二维半导体材料与器件——从传统二维光电材料到石墨炔

近年来,二维半导体材料由于其独特的材料结构和电子输运特性得到了科学界的广泛关注,被应用于光电器件、催化和生物传感器等领域。本文系统概述了传统二维材料以及新兴二维材料石墨炔的发现和发展历程。重点聚焦在二维材料在光探测器领域中的应用,探讨了不同二维材料体系及器件结构对光探测器性能的影响;并详细介绍了新兴二维材料——石墨炔,及其合成和应用。展望了传统二维材料及石墨炔在光电转换器件的应用中所面临的机遇和挑战。     

固相微萃取研究进展

对固相微萃取的发展背景，应用及其研究进展作了综述。引用文献 145篇。     

可控大小与形态的(Sr0.70Mg0.07Ba0.10Ca0.11Eu0.02)5(PO4)3Cl荧光粉的研究

以不同大小和形态的SrHPO4为主要原料, 固相反应合成了(Sr0.70Mg0.07Ba0.10Ca0.11Eu0.02)5(PO4)3Cl荧光粉. 通过SEM, XRD, PL测定了颗粒大小与形态、晶体结构和发光性能. 结果表明, SrHPO4的颗粒大小与形态决定了固相反应产物荧光粉的大小与形态; 颗粒分布均匀、类球形荧光粉发光强度最大; 与其比较, 菱形、大小分布不均匀的荧光粉的发光强度是它的80%, 而多晶聚集体仅为65%.     

Pd/SAPO-34催化剂上CO低温氧化反应

 采用水热法合成了小晶粒的 SAPO-34, MnSAPO-34 和 CuSAPO-34 分子筛, 并以它们为载体采用浸渍法制备了一系列不同 Pd 含量的催化剂用于催化 CO 氧化反应. 结果表明: 分子筛载体、催化剂制备条件、反应条件、Pd 含量及预还原等对催化剂的活性影响较大. 催化剂活性随焙烧温度的增加而降低, 而随着反应温度的升高而提高, 担载在 SAPO-34 上 Pd 含量为 1.35% 时性能最佳. X射线衍射和透射电镜结果表明 Pd 物种高度分散于催化剂上, 粒子粒径在 2~8 nm; X射线光电子能谱及氢气程序升温还原结果表明, 高度分散的 Pd2+ 物种是 CO 氧化反应活性位. 随着反应进行被还原为 Pd0 物种, 因而导致催化剂活性下降. H2 预还原处理催化剂致使活性下降的实验结果也支持了这一结论.     

微机械陀螺的发展现状

随着对微电子机械系统(MEMS)的深入研究和取得的进展,属于MEMS研究内容之一的微机械陀螺,在汽车工业需求的推动下,已经成为过去几十年内广泛研究和发展的主题.微机械陀螺与传统机械式陀螺、固体陀螺、光学陀螺等相比,具有成本低、尺寸小、重量轻、可靠性高等优点,其精度正不断得到提高,应用领域也随之不断扩大.本文首先简要介绍了微机械陀螺的定义及特征、性能指标、工作原理、分类以及加工技术,随后对已出现的不同类型微机械陀螺的结构、加工方式、工作原理以及性能进行了综述,最后对微机械陀螺的商业化现状以及发展趋势进行了展望.      

激光晶化制备多晶硅薄膜技术

激光晶化是一种制作晶硅薄膜器件(如薄膜晶体管、太阳能电池)很有效的技术.展望了低温多晶硅薄膜的应用前景,详细介绍了近几年激光晶化制备多晶硅薄膜技术的研究成果,并就激光对非晶硅作用的原理作了简单讨论.     

城市土壤热扩散率实验研究

为了获得城市边界层能量特征,于2004年7～8月分别在合肥、南京两地采集土壤温度数据,并分析获得两地的土壤热扩散率vg.由于数据采集存在差异,采用不同的处理方式分析数据:采用振幅变化法分析合肥地区水银地温温度计及计算机系统采集的数据,得到其深度15 cm以上土壤层的土壤热扩散率vg值为1.665×10-7～4.687×10-7 m2/s,vg值随深度加深而增加;利用热传导方程设计的差分格式分析合肥(铂电阻地温温度计-计算机采集系统采集数据)、南京浦口两地数据,结果表明合肥土壤深度10 cm处的vg值为2×10-7 m2/s,南京土壤深度5～20 cm之间的vg值为2.1×10-7～6.5×10-7 m2/s,其vg值随深度变化而变化,趋势与合肥一致.最后比较了合肥、南京两地土壤热扩散率vg值的差异,对同一土壤深度,南京地区的土壤热扩散率vg值略大于合肥地区.     

音频信息隐藏技术研究

音频信息隐藏技术作为信息隐藏技术的一个重要分支,主要涉及的域有时域、频域、离散余弦变换(DCT)域、小波(Wavelet)域、压缩域等。其中,时域和频域的嵌入方法相对容易实现,但鲁棒性相对较差;DCT域和Wavelet域方法透明性好,鲁棒性也不错,尤其是在抵抗模/数转换(A/D)、数/模转换(D/A)攻击时有着非常优秀的表现,但其操作复杂,实现难度相对较高;压缩域隐藏算法一般有较好的透明性,但鲁棒性相对较差。音频信息隐藏在许多场合取得了很好的应用效果,但面对重录音攻击,尚且没有一种很好的方法。解决这一难题的关键是精确同步信息的嵌入和强鲁棒隐藏方法的研究。     

GaN基p-i-n器件振动噪声研究

振动环境中,GaN基p-i-n器件的噪声会急剧增加,这限制了器件的探测能力。利用力锤和振动台分别模拟冲击振动和随机振动环境,研究了器件噪声在不同振动条件下的变化规律。实验结果表明,在冲击振动中,器件噪声呈现出周期特性,但噪声幅度随着时间减小。器件噪声主要的频率成分为429Hz,此频率下的器件噪声与激励力的大小、振动加速度的幅度成线性关系。随机振动的实验结果也表明,振动环境中测量到的噪声随着随机振动功率谱密度的增大而线性增加。