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<正> 在微电子组装技术(指高密度表面组装技术)中,芯片载体已经成了不可缺少的基础元件之一。早在1977年美国就制订了芯片载体的JEDEC标准(1),1980年又作了修订(7)。其他发达国家也相继应用了芯片载 相似文献
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二维六方氮化硼(hBN)的点缺陷最近被发现可以实现室温下的单光子发射,而成为近年的研究热点.尽管其具有重要的基础和应用研究意义,hBN中发光缺陷的原子结构起源仍然存在争议.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究hBN单层中一种B空位附近3个N原子被C替代的缺陷(CN)3VB.在hBN的B空位处,3个N原子各自带一个在平面内的悬挂键及相应的未配对电子,而通过C替换可以消除未配对的电子.系统研究了(CN)3VB缺陷的几何结构、电子结构以及光学性质,结果表明,缺陷可以由一个对称的亚稳态经过原子结构弛豫变成1个非对称的、3个C原子连在一起的基态结构.缺陷的形成在hBN中引入了一些由缺陷悬挂σ键及重构的π键贡献的局域缺陷态.这些缺陷态可以导致能量阈值在2.58 eV附近的可见光内部跃迁.本文的工作有助于进一步理解hBN中点缺陷的构成及光学性质,为实验上探讨发光点缺陷的原子结构起源及其性质提供理论依据. 相似文献
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国家无线电监测中心检测中心(简称"检测中心")于8月1日正式独立运营。至此,检测中心已成为真正意义上独立第三方的、企业化运作的、自收自支的事业单位实体。 相似文献
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利用原子力显微镜分别对在I-型胶原和bFGF表面改性的p(HEMA-MMA)及未改性的p(HEMA-MMA)材料表面对于角膜基质细胞的膜表面结构进行了分析。将角膜基质细胞接种于改性前后的材料表面,用原子力显微镜对不同表面生长的角膜细胞的三维形态和超微结构等方面进行了研究。结果表明,改性后材料表面细胞宽度更大,高度更低,并且铺展较为完全,与正常条件下培养的细胞形态相似。膜超微结构参数分析显示在改性后材料表面生长的细胞膜微区的平均粗糙度(Ra)、均方粗糙度(Rq)、平均高度(MeanHt)、中值高度(MedianHt)明显较高于改性前材料表面的细胞。 相似文献
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根据文(1)的思想对一类奇异摄动问题给出了高精度的任意不等距二点差分格式,在边界条件处理上对文(1)的算法作了改进,使算法不等距,在奇异点附近网格可任意加密并重点研究了离散方程组的计算方法。数值试验表明,本算法在处理奇异摄动问题时更灵活,更有效。 相似文献