镧掺杂BiGaO3多晶薄膜光学性质

采用溶胶-凝胶技术在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了不同镧掺杂浓度BiGaO_3(Lx BGO,0≤x≤0.1)薄膜.X-射线衍射(XRD)表明该属于正交晶系的多晶薄膜,原子力显微镜(AFM)图像显示样品表面具有很好的平整性.采用椭圆偏振技术对其光学性质进行了详细的研究,发现其光学常数符合Adachi色散模型.进一步发现其禁带宽度随着镧掺杂浓度的增加而增加,该规律与理论预言相吻合.有关LxBGO材料的研究为铋基光电器件如紫外探测器的实现提供物理基础支持.     

非对称In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱的零场自旋分裂能与高场g因子

我们研究了非对称In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As量子阱中二维电子气的磁输运性质,所测量的样品的径向磁阻Rxx的Shubinikov-de Haas振荡没有呈现出拍频的特征。通过测量样品的弱局域效应提取了其零场自旋分裂能并通过对自旋分裂的Rxx双峰间距随倾斜角度theta的依赖关系的拟合提取了高场下的有效g因子。样品的Dingle plot图呈现非线性和特征,这可以归因于来自样品衬底附近的掺杂Be原子的长程势散射效应。     

HgCdTe薄膜的输运特性及其应力调控

窄禁带直接带隙半导体材料碲镉汞(Hg1–xCdxTe)是一种在红外探测与自旋轨道耦合效应基础研究方面都具有重要应用意义的材料.本文对单晶生长的体材料Hg0.851Cd0.149Te进行阳极氧化以形成表面反型层,将样品粘贴在压电陶瓷上减薄后进行磁输运测试,在压电陶瓷未加电压时观察到了明显的SdH振荡效应.对填充因子与磁场倒数进行线性拟合,获得样品反型层二维电子气的载流子浓度为ns=1.25×10^16m^-2.在不同磁场下,利用压电陶瓷对样品进行应力调控,观测到具有不同特征的现象,分析应是样品中存在二维电子气与体材料两个导电通道.零磁场下体材料主导的电阻的变化应来源于应力导致的带隙的改变;而高场下产生类振荡现象的原因应为应力导致的二维电子气能级的分裂.     

双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究

研究了基于InP基的In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubnikov-deHaas(SdH)振荡效应和霍耳效应,通过对纵向磁电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,获得了各子带电子的浓度,并因此求得了各子带能级相对于费米能级的位置.联立求解Schrdinger方程和Poisson方程,自洽计算了样品的导带形状、载流子浓度分布以及各子带能级和费米能级位置.理论计算和实验结果很好符合.实验和理论计算均表明,势垒层的掺杂电子几乎全部转移到了量子阱中,转移率在95%以上.     

Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的导带电子有效质量

根据Hg_(1-x)Cd_xTe本征吸收光谱拟合计算获得的能带参数,利用Kane模型得到导带底电子有效质量的计算公式:(m_0~*/m_0)=0.05966E_g(E_g 1)/(E_g 0.667)。再根据(m~*/m_0)=(m_0~*/m_0)((1 8P~2K~2)/3E_g~2)~(1/2),可以计算波矢为k处的导带电子有效质量,计算结果与实验结果符合较好。     

p-HgCdTe反型层中的子能带色散关系和Landau能级

本文从Kane模型出发并考虑表面自旋轨道相互作用,推出了窄禁带半导体子能带色散关系和Landau能级的表达式,并在4.2K下对p-HgCdTe MIS结构样品测定了电容电压谱、磁导振荡谱和迴旋共振谱,从实验上确定了子能带色散关系和Landau能级表达式中所包括的子能带参数和自旋轨道祸合强度,从而定量地给出HgCdTe反型层电子子能带色散关系和Landau能级扇形图;定量描述了零场分裂效应和Landau能级的移动和交叉效应。     

LB法制备的P(VDF TrFE)共聚物薄膜其光学和电学特性研究

运用郎缪尔布尔吉特法在聚酰亚胺衬底上制备聚偏氟乙烯及三氟乙烯(P(VDFTrFE))共聚物薄膜.不同厚度薄膜的X射线衍射结果表明,薄膜具有良好的结晶特性,取向为（110）.运用波长范围为300~1300nm的椭圆偏振光谱仪对薄膜光学特性进行了表征;运用Cauchy模型对不同角度（θ=75°和85°）测得的Ψ 和 Δ数据进行了拟合.获得了P(VDFTrFE)薄膜的光学参数n, k, α以及薄膜的厚度.另外对薄膜的铁电性质的测量,其剩余极化达到了6.3μC/cm2, 矫顽电场为100MV/cm.介电测量得到了薄膜两个明显的相变,铁电介电相变以及β弛豫.     

汞压对液相对延（Hg,Cd）Te的液相线及组份的影响

Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延薄膜的质量与生长过程中的汞压有关。根据缔合溶液模型及理论，计算了汞压不平衡时液相点温度移动及组份的变化，并就液相外延的生长条件进行了分析。     

CdZnTe晶片中Te沉淀相的观察与研究

用透射电子显微镜、红外显微镜、红外光谱及差示扫描量热法观察研究了ＣｄＺｎＴｅ晶体中的Ｔｅ沉淀相．讨论了ＣｄＺｎＴｅ晶体中的Ｔｅ沉淀／夹杂的成因和区别，及其对红外透射比的影响；ＣｄＺｎＴｅ晶体的红外透射光谱和差示扫描量热法结果表明，当晶体中Ｔｅ沉淀相含量（ｗＴｅ）大于０．６ｗｔ％时，其红外透射比低于５５％，并随ｗＴｅ值的增大而下降；此结果可用Ⅱ－Ⅵ族半导体价带内光吸收机制解释．     

HgMnTe磁性二维电子气自旋-轨道和交换相互作用研究

通过分析不同温度下HgMnTe磁性二维电子气Shubnikov-de Hass（SdH）振荡的拍频现象，研究了量子阱中电子自旋 轨道相互作用和spd交换相互作用.结果表明：（1）在零磁场下，电子的自旋 轨道相互作用导致电子发生零场自旋分裂；（2）在弱磁场下，电子的自旋-轨道相互作用占主导地位，并受Landau分裂和Zeeman分裂的影响，电子的自旋分裂随磁场增加而减小；（3）在高磁场下，电子的spd交换相互作用达到饱和，电子的自旋分裂主要表现为Zeeman分裂.实验证明了当电子的Zeeman分裂能量与零场 关键词： 磁性二维电子气 Zeeman分裂 Rashba自旋分裂