PHOTOLUMINESCENCE STUDY ON Hg1-xCdxTe THIN FILM IMPLANTED WITH As ION

Photoluminescence spectra of a series of MBE-grown Hg_1-xCd_xTe samples with the same mole fraction of about x≈0.39 have been measured at different temperatures from 5 to 100 K. By aid of the temperature and exciting laser power dependence of photoluminescence peak energy and relative intensity, as well as of the comparison with other measurements, four main structures dominating in the photoluminescence spectra are attributed to band to band, D^oX, A^oX and D^oA^o transitions. A deep donor state level located at about 8.5meV below the bottom of the conduction band has been observed and is determined to be due to the arsenic-occupied mercury vacancies. Two acceptor levels located at about 14.5 meV and about 31.5 meV above the top of the valance band have also been found from the measuements, which are identified as the mercury vacancies and As in anion site, respectively.     

P型长波Hg_（1－x）Cd_xTe材料MBE生长技术研究

用分子束外延的方法在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上研制了Ｐ型长波ＨｇＣｄＴｅ材料，及３２×３２小规模长波混成红外焦平面列阵，其材料的均匀性以及生长材料的参数的可重复性良好．在适当的热处理条件下，材料Ｐ型电学参数达到了较高水平，并具有良好的可重复性     

STUDY OF MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH AND OPTICAL CHARACTERISTICS OF HgCdTe

HgCdTe epilayers were grown by molecular beam epitaxy on GaAs(211)B substrates. Process of the HgCdTe epitaxial growth can be monitored by reflection high-energy electron diffraction. Results of the infrared transmission spectrum, Raman scattering spectrum and infrared photoluminescence spectrum in magnetic field have been studied.     

p/p~+Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te液相外延层等离子体的红外反射光谱

本文报道了对具有高浓度衬底的P型Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te液相外延层(P-Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te/p~+-Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te),用红外光谱仪测量的实验反射光谱以及用解光导纳方程的方法所获得的计算反射光谱,然后用曲线拟合技术修改参数,使计算光谱与实验光谱一致,最后得出在这样的外延层中载流于浓度的分布具有如下形式:log P=az~2+bz+ c.P为载流子浓度,|z|为外延层内各截面到衬底之距离,a,b,c为常数且均大于零.     

HgTe／CdTe超晶格的分子束外延生长和电容－电压谱研究

在ｐ－型ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格材料上制作金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构．报道了ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格的分子束外延生长、器件制作和测量结果．研究表明，比较宽的ＣｄＴｅ势垒阻碍了少子（电子）到界面的迁移，在７７Ｋ强反型区域的低频电容不能达到绝缘层电容，类似于普通ＭＩＳ器件的高频Ｃ—Ｖ曲线．     

超晶格（CdTe－ZnTe）／ZnTe／GaAs（001）红外材料的X射线测定

用Ｘ射线衍射并结合Ｘ射线动力学衍射理论模型的计算机模拟方法，对简单和复杂两种结构的（ＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ）／ＺｎＴｅ／ＧａＡｓ（００１）应变超晶格材料的结构和完整性进行了研究，得到了它的结构参数．     

应用于THz辐射的ZnTe单晶生长及测试

利用Te溶剂方法生长出ZnTe单晶.经X射线衍射测试,发现晶锭中存在沿(110)晶向生长的大晶粒,可以切出10mm×10mm的单晶片.傅里叶红外变换光谱仪测得ZnTe晶体在2.5～20μm波段的红外透过率约为61%.通过测可见-红外波段的透射光谱,得出禁带宽度为2.24eV.利用飞秒激光作用在一块ZnTe单晶同时产生-探测THz脉冲,观察到0.18ps的THz辐射场分布,相应的频谱分布为5THz.     

(CdSe)_l(ZnSe)_3/ZnSe短周期超晶格多量子阱的共振Ramam谱

在(CdSe)_1(ZnSe)_3/ZnSe短周期超晶格多量子阱中,根据一维线性链模型计算的结果与实验结果的比较表明,我们在不同的共振条件下分别观察到了来自多量子阱的阱中和垒中ZnSe限制纵光学声子模的Raman散射。与GaAs/AlAs量子阱的偏振选择定则不同,在共振条件下,我们在两种偏振配置下都观察到了阱中ZnSe限制模LO_1,并认为这种不同可能来源于样品特殊的电子子带结构和光学声子行为。     

PbS分子束外延

本文介绍了一种自行设计的、能连续制备多层外延膜的简易分子束外延装置,并用此装置在Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te衬底上生长了PbS单晶薄膜。利用扫描电镜、X-射线分析,红外反射光谱等检测手段,对单晶膜的表面形态及结晶质量进行了观察和测试分析。     

利用分子束外延方法在GaAs衬底上制备CdTe单晶薄膜

利用分子束外延方法在国内首次在(100)GaAs衬底上可控制的获得了(100)和(111)两种晶向的CdTe外延层。X光的衍射结果表明外延层为单晶薄膜。光荧光的半峰宽为10meV左右。本文研究了生长条件对外延层晶向的影响。发现,GaAs衬底表面的平整度和洁净度是影响外延层晶向的两个关键因素。我们已在所得到的CdTe缓冲层上成功地生长出Hg_(1-x)Cd_xTe单晶薄膜。