生的基准电压为(1.256 9±0.000 32) V,在－35 ℃~125 ℃温度范围内的温漂系数为1.39×10－6/℃;当工作电压为1.8~4.6 V时,输出电压仅变化0.31 mV/V;3 V供电下的功耗为14.69 μW;满足胎压监测芯片的设计要求。     

面向低强度无线网络信号接收谱参数估计研究

针对以北斗卫星导航信号为代表的亚纳秒级的低强度无线网络信号在定位中难以获取精确时间估计及角度估计,且易受环境噪声影响,使其定位精度不高等难题,本文提出了基于亚纳秒级的低强度无线网络信号接收谱参数估计方法。首先通过抽样方式,将发射信号抽样为多维独立子信号并独立建模,通过构造噪声空间与子信号空间在对应列向量正交化的基础上精确获取TOA估计;随后利用复数域映射,在获取TOA估计基础上采取比对方式精确地获取DOA估计。最后对本文参数估计方法进行了精度分析。测试数据显示：与 PM算法、ESPRIT算法相比,本文技术在TOA及DOA估计上更为精确;同时在信号强度低且背景噪声干扰严重的情况下,本文方法仍可有效的维持参数估计精度。     

STUDY OF HALOGEN DOPING IN POLYCRYSTALLINE YBa2Cu3O7-δ

This paper presents systematically the doping effects of halogens in YBa₂Cu₃O_7-δ polycrystalline samples, with a series of concentrations of fluorine, chlorine, bromine or iodine. All samples were prepared by chemical method of citrate pyrolysis, which makes the halogen concentration in the samples more uniform. Samples doped with F have T_c as high as 94.5K, Cl, Br and I dopings also raise T_c to a certain extent. In addition, the influence of halogen doping on critical current density, morphology, constitution and so forth is discussed.     

宽带无线接入技术的探讨

一、引言异步传送模式（ＡＴＭ）作为宽带网络的核心技术,经过十多年的发展,已经不断地成熟,特别是在数据通信领域得到了不同程度的应用。近年来,许多机构开始致力于将ＡＴＭ技术拓展到无线网络,从而将ＡＴＭ特性应用于无线电媒体中。基于信元的宽带技术的应用以及它与当前最新的无线接入网的结合变得日益重要。在有线ＡＴＭ技术高速发展成为宽带核心技术之时,无线ＡＴＭ技术却刚刚起步,而且还有很多问题尚待解决,本文给出了宽带无线本地接人（ＷＷＬＡ）技术的发展概况,对其标准技术以及美国、欧洲和日本的宽带无线项目发展情况进…     

离子色谱法测定东下冯遗址土壤中的无机阴离子

采用电导检测离子色谱法对东下冯遗址土壤水浸取液中阴离子进行了分析,测定了其中的常见阴离子(Cl-、NO3-、SO42-),阴离子的检出限在0.008～0.014mg/L,加标回收率在98%～101%,相对标准偏差RSD(n=7)在2.5%以下。方法可同时检测土壤水浸取液中的多种无机阴离子,快速、简单、可靠。     

利用ZnCl2原位钝化电子传输层提高量子点发光二极管性能

在量子点发光二极管(QLED)中,电子-空穴注入不平衡和量子点层/电子传输层间界面的荧光猝灭限制着QLED效率的提升。基于此,采用金属卤化物(ZnCl₂)原位处理电子传输层方法来减少氧化锌(ZnO)电子传输层的氧空位,同时有效钝化其表面不饱和键,因此在一定程度上实现抑制量子点/电子传输层界面的荧光猝灭和提高QLED中的电子-空穴注入平衡的目的,最终得到了高亮度、高效率的QLED。原位钝化处理后的ZnO基QLED的最大亮度、峰值电流效率、峰值功率效率和峰值外量子效率(EQE)分别从未处理QLED的176 800 cd/m²、9.86 cd/A、8.38 lm/W和7.42%提高到219 200 cd/m²、15.14 cd/A、12.66 lm/W和11.65%。结果表明,ZnCl₂原位钝化ZnO电子传输层对QLED性能的提升起到重要的作用。     

多孔GaN阵列结构的制备及其光电性能

以硝酸钠溶液作为腐蚀液,通过电化学和紫外辅助电化学相结合的两步法腐蚀GaN薄膜,制备出了多孔阵列结构。采用扫描电子显微镜(SEM)表征了多孔阵列结构的形貌,结果表明多孔GaN阵列结构排列整齐,孔径分布均匀,其平均孔径为24.1 nm,孔隙密度为3.86×10¹⁰ cm^-2,深度为2μm。利用X射线衍射仪(XRD)和Raman光谱仪表征了多孔GaN阵列的晶体结构,与平面GaN薄膜相比,多孔GaN阵列结构的晶体质量更好,且具有较低的残余应力。使用光致发光(PL)光谱和紫外-可见光(UV-Vis)吸收光谱表征了GaN的光学性能,与平面GaN薄膜相比,多孔GaN阵列结构的光致发光强度和光吸收能力有较大提升。通过电化学工作站对多孔GaN阵列结构的光电性能进行测试,在1.23 V偏压下,多孔GaN阵列结构的光电流是GaN平面结构的约3.36倍,最大光电转化效率η_max是平面GaN薄膜的约3.5倍。该研究为多孔GaN阵列结构的应用提供了一定的实验数据和理论指导。     

射流抛光多相紊流流场的数值模拟

 理论分析了射流抛光的紊动冲击射流特点,构建了射流抛光的垂直冲击射流模型和斜冲击射流模型。根据射流抛光冲击射流的特点,比较各种流体模型后,采用RNG k-e 模型应用于射流抛光模型的计算。利用计算流体力学理论的二阶迎风格式对抛光模型方程离散,用SIMPLEC数值计算方法对射流抛光过程的紊动冲击射流和离散相磨粒分布进行数值模拟,得到了射流抛光过程的连续流场和离散相磨粒与水溶液的耦合流场,同时计算出了抛光液射流在工件壁面上的压力、速度、紊动强度、剪切力分布和磨粒体积质量分布,分析了垂直射流抛光模型和斜冲击射流抛光模型紊流流场的特点。