高效利用利旧供水设备助力钢厂新区建设浅析

某钢铁厂现有水处理系统设备已连续运行多年,且设备档次及状况参差不齐。为降低新项目建设投资,全部利旧或全部不利旧都是不经济的行为,基于最大限度利旧现有设备和新建系统运行可靠原则,文章通过投资及运行成本最低的设计要求,充分考虑现有设备利旧,结合集成创新,降低设备投资,以期为相关行业人员提供参考。     

基于国产MCU的直流塑壳断路器控制系统设计

在国产化替代的大趋势下,该方案设计了一种基于国产32位微处理器HC32F460的直流塑壳断路器控制器。该方案所设计的通信接口可以兼容不同的通信总线,提高了接口通用性。在原有的三段保护特性之上,提出了逆电流保护的概念和相应算法。支持人机（按键、显示屏）灵活调节参数和档位,适用范围更广,弥补了传统热磁式断路器动作误差大,参数不可调节的缺点。同时也可以通过通信总线实现遥控、遥信、遥调、遥测“四遥”功能,实现远程控制。该设计在实现预期功能的同时,大幅度降低了成本,对未来分布式能源和直流配电网的发展具有重要意义。     

温度对碲镉汞光伏芯片Ⅰ-Ⅴ特性的影响

对室温工作的短波碲镉汞光伏芯片进行了步进温度烘烤实验.烘烤温度从60℃开始,步长为5℃,到120℃结束,每个温度下的烘烤时间一般为24 h.实验结果显示当烘烤温度达到95℃以上时,Ⅰ-Ⅴ测试结果中反偏部分的电流有明显增大.通过理论分析得到扩散电流和产生复合电流是实验芯片的主要电流机制;较高温度的烘烤在势垒区内产生大量的缺陷,从而降低芯片的少子寿命,使扩散电流增大;同时芯片表面钝化层内的缺陷数目也在温度作用下增加,引起芯片表面复合速度增加.     

软模板合成有序介孔碳材料

有序介孔碳材料由于其较大的表面积、均一的孔径、良好的热稳定性和化学稳定性,广泛应用于吸附、分离、催化以及能量储存等众多领域。与传统的以硅基介孔材料为硬模板的反向复制方法相比,通过嵌段共聚物和聚合物前驱体之间的有机-有机自组装的软模板法简便易行,已成为合成有序介孔碳材料有效方法。本论文综述了介孔碳材料的软模板合成机制、合成方法、功能化及其应用,对合成技术、结构控制、孔径调控以及形貌控制等方面进行了讨论,并探讨了其在吸附、催化、电极材料等领域的应用。     

轻量级激光雷达虚点滤波算法研究

基于时间飞行原理的机械式激光雷达,采用高频短时序多脉冲测量值的平均值作为目标距离值的方法,会造成目标物之间的点云数据中存在虚点的现象.为剔除虚点,分析了虚点深度与邻点距离之间的关系,提出了轻量级虚点识别公式,并在SICK Tim561激光雷达上完成了试验.试验结果表明:所提出方法能有效去除虚点,提高点云质量.     

无线传感器网络多跳路由协议研究

目的：无线传感器网络发展迅速,但传感器的高能耗问题成为制约其发展的主要瓶颈,高效节能的路由协议设计成为研究热点。方法：针对目前无线传感器网络常用的LEACH路由协议存在的簇首能耗过分集中、簇首分布不均衡问题,提出了改进的路由协议EEACRA,在总结、分析LEACH路由协议现有问题的基础上,给出了EEACRA路由协议的簇首选取门限值、簇首位置调整算法和基于能量代价最小的簇间多跳路由算法的实现方法,同时给出了具体的实现EEACRA协议的工作流程和关键算法。在MATLAB环境下对LEACH路由协议和EEACRA路由协议进行了仿真,对比了不同能耗降低措施对网络能耗降低的贡献。结果：仿真结果表明EEACRA路由协议的网络稳定期较LEACH路由协议有较大的改善。结论：证明了改进的路由协议EEACRA可以有效地提高网络的稳定期。     

斜入射激光等离子体堵口时空特性研究

在“星光II”上首次利用X光12分幅相机(XFC)成功地观测到了1.053 μm激光以45°方向斜入射孔靶和半腔靶等离子体堵口的时间和二维空间图象,获得了等离子体堵口速度,同时通过一维模型给出了斜入射条件下的等离子体堵口速度。实验结果表明：相同参数条件下半腔靶与孔靶相比,等离子体喷射速度高约15%。一维模型给出的等离子体喷射速度与XFC测出的等离子体喷射速度在实验误差范围内是一致的。     

电子跃迁引起的核激发和γ激光器

电子跃迁可能通过交换虚光子引起核的激发(NEET).本文讨论应用NEET将能量从外辐射场通过作为中间介质的原子传给原子核的可能性.首选给出了计算NEET几率的公式,重点讨论跃迁矩阵元和选择定则,计算了几个已有实验数据的核素的NEET几率.估算了NEET几率的上限值,它大约是10^－5讨论了应用NEET于γ激光器的条件及可能性.     

新题征展(9)

Ａ .题组新编1.已知函数 ｙ =3ｘ2 - ( 2ｍ 6 )ｘ ｍ 3,( 1)若其值域为Ｒ ,则实数ｍ的取值范围是(　　 ) ;( 2 )若其值域为Ｒ- ,则实数ｍ的取值范围是(　　 ) ;( 3)取值恒为非负数 ,则实数ｍ的取值范围是(　　 ) .备选答案 :(Ａ) {- 3,0 }　 (Ｂ) [- 3,0 ](Ｃ) ( - 3,0 )     

夹持方式和加工误差对大口径薄型KDP晶体附加面形的影响

惯性约束聚变频率转换系统中,大口径薄型KDP晶体的面形质量是影响频率转换效率能否达到设计要求的关键因素之一。针对45放置状态下口径为400 mm400 mm的三倍频KDP晶体,采用ANSYS有限元分析软件,建立了不同夹持方式和具有不同加工误差的KDP晶体模型和夹具模型,分析了加工误差对不同夹持方式下KDP晶体附加面形的影响,给出了不同加工误差和不同夹持情况下,KDP晶体附加面形的P-V值和RMS值。研究结果表明,夹持方式和加工误差是引起KDP晶体附加面形变化的重要因素,正面压条夹持方式即使在晶体和夹具存在加工误差时也可以较好地控制晶体的附加面形。