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采用温和的化学表面改性和自组装方法成功制备了埃洛石纳米管负载salen钼(HNTs-SL-Mo)催化剂,运用透射电镜、X射线衍射、红外光谱、诱导偶合等离子体谱和X射线光电子能谱表征了催化剂的形态、大小和分散性等性质。结果证明了salen结构的存在和埃洛石配位钼催化剂的成功制备。制备的催化剂在各种烯烃的环氧化反应中均有很好的活性,且活性高于均相催化剂。对比实验表明,在固定MoO(O2)2(DMF)2时, salen结构发挥了重要作用,不能用N原子作为单一配体来代替。本文还推测了钼和salen配体可能的连接方式和该催化剂催化烯烃环氧化反应的机理。该催化剂在重复使用8次后其活性未见明显下降,表现出优异的重复使用性能。由于埃洛石是一种廉价易得的材料,因此它可为设计效果独特的催化剂提供一个选择。 相似文献
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基于双通路跨导运放的电压模DC/DC片内频率补偿电路 总被引:2,自引:2,他引:0
提出了一种新颖的电压模DC/DC频率补偿电路. 通过在内部跨导运放的两条小信号通路中构造阻容网络,此电路能够产生双零点以实现环路高稳定性. 由于其结构简单,易于完全集成,因此有效地减少了外围应用器件数目及印制板面积. 同时, 通过对跨导运放的优化设计进一步提高环路瞬态响应性能. 采用此电路的一款电压模DC/DC转换器已在一0.5 μm CMOS 工艺线投片,测试结果表明环路稳定性良好, 负载调整率及线性调整率均小于0.3%, 400 mA负载阶跃对应输出电压响应时间小于15 μs, 同时补偿器件面积小于裸片面积的2%, 印制板面积减小了11%. 整个芯片的效率高达95%. 相似文献
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为了防止在液晶显示面板上发生闪烁和减小栅驱动器的馈通现象,设计了一种基于升压型DC-DC和电荷泵的用于TFT-LCD液品显示的片内门宽调制控制器.该控制器能减小液品显示功耗,减少栅走线和液晶面板之间的耦合效应,其输出延时可调并输入到栅驱动器中,从而避免液晶显示设备错误的显示.采用该门宽调制器的基于电流模PWM升压型DC-DC和电荷泵的芯片已在UMC 0.6μm BCD工艺线投片,DC-DC的效率高达93%,可调电荷泵输出电压为10~30V,测试结果证明该门宽调制控制器电路工作良好,其面积为0.3mm2,静态电流小于1μA. 相似文献
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设计了一种采用双重自适应补偿的两级结构LDO线性稳压器,该补偿技术能够产生两个随负载变化的零点以抵消不同负载条件下的极点变化带来的影响,从而保证系统的稳定性. 与传统的设计方法相比,该补偿方法几乎不消耗电流,文中设计的LDO静态电流小于1μA,并且采用折返式电流限制,减小了芯片的功耗. 采用该双重自适应补偿的LDO已在Hynix 0.5μm CMOS工艺线投片,当负载电流为300mA时,漏失电压为150mV,线性调整率为2mV/V,负载调整率为0.75%.测试结果表明,采用该双重自适应补偿结构的LDO工作良好. 相似文献
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很多网民都知道这样一句话:“在互联网上,没有人知道你是一条狗”。这句话是美国著名杂志《纽约客》(New Yorker)上一幅漫画的标题,作者是彼得·斯坦纳,他于1993年创作了一幅漫画--一条狗坐在电脑前通过敲击键盘与另外一条坐在电脑前的狗交谈,漫画的标题就是上面这句话,这句话的意思是说,因为网络的虚拟性和隐匿性,别人无法知道你是谁。随着互联网的迅速普及,这句话也以惊人的速度传播到了网络世界的每一个角落。然而,时过境迁,基于网络技术的飞速发展,出于商业或管制等各种目的而想方设法了解“你到底是谁”的个人和组织与日俱增。可以毫不危言耸听地讲,眼下,在互联网上,每个人都知道你是一条狗。大数据的广泛应用,使得网络世界真正成为了现实世界在互联网上的一种延续。 相似文献
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采用温和的化学表面改性和自组装方法成功制备了埃洛石纳米管负载salen钼(HNTs-SL-Mo)催化剂,运用透射电镜、X射线衍射、红外光谱、诱导偶合等离子体谱和X射线光电子能谱表征了催化剂的形态、大小和分散性等性质。结果证明了salen结构的存在和埃洛石配位钼催化剂的成功制备。制备的催化剂在各种烯烃的环氧化反应中均有很好的活性,且活性高于均相催化剂。对比实验表明,在固定MoO(O2)2(DMF)2时, salen结构发挥了重要作用,不能用N原子作为单一配体来代替。本文还推测了钼和salen配体可能的连接方式和该催化剂催化烯烃环氧化反应的机理。该催化剂在重复使用8次后其活性未见明显下降,表现出优异的重复使用性能。由于埃洛石是一种廉价易得的材料,因此它可为设计效果独特的催化剂提供一个选择。 相似文献
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This paper presents a novel driving circuit for the high-side switch of high voltage buck regulators.A 40 V P-channel lateral double-diffused metal–oxide–semiconductor device whose drain–source and drain–gate can resist high voltage, but whose source–gate must be less than 5 V, is used as the high-side switch. The proposed driving circuit provides a stable and accurate 5 V driving voltage for protecting the high-side switch from breakdown and achieving low on-resistance and simple loop stability design. Furthermore, the driving circuit with excellent driving capability decreases the switching loss and dead time is also developed to reduce the shoot-through current loss. Therefore, power efficiency is greatly improved. An asynchronous buck regulator with the proposed technique has been successfully fabricated by a 0.35 m CDMOS technology. From the results, compared with the accuracy of16.38% of the driving voltage in conventional design, a high accuracy of 1.38% is achieved in this work. Moreover,power efficiency is up to 95% at 12 V input and 5 V output. 相似文献