不同剖面DDF中啁啾高斯脉冲展宽的研究

文章从理论上推导了啁啾高斯脉冲在5种不同群色散剖面光纤中的传播特性和初始啁啾对脉宽的影响.与常规单模光纤(SMF)相比,这5种色散缓变光纤(DDF)中的脉冲展宽较慢,能有效抑制脉冲展宽,但这5种DDF之间也存在着较大的差异.初始啁啾对脉冲的影响体现在:当β2c＞0时,脉冲展宽速度比无啁啾时要快;当β2c ＜0时,脉冲有一初始窄化过程,之后又快速展宽.     

高非线性色散平坦光子晶体光纤的理论研究和数值模拟

利用全矢量等效折射率模型计算了空气孔间距、空气穴半径、空气填充率对非线性系数以及色散特性的影响,通过计算发现空气填充率主要影响色散曲线的形状和变化趋势,孔距A主要影响具体的数值大小,调整孔距可以改变曲线零点的位置。非线性系数随空气穴半径r的增大而增大,随孔距A增大而减小,当空气填充率一定时,即孔距A和半径r同时增大时,非线性系数却是减小的,这说明空气穴节距对非线性系数起主要作用, 最终设计出了几种不同特性的820nm处高非线性色散平坦光子晶体光纤。     

基于多普勒测速技术的JB-9014炸药反应区结构研究

为了解TATB基JB-9014炸药的爆轰过程,利用火炮驱动飞片加载,采用光子多普勒测速技术,对JB-9014炸药的爆轰反应区结构进行了实验研究。实验中利用火炮发射高速蓝宝石飞片冲击起爆被测炸药,在炸药后表面安装镀膜氟化锂（LiF）窗口测量炸药爆轰时的界面粒子速度,测试过程的时间分辨率小于2 ns。将粒子速度剖面对时间进行一阶求导,通过一阶导数的拐点来确定炸药反应区宽度、反应时间。研究结果表明,钝感炸药JB-9014的反应时间为（0.26±0.02）μs,对应的化学反应区宽度为（1.5±0.2）mm,反应结束点处的压力为27.3 GPa,von Neumann峰处压力为40.3 GPa。     

基于激光超声临界频率的表面缺陷检测与评价

激光超声能够激发宽频带的表面波,可实现金属材料表面微缺陷的定位分析与深度检测。根据表面波在缺陷处的透射/反射阈值现象,提出了测量表面缺陷深度的临界频率法;基于光弹激发原理搭建了激光超声检测平台,得到了铝合金样品的B扫成像,实现了表面缺陷的定位;结合小波变换分析了表面缺陷的透射与反射波形能量分布,测得透射/反射阈值θ_0=1/4,进而采用临界频率法实现了表面微缺陷的深度估计。此外,还分析了激发点与探测点距离、待测样品材料对透射/反射阈值的影响。结果表明,基于激光超声临界频率法可以实现表面微缺陷的定位及深度检测,且透射/反射阈值大小与表面波传播距离、待测样品材质无关。     

一类二阶Emden-Fowler型微分方程的若干振动条件

利用Riccati变换技术,借助Bernoulli不等式和Yang不等式以及数学分析技巧,研究了具有非线性中立项的二阶广义Emden-Fowler型微分方程的振动性,考虑非正则情形∫t0+∞a-1/β(t)dt<+∞,建立了该方程的若干振动准则。最后用2个例子说明,这些准则推广并改进了一些已有的结果,且具有较好的实用性和可操作性。     

光子晶体光纤色散补偿特性和非线性系数的研究

利用全矢量等效折射率模型计算了光子晶体光纤结构参数对非线性系数及色散特性的影响,研究发现通过调节结构参数可以灵活设计波长在1.55 μm附近具有高色散值、负色散斜率、低非线性系数的色散补偿型光纤,数值模拟和分析表明光子晶体光纤应用于色散补偿型光纤的研究前景十分可观.     

VAD88─2型分配器的增益误差和幅频特性劣化的修正

ＶＡＤ８８─２型分配器的增益误差和幅频特性劣化的修正广西电视台刘晓冬，覃家祠电视系统是通过视频音频分配器进行信号分配的，若分配器产生了增益误差，多台分配器级联后，将会产生大的误差积累，使过大信号输入终端设备而造成过载，不但破坏信号传输质量，还会危害整...     

体声波宽带声光偏转器

本文给出了体声波宽带声光偏转器的计算和实验研究结果。体声波是借助于叉指换能器这一简便方法激励的。结果表明,在给定的叉指换能器周期和指对数条件下,可获得最佳的偏转器频带,在此频带内可得到最大衍射效率。经对该偏转器的工作进行分析表明,这种器件能成功地运用于射频信号的频谱分析和匹配滤波,并可作光计算机中的线性代数处理用声光处理器。     

基于Kinect的人体动作识别算法研究

针对现有的复杂背景下人体动作识别中存在识别准确率不高和实时性不强等问题,提出基于Kinect骨骼数据的改进动作识别算法。通过Kinect获取骨骼数据,提取出人体关节的特征向量,然后用模板匹配的方法对人体动作进行识别。通过搭建机器人体感控制系统验证了算法的可行性。在相同实验条件下测得算法的平均识别率为95.2%,平均识别时间为32.5ms。与其它动作识别算法比较,证明了算法的识别率较高、实时性较好。     

低暗计数率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管

通过对InGaAsP/InP单光子雪崩二极管（SPAD）的探测效率、暗计数率等基本特性与该器件的禁带宽度、电场分布、雪崩长度、工作温度等参数之间关系的分析,采用比通常的InxGaAs （x=0.53）材料具有更宽带隙的InxGa1-xAsyP1-y（x=0.78,y=0.47）材料作为光吸收层,并且精确控制InP倍增层的雪崩长度,有效地降低了SPAD的暗计数率。其中InGaAsP材料与InP材料晶格匹配良好,可在InP衬底上外延生长高质量的InGaAsP/InP异质结,InGaAsP材料的带隙为Eg=1.03 eV,截止波长为1.2 m,可满足1.06 m单光子探测需要。同时,通过设计并研制出1.06 m InGaAsP/InP SPAD,对其特性参数进行测试,结果表明,当工作温度为270 K时,探测效率20%下的暗计数率约20 kHz。因此基于时间相关单光子计数技术的该器件可在主动淬灭模式下用于随机到达的光子探测。