叶片扩压器进口安装角对离心压缩机性能影响的数值与实验研究

对不同扩压器进口安装角下离心压缩机的性能进行了实验研究,并详细计算分析了相应的流场分布。分析表明, 不同的进口安装角对压缩机的流动有较大的影响,压缩机的性能曲线也有不同程度的左右偏移;进口处较大的正冲角和负冲角均会在扩压器叶片表面出现大尺度的分离涡团;在给定的流量工况下,应存在一个最佳的进口安装角,使得扩压器效率最高;设计工况下,最高效率所对应的冲角并非为零。     

分级进风燃烧室内高温气固两相流动的PDA测量

本文建立了分级进风燃烧室高温气固两相流动的实验装置。利用三维激光粒子动态分析仪(PDA),测量了燃烧室内有气相燃烧的高温气固流动的两相瞬时速度场。得到了平均轴向与切向速度、轴向与切向脉动速度均方根值和轴向-切向脉动速度关联量的分布。     

高效利用利旧供水设备助力钢厂新区建设浅析

某钢铁厂现有水处理系统设备已连续运行多年,且设备档次及状况参差不齐。为降低新项目建设投资,全部利旧或全部不利旧都是不经济的行为,基于最大限度利旧现有设备和新建系统运行可靠原则,文章通过投资及运行成本最低的设计要求,充分考虑现有设备利旧,结合集成创新,降低设备投资,以期为相关行业人员提供参考。     

OCS分子在128 nm附近的光解动力学研究：S(3PJ=2,1,0)、S(1D2)以及S(1S0)产物通道

本文利用时间切片离子成像技术对OCS分子进行了真空紫外波段的光解动力学研究. 在四个光解光波长(从129.32到126.08 nm)下测量了硫原子解离产物S(³P_J=2,1,0)、S(¹D₂)、S(¹S₀)的速度影像,并从中清晰地发现了四个主要的解离产物通道：S(³P_J=2,1,0)+CO(X¹Σ⁺),S(³P_J=2,1,0)+CO(A³π),S(¹D₂)+CO(X¹Σ⁺)和S(¹S₀)+CO(X¹Σ⁺). 在实验影像中,产物CO分子的部分振动态结构能够得到分辨. 实验还获取解离产物总平动能谱,产物分支比和角分布. 对实验结果进行分析显示除绝热解离通道S(³P_J=2,1,0)+CO(A³π)之外,在其他三个产物通道中非绝热效应都起到非常重要的作用.     

OCS经由F 31Π里德堡态生成CO(X1Σ+)+S(1D2)产物的波长相关性光解离

本文利用时间切片离子速度成像技术在134∽140 nm波段研究了OCS分子经由F 3¹Π里德堡态的真空紫外光解离动力学. 在选取的5个分别对应OCS(F 3¹Π, v₁=0∽4)的伸缩振动激发的光解波长,实验测得了来自CO(X¹Σ⁺)+S(¹D₂)产物通道的SS(¹D₂))实验影像,并获得了总平动能谱和CO(X¹Σ⁺, v)共生产物的振动布居及角分布. 结果分析表明OCS分子解离生成CO(X¹Σ⁺)+S(¹D₂)产物的过程经历了上态F 3¹Π 与C_?v和C_s构型的下电子态间非绝热耦合过程. 实验结果显示了很强的波长相关性：OCS (F 3¹Π, v₁)的较低转动激发态(v₁=0∽2)和较高转动激发态(v₁=3, 4)的CO(X¹Σ⁺)产物的振动布居和角分布具有显著差异,表明该解离过程中具有不同的解离机理. 本结果提供了振动耦合可能对真空紫外光解离动力学产生关键作用的相关证据.     

基于国产MCU的直流塑壳断路器控制系统设计

在国产化替代的大趋势下,该方案设计了一种基于国产32位微处理器HC32F460的直流塑壳断路器控制器。该方案所设计的通信接口可以兼容不同的通信总线,提高了接口通用性。在原有的三段保护特性之上,提出了逆电流保护的概念和相应算法。支持人机（按键、显示屏）灵活调节参数和档位,适用范围更广,弥补了传统热磁式断路器动作误差大,参数不可调节的缺点。同时也可以通过通信总线实现遥控、遥信、遥调、遥测“四遥”功能,实现远程控制。该设计在实现预期功能的同时,大幅度降低了成本,对未来分布式能源和直流配电网的发展具有重要意义。     

温度对碲镉汞光伏芯片Ⅰ-Ⅴ特性的影响

对室温工作的短波碲镉汞光伏芯片进行了步进温度烘烤实验.烘烤温度从60℃开始,步长为5℃,到120℃结束,每个温度下的烘烤时间一般为24 h.实验结果显示当烘烤温度达到95℃以上时,Ⅰ-Ⅴ测试结果中反偏部分的电流有明显增大.通过理论分析得到扩散电流和产生复合电流是实验芯片的主要电流机制;较高温度的烘烤在势垒区内产生大量的缺陷,从而降低芯片的少子寿命,使扩散电流增大;同时芯片表面钝化层内的缺陷数目也在温度作用下增加,引起芯片表面复合速度增加.     

过渡金属络合物成键本质分析的常用方法

过渡金属络合物中过渡金属与配体间所形成的化学键的成键本质,可以在理论化学基础上,采用定量的方法进行分析。本文重点以铁羰基络合物为例,对常用的分析方法,如自然键轨道方法(NBO)、电荷分解分析(CDA)、分子中的原子(AIM)拓扑分析方法以及ETS和EDA能量分解方法等,在应用中的优缺点进行了分析和评述。借助于这些方法提供的电荷、能量和电子密度等配分项可以深刻认识和理解过渡金属-配体间形成的化学键的成键本质。     

激光晶化制备多晶硅薄膜技术

激光晶化是一种制作晶硅薄膜器件(如薄膜晶体管、太阳能电池)很有效的技术.展望了低温多晶硅薄膜的应用前景,详细介绍了近几年激光晶化制备多晶硅薄膜技术的研究成果,并就激光对非晶硅作用的原理作了简单讨论.