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61.
以矩量法(MOM)求解出的多天线--散射体系统中散射体的面电流为基础,研究了面电流彩色云图的生成方法,它包括面单元(三角形、四边形)离散、面单元内电流的插值计算、电流数值与颜色的映射、云图的生成与动态显示.为达到对云图精度的控制以及能产生质量好的离散元,提出了质心--中点法;针对四边形单元内电流的插值,推导出一组双线性插值计算式;考虑到面电流数值小的特点,通过对电流值取对教建立了电流数值与颜色的映射;基于通用图形平台和AVI技术,实现了云图的动态显示.实践表明,文中给出的方法能反映出面电流的分布以及随时间变化的情况,具有满意的可视化效果. 相似文献
62.
为了分析屏蔽电缆在电磁脉冲作用下的时域响应,对基于最小相位法的频域等效方法进行了研究。首先,通过建立转移阻抗测试系统的电路模型,推导系统的频域传递函数,并验证其为最小相位系统与全通系统的级联;其次,采用最小相位法,对测得的幅频曲线进行相位重构,根据推导的传递函数的零、极点分布,对重构的最小相位传递函数进行相位补偿;最后,将补偿后的传递函数与瞬态干扰信号在频域相乘后变换到时域,得到了屏蔽电缆的时域响应。仿真及实验结果验证了该方法的有效性。 相似文献
63.
64.
基于空间映射及遗传算法的车载天线优化配置 总被引:2,自引:2,他引:0
车载天线间干扰十分严重,不能采用普通的电磁兼容方法进行干扰抑制,只能通过合理的天线布局优化来降低干扰.工程中多采用简单的数学模型结合测试的方法来进行车载天线布局设计,效率低又不够精确.基于矩量法的车载天线耦合的数学模型,并在此基础上结合实际装车的特点提出了车载天线布局优化的目标函数,详细讨论了如何利用空间映射算法和遗传算法实现车载天线布局的优化配置,既兼顾精度和效率,又为实际工程提供了理论上的依据.经过实际测试验证,这种方法是行之有效的. 相似文献
65.
Ge/Si吸收区-电荷区-倍增区分离(SACM)结构的APD作为一种新型光电探测器已成为硅基APD器件研究的重点.对SACM Ge/Si型APD器件的基本结构及其主要特性参数,包括量子效率、响应度、暗电流等进行了理论分析及仿真验证.实验结果表明:在给定的器件参数条件下,所设计的APD器件的雪崩击穿电压为25.7 V,最大内部量子效率为91%,单位增益下响应度峰值为0.55 A/W,在750~1 500 nm范围内具有较高响应度,其峰值波长为1 050 nm;在高偏压以及高光照强度情况下,倍增区发生空间电荷效应从而导致增益降低. 相似文献
66.
设计了一种的低成本、低功耗的10 Gb/s光接收机全差跨阻前置放大电路。该电路由跨阻放大器、限幅放大器和输出缓冲电路组成,其可将微弱的光电流信号转换为摆幅为400 mVpp的差分电压信号。该全差分前置放大电路采用0.18 m CMOS工艺进行设计,当光电二极管电容为250 fF时,该光接收机前置放大电路的跨阻增益为92 dB,-3 dB带宽为7.9 GHz,平均等效输入噪声电流谱密度约为23 pA/(0~8 GHz)。该电路采用电源电压为1.8 V时,跨阻放大器功耗为28 mW,限幅放大器功耗为80 mW,输出缓冲器功耗为40 mW,其芯片面积为800 m1 700 m。 相似文献
67.
68.
发射机房监控系统实用性改造 总被引:1,自引:1,他引:0
随着电视节目套数不断增多,监控系统在安全播出中的作用越来越大.介绍了本台电视发射机房在对信号监控系统的改造中,采用了一系列行之有效的方法和创新思路,不仅实现了控制室电源自动倒换和信号自动切换,同时也实现了信号故障自动报警.不仅利用了原有系统资源,节约了成本,锻炼了队伍,确保了安全,而且大大减轻了值班人员的劳动强度,并为发射机房下一步整体搬迁388 m新塔提供了直接的经验. 相似文献
69.
提出了一种基于TSMC0.18μm CMOS工艺的低噪声、低功耗的10Gb/s光通信接收机跨阻前置放大器(TIA)的设计。该TIA电路采用具有低输入阻抗的RGC(regulated cascode)结构作为输入级。同时,采用电感并联峰化和容性退化技术扩展TIA电路的带宽。当光电二极管电容为250fF时,该电路的-3dB带宽为9.2GHz,跨阻增益为57.6dBΩ,平均等效输入噪声电流谱密度约为16.5pA/(Hz)(1/2)(0~10GHz),电路的群时延为±20ps。在1.8V单电源供电时,功耗为26mV。 相似文献
70.
采用标准的0.18μmCMOS工艺,设计了一种新型的应用于可见光通信系统的雪崩光电二极管(APD).相较于传统的CMOS APD,该器件在深n阱/p衬底的结构基础上增加一层p阱,再在其上分别离子注入一层n+/p+层作为器件的雪崩击穿层,并且采用STI结构来防止器件边缘过早击穿.仿真结果表明,器件的雪崩击穿电压为9.9 V,暗电流为1×10-12 A,3 dB带宽为5.9 GHz,响应度为1.2 A/W.由于STI保护环和短接深n阱/p衬底的结构设计,器件暗电流较传统结构CMOS APD降低了 2个量级,且带宽提高了约10%. 相似文献