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991.
992.
采用遗传算法, 得到贵金属混合团簇Cun-1Au (n=2–10)的稳态结构, 并采用分别基于静态及含时的密度泛函理论的第一性原理方法计算了团簇的静态极化率和吸收光谱. 由于d电子屏蔽效应的增强, 金原子的引入会导致团簇静态极化率的降低, 但立体的构型能减小这种影响. 基于含时密度泛函理论的第一性原理计算得到的吸收光谱指出, 这种屏蔽效应同时导致共振强度的明显下降. d轨道对跃迁贡献的进一步计算, 指出d轨道成分是团簇的光激发中的主要贡献者, 但d电子的屏蔽作用并不会直接导致在激发中d轨道贡献的提升. 针对固定尺寸体系, Cu6-nAun (n=0–6) 团簇的研究进一步论证了此观点. 计算的光谱与实验值能很好地对应, 并且比其他更早的理论计算更为接近实验值.
关键词:
贵金属混合团簇
静态极化率
B3LYP-TDDFT
吸收光谱 相似文献
993.
994.
<加勒比海盗2:聚魂棺>获得本年度奥斯卡最佳特效奖可谓实至名归.<加勒比海盗2>中各种令人叹服的特效镜头,相信看过该片的观众一定印象深刻.其特效制作的成功,究其原因有很多,笔者以为最重要的还是以下几点. 相似文献
995.
用电象法解某些特殊边界条件下的静电场问题,可使问题大大简化,其优越性是人所共知的。 设在图一所示的二导体平面Ⅰ、Ⅱ所围成的角域内某处有一点电荷q0,导体上电位U为零。那么角域内的静电场能否用电象法求解呢?这就要解决如下两个问题: (1)在什么条件下,点电荷q0与导体平面所决定的角域内部的场可由q0及其有限个电象的场来代替? (2)在可以用有限个电象代替时,电象的位置及个数如何? 为此,我们查阅了一些有关的书籍和文献,但没有找到严格、完整的解答。因此我们将对此加以进一步的讨论。 首先分析一下求解这类问题的一般步骤:见图一,先对… 相似文献
996.
200g左右成年豚鼠17头分成对照及模型二组。模型组用25%d一半乳糖125mg/kg作球后注射,每天一次,连续34天。在第10天后作裂隙灯检查,晶体发现有空泡,20天后有晶体周边空泡及混浊,第34天摘眼球每鼠取1晶体作扫描电镜观察。制样方法:将晶体放入4%戊二醛磷酸缓冲液(1/15M,pH7.3)数日,1%锇酸后固定,丙酮梯度脱水,临界点干燥,沿前后轴断裂样品。 相似文献
997.
998.
由等离子体引出强流离子束的光学数值模拟 总被引:2,自引:2,他引:0
本文叙述了中性束注入器中的强流离子源引出系统离子束光学性质的数值模拟方法,并给出了典型计算结果。计算结果表明:用这种方法能反映强流离子源引出系统最本质的束光学性质,可供选取和研究强流离子束光学系统之用。 相似文献
999.
依据傅里叶变换的相似性定理和空间频率的标度变换,研究了n平面线性相干光处理系统的一般性质。假定原原统的间距参数为{zi}n-1。首先证明:这一系统等价于任意参数为{zoi}n-1的系统。其次讨论上述两个n平面系统的积分核之间的关系。
关键词: 相似文献
1000.
在半导体器件工艺中,多数情况是在硅衬底中掺 p 型或者 n 型杂质形成 pn 结。而最基本的 pn 结形成方法,一般采用杂质的热扩散法。通常,这种扩散工艺是由预沉积和再扩散两步工序组成的。首先是预沉积工序,它是在硅表面形成浅的高浓度杂质扩散区,其次是再扩散工序,它是使结更深地向硅衬底内推进,控制表面杂质浓度。认为控制了这个杂质浓度和结深就确定了半导体器件的性能,这种说法也并不过分。而且还可以说,预沉积将大大影响扩散的好坏。因此,本文简要说明一下关于预沉积中 p 型杂质(硼)扩散源的情况。同时,介绍一下最近 Owens-Illinois 公司研究的新的硼扩散源“Boro+~(TM)”(以下省略 TM)的优点。 相似文献