基于TMS320C6678的多核DSP上电加载技术

对于多核DSP应用技术来说,BootLoad技术是一个关键点,也是应用难点之一。针对8核高性能DSP--TMS320C6678的根配置问题进行了研究,包括上电加载过程,单核和多核的emif NOR-FLASH存储器的映像文件的产生,二级加载器的编写和FLASH编程器的构成等。其中,关键是在多核映像文件中,将辅助核的入口地址作为特殊数据来处理,使其他核触发更容易,这也是其他文献未涉及的。该项技术已经用在某图像处理系统中。     

日新月异的毫米波和太赫兹成像技术

波长为太赫兹(兆兆赫兹,1012)的射线提供了一种安全、无电离作用的解决方案,能处理对出入机场和穿过国境线的旅客检查问题。     

基于并行均衡框架的Turbo均衡

为了解决在Turbo均衡中由迭代引起的均衡延迟问题,两种分别对应于最大后验概率(MAP)和线性最小均方误差(LMMSE)均衡算法的并行均衡方案被提出。通过理论分析、仿真验证以及最后的硬件实现复杂度的分析研究表明,对于上述两种并行均衡方案,可以保证在小的硬件实现复杂度开销以及几乎没有性能损失的前提下,大大降低其均衡延迟。     

Turbo码的一种并行译码方案及相应的并行结构交织器研究

Turbo码基于MAP算法译码的递推计算所引入高的译码延迟限制了Turbo码在高速率数据传输中的应用。为了解决这个问题,该文提供了一种降低译码延迟的并行译码方法。并行处理方案的实现必须通过适当的交织以避免两个译码器对外信息读写的数据冲突。该文在分析了任意无冲突交织方式可能性的存在之后,给出了设计任意地适用于并行处理方案的S随机交织器的方法。仿真验证了并行译码方案的误比特性能。     

Laminar boundary layer between two planes perpendicular to each other

In this paper, we obtain a third-order approximate solution for the laminar boundary layer between two planes perpendicular to each other.In boundary layer equations, the viscous and the inertial terms have the same quantity step. In this paper, at first, supposing that the inertial terms are bigger than the viscous terms, we solve the boundary layer equations, and then we suppose that the viscous terms are bigger than the inertial terms. At last, we take the mean value as the valid solution of the boundary layer equations.The first- and the second-order approximate solutions obtained in this paper coincide with the results in ref. [1], while the third-order solution obtained in this paper is better than that in ref. [1].     

形成前处理对提高铝箔比容的影响

阳极氧化膜是电解电容器的工作介质，其质量的优劣直接影响着铝电解电容器的性能。若在形成前将腐蚀箔在７５℃左右的Ａ溶液（〔Ａ〕≈０．２ｍｏｌ／Ｌ）中浸泡约１０ｍｉｎ，然后在５７０℃左右热处理３ｈ，阳极氧化膜的结构与性能将得到改善，铝箔比容可提高２５％～５０％，而形成电能降低３０％～５０％，从而可有效提高形成效率。     

例谈“体验式学习”在数学定理教学中的应用

体验式学习就是强调以学生为主体的参与与体验,让学生在经历活动中体验,在观察与反思中体验,在归纳与抽象中体验,让思维活动在体验中循环反复,发展数学核心素养.本文中以“三角形全等的判定5”一课的教学为例,实践了体验式学习在数学定理教学中的应用.     

平行平板间径向气流的 Navier-Stokes 方程的新的近似解

文献[1]得到了两平行平板间径向气流的 Navier-Stokes 方程的近似解——迭代近似解和级数解。用迭代法求得压力二级近似解,与实验十分符合。本文指出,用М.Е.Щвец法亦可得到与文献完全相同的结果.如果用本文新提出的改进了的М.Е.Щвец法,则可得到比[1]更加精确(这主要反映在流速分布的规律上)的结果。文中指出,按照原М.Е.Щвец法,求一级近似解时,忽略的是一阶微量;而按本文新提出的改进了的М.Е.Щвец法,略去的是二阶微量,这就是本文结果较文献[1]的结果更加准确的理论根据。     

Al_xGa_（1－x）As／GaAs价带偏移的理论计算

ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ合金型异质结价带偏移的研究中，采用以平均键能为参考能级的ΔＥｖ理论计算方法，得到ΔＥｖ（ｘ）＝０．５３１ｘ＋０．００１ｘ２的理论计算结果．该计算结果与目前的一些实验结果符合较好．     

Si－GaAs（001）异质界面的价带不连续性及其应变效应

本文应用平均键能理化和形变势方法对理想的Ｓｉ－ＧａＡｓ（００１）异质界面的价带不连续性进行了理论确定，全面分析了应变的静流体分量和单轴分量所起的作用，以及阳离子浅ｄ轨道的影响．得出了Ｓｉ－ＧａＡｓ（００１）系统的各价带能量不连续值与弹性应变的定量关系，并对结果进行了讨论．