基于EW-AHP模型的化工企业安全评价研究

采用熵权-层次分析法构建了以人、物、管理、环境四个因素为基础的化工企业安全评价指标体系,找出影响企业安全运行的因素和权重,并对有关因素进行排序,以得到比较精确的数值来反映企业的现状安全水平.以熵权-层次分析法对我国某涂料企业进行安全现状研究.结果表明:EW-AHP安全评价模型消除了主观因素和客观因素的不足;影响企业安全运行的主要因素是隐患排查治理、安全警示教育及人员安全意识;安全得分在86～87之间,处于较安全等级水平,与企业的实际相符.     

腔靶X射线辐射对称特性实验观测

在“神光”装置上用两种特殊结构的实验靶型,通过两个不同方位的诊断孔观测腔内壁Ｘ光再辐射的空间能谱结构和Ｘ光辐射总量,分别研究了与激光第一打击面完全对称和不对称的腔内壁（两个被观测位置相差９０°）Ｘ光辐射能谱和辐射能量的对称性,并对测量结果进行了简要的分析讨论．     

对导体棒在匀强磁场中极限速度的讨论

在中学物理教材中有这么一类变加速的问题, 定性判断的结果是物体最终要做匀速运动, 但是在通过 对导体棒在磁场中运动情况进行严密的数学推导后得出了一个和常规理解不同的结论: 匀强磁场中切割磁感线的 导体棒有可能无法达到匀速的状态,对这一熟知的结论进行了修正, 并且将该结论推广到高中其他类似的问题模 型中去, 比如在机车启动中的极限速度问题     

光子集成射频自干扰消除系统性能仿真分析

针对全双工通信系统设计了光子集成射频自干扰消除功能芯片.该芯片采用相位调制将射频信号转换至光域,在光域内进行光载射频信号的幅相调控以实现干扰对消功能.对功能芯片中主要功能单元进行优化设计后,延时调谐范围为0～10ps,30GHz带宽内的延时抖动小于0.1ps;滤波响应阻带抑制度为36.5dB,通带带宽为60.6GHz,边沿陡峭度为9.2dB/GHz.建立了光子集成芯片射频自干扰消除系统的理论模型,对功能芯片中可调光延时线、可调光衰减器及滤波器等引入的延时、幅度不匹配对系统消除性能的影响进行了仿真分析.结果表明,幅度失配量为0.02dB时,2GHz带宽信号下系统抑制度为-42.7dB;延时抖动为0.07ps时,2GHz带宽信号下系统的抑制度为-37dB.研究结果可为光子集成射频干扰抑制功能芯片的研制提供参考.     

自旋为1/2的XY模型亚铁磁棱型链的物性和有序-无序竞争

利用不变本征算符法, 计算低温下自旋为1/2的XY模型一维亚铁磁棱型链系统的元激发谱, 讨论在此系统中不同的特殊情形下的元激发能量, 从而给出体系的三个临界磁场强度的解析解H_C1, H_C2, H_peak. 分析不同外磁场下 体系的磁化强度随温度的变化规律, 发现三个临界磁场强度的解析解H_C1, H_C2, H_peak是正确的, 并从三个元激发对磁化强度的贡献进行了说明. 低温下磁化强度随外磁场的变化呈现1/3磁化平台. 体系的磁化率随温度或者外磁场的变化都出现了双峰现象. 这说明双峰源于二聚体分子内电子自旋平行排列的铁磁交换作 用能和二聚体与单基体分子间电子自旋反平行排列的反铁磁交换作用能, 热无序能, 外磁场强度相关的自旋磁矩势能之间的竞争.     

气体放电等离子体参数测量仪的优化和改进

气体放电等离子体参数的研究实验是近代物理实验教学大纲基本要求的实验,该实验仪器存在很多问题,如放电不稳定,无法准确读取实验数据,复杂的数据处理过程等。对气体放电等离子体参数测量仪进行改造,制备封闭的稳定的放电管,改进测量电路,对仪器外观重新优化设计。从而改善实验测量的精度与准确度,提高实验效率,并能拓展实验内容。     

综合业务令牌环网的研究与开发

综合业务局部网络是局部网络技术的发展趋势。本文介绍一种综合业务令牌环网的总体设计,并给出了这一研究开发工作中取得的部分成果,从而向读者展示了一个初级的综合业务局部网络。     

全集成连续时间滤波器研究的进展

全集成连续时间滤波器是近年来模拟VLSI技术取得最重要进展的领域之一,也是当今国际上的前沿课题。它的诞生向传统的连续时间信号处理技术开关电容技术和数字滤波技术提出了强有力的挑战。本文综述了这一研究领域的发展现状;评述了近年来的新进展;指出了有关的研究课题,并展望了这一研究领域的发展和应用前景。     

纳米加工和纳米电子器件

介绍了电子束曝光技术、EUV光刻技术和X射线光刻技术的进展;对各种纳米电子器件如单电子器件、共振隧穿器件和分子电子器件的研究现状及面临的主要挑战进行了讨论。     

电流密度对光电化学腐蚀宏孔硅阵列形貌的影响

宏孔硅阵列(MSA)在光子晶体、硅微通道板、MEMS 器件等领域应用前景广阔,引起人们广泛关注。为制备理想的MSA结构,本文开展了MSA光电化学方法腐蚀实验,重点研究了腐蚀电流密度对宏孔形貌的影响。给出了n型硅抛光片背面光照情况下在氢氟酸溶液中的电流-电压扫描曲线,讨论了临界电流密度JPS的意义和MSA稳定生长的基本电流密度条件。提出了一种间接地测量JPS与腐蚀时间关系的方法,并根据JPS的测量结果调整腐蚀电流,实现了理想的MSA等径生长,制备出孔深度为295m,长径比为98的MSA结构。