脉宽调制器UC1526在开关电源中的应用

介绍了UC1526双通道脉宽调制器结构功能及在开关电源中的应用方法,并详细说明了开关电源的主要电路参数和电磁兼容设计过程。开关电源经试验验证性能良好,直流电压输出纹波不大于0.3%,效率高于85%。文中的设计原理也适用于其他中小功率的开关电源装置。     

多光谱光声层析成像及其在生物医学中的应用

多光谱光声层析成像(MSOT)技术是一种将多光谱成像与光声层析成像(PACT)技术相结合的新技术,该技术利用不同生物组织的光谱吸收特性,用多组不同波长的短脉冲激光照射组织以产生组织特异性的光声信号,从而更好地进行光声成像和组分识别。MSOT兼具光学成像的高灵敏度、高分辨率优势和超声成像可对数厘米深组织成像的长处,同时又能弥补光学成像深度有限和超声成像对比度差的短处,能够实现深层组织的高分辨率、高对比度、高穿透深度的实时无损伤成像。迄今为止,MSOT已应用于肿瘤内光吸收粒子的检测、血管结构和血液氧合作用的评价、生物荧光蛋白的成像以及乳腺癌患者检测的初步研究。随着光声成像系统的不断改进,MSOT与生物标记物(如荧光试剂、金纳米颗粒等)结合对体内分子进行成像,在生物医学中得到了广泛的应用。本文简要综述了MOST的成像原理、实验装置及其性能特点,着重总结了其在生物医学领域的最新应用进展,尤其是在新生血管成像、肿瘤的早期诊断及肿瘤的原位成像方面。     

FX2可编程控制器在注塑机控制中的应用

本设计针对M230型注塑机,根据其工艺流程,对注塑机系统的控制过程进行分析,采用三菱公司的FX2可编程序控制器作为注塑机控制核心部件,实现了注塑机系统的全自动控制、半自动控制和手动控制过程。     

水分胁迫对小麦光谱红边参数和产量变化的影响

在不同的水分胁迫梯度下,利用实验区小麦不同生长期光谱反射率观测数据,研究水分胁迫对小麦光谱反射率、红边参数及小麦产量的影响。首先分析水分胁迫对小麦光谱反射率的影响,然后利用小麦光谱反射率的一阶微分得到小麦光谱反射率的红边位置和红边幅度参数,分析了水分胁迫对小麦光谱红边参数的影响,最后利用水分胁迫下的红边幅度和小麦产量的关系,阐述了小麦水分胁迫下的光谱反射率特征与小麦产量的关系。研究结果表明,水分胁迫下小麦的红边位置在生长期前期出现红边位置红移现象,生长期后期出现红边位置蓝移现象。水分胁迫下的小麦的红边幅度在不同的生长期表现出不同的变化特征：生长期初期随着水分胁迫的增加而红边幅度增大,生长期后期随着水分胁迫的增加而红边幅度减小。小麦的红边幅度在拔节生长期前与小麦产量呈负相关而拔节生长期之后呈正相关,且不同生长期小麦的红边幅度与小麦的产量的相关系数不同。     

PFN外壳注射工艺研究

依据PFN外壳功能及使用要求,从材料选择、产品设计、成型工艺及PFN整件性能检测等诸方面简要论述了以注射工艺取代灌注工艺生产PFN外壳的工艺方法。     

可溶液处理镓萘酞菁酰亚胺类电子受体材料合成与表征

设计、合成了5个酰亚胺镓萘酞菁电子受体(Cl-GaNcTI、OH-GaNcTI、R₃SiO-GaNcTI、F₅PhO-GaNcTI和QLO-GaNcTI),并将其作为受体材料应用于制备体相异质结有机太阳能电池。在波长300～1100 nm范围内,5种受体材料具有较强的近红外吸收,最大消光系数高达6.18×10⁵ L/(mol·cm),较低的最低未占据分子轨道(LUMO)能级(-3.9 eV)和良好的热稳定性(热分解温度Td>320℃),在萘酞菁轴向上引入长链取代基能够有效地减弱分子聚集性,均可用作体相异质结有机太阳能电池的受体材料。     

光外注入改善RoF系统多通道传输性能

文章基于半导体激光器速率方程,采用小信号分析模型获得了光外注入激光光源的调制特性表达式;根据调制特性表达式编写了仿真软件Optiwave System的Matlab元件,然后将其作为外注入光源应用到直接调制的多通道传输仿真模型中,用于评估光外注入方法对RoF(光载无线电)通信系统的多通道传输性能的影响。仿真结果表明,光外注入方法有利于减小互调失真的干扰,相对于无外注入的情况,系统传输性能有所改善,且对突破激光器驰豫振荡频率以上的多通道微波信号有更明显的作用。     

关联规则及其在石油期货价格预测中的应用研究

针对Apriori算法及其变种的不足,提出了一种基于支持度计数矩阵和事务数据库布尔矩阵的新算法,利用此算法挖掘石油期货价格历史数据中的频繁项集,根据给定的最小支持度和最小置信度从挖掘结果产生关联规则,对关联规则在石油期货价格预测中的应用进行了探索,并提出了进一步的研究方向.     

离散广义Emden-Fowler方程边值问题的多解存在性

应用临界点理论,获得了一类离散广义Emden-Fowler方程边值问题存在多个解的条件.     

S波段3.3 MW脉冲磁控管的可靠性技术研究

在S波段3.3 MW脉冲磁控管研制过程中,连续多支磁控管在工作比为1.05‰的条件下工作不足100 h,阳极端盖出现明显的氧化现象,经分析轴向电子轰击端盖产生局部高温是引起磁控管阳极端盖氧化的一个重要原因。本文对阴极发射体端部结构进行改进,仿真分析及实验结果证明了改进后的结构可实现对轴向电子的有效抑制。改进后的磁控管在脉冲电压为47.5 kV、脉冲电流为120 A、脉冲宽度为4.2μs、工作比为1.2‰的条件下,输出脉冲功率大于3.3 MW,磁控管已稳定工作超300 h,阳极端盖无氧化现象发生。实验结果为进一步提升磁控管技术性能及推广应用打下了良好基础。