Ultrafast interlayer photocarrier transfer in graphene–MoSe_2 van der Waals heterostructure

We report the fabrication and photocarrier dynamics in graphene–MoSe_2 heterostructures. The samples were fabricated by mechanical exfoliation and manual stacking techniques. Ultrafast laser measurements were performed on the heterostructure and MoSe_2 monolayer samples. By comparing the results, we conclude that photocarriers injected in MoSe_2 of the heterostructure transfer to graphene on an ultrafast time scale. The carriers in graphene alter the optical absorption coefficient of MoSe_2. These results illustrate the potential applications of this material in optoelectronic devices.     

周期性锯齿型通道内流动和换热研究

用非稳态层流模型对锯齿型通道内周期性充分发展流动与换热进行了数值模拟．Re=600时数值结果已发生明显振荡,而从入口段算起的第9、10个几何周期的平均Nu数与用周期性充分发展条件计算得到的平均Nu数吻合良好;在此基础上,计算通道周期长度L与通道垂直高度b的比值及通道倾角α等几何结构尺寸对周期性充分发展流动和换热的影响,计算结果表明,增大α和减小L／b都易促使流动产生涡旋,从而增强换热．     

Organic Light Emitting Diodes Using Doped Alq3 as the Hole-transport Layer

Effects of 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane （F4TCNQ） doping on the hole conductivity of Alq3 layer are measured. In the hole-only device of Alq3, the current densities increase in 1-3 orders of magnitude upon doping with F4TCNQ, suggesting that the doping can effectively enhance the hole-injection and hole- transport ability of Alq3. An organic light-emitting device using an F4TCNQ doped Alq3 layer as the hole- injection and hole-transport layer, and pristine Alq3 as the electron-transport and emitting layer is fabricated and characterized. Bright emission is achieved in the simple OLED with p-doped Alq3 as the hole-transport layer and the intrinsic Alq3 as the electron-transport and emitting layer. The emitting efficiency and brightness of the device are further improved by inserting a thin electron block layer to confine the carrier recombination zone in the middle of the organic layers.     

FAAS法测定二色补血草中不同部位的金属元素

采用浓硝酸-高氯酸(4+1)溶解消化方法进行样品处理,用火焰原子吸收光谱法对二色补血草花、茎、叶、根中K,Mg,Ca,Na,Fe,Zn,Cu和Co八种微量金属元素进行了分析测定,获得了测定仪器的最佳工作条件、方法的准确性和精密度。结果表明,各元素平均回收率(n=7)在99.3%～105.3%之间,平均RSD值(n=7)为0.34%～1.04%。二色补血草不同部位各金属元素含量有一定差异,花中Na＞K＞Mg＞Ca＞Fe＞Zn＞Co＞Cu,茎中K＞Mg＞Ca＞Na＞Fe＞Zn＞Cu＞Co,叶中K＞Mg＞Ca＞Na＞Fe＞Zn＞Co＞Cu,根中K＞Mg＞Na＞Fe＞Ca＞Zn＞Cu＞Co。各部位均含有丰富的Ca,Mg,K,Na和Fe元素。测定方法快速、简单,准确度和精密度均较好,能达到分析要求。     

Si基CeO2薄膜的发光特性

利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的CeO2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光峰。结合激发光谱、吸收光谱以及XRD分析表明:CeO2薄膜在高温下容易发生失氧反应,出现Ce4+→Ce3+离子转变,Ce3+离子在紫外光的激发下,电子由O2p跃迁到5d能级,再由5d能级向4f能级跃迁,从而产生强烈的蓝紫外发射,而445 nm左右的发光峰则来自于SiO2薄膜的缺陷发光。样品选择900~1 200℃不同温度退火,并且在1 200℃下进行了不同时间的退火。研究结果显示:在1 200℃下进行2 h的退火,薄膜发光强度达到最大。     

烟台广电自主开发BOSS系统的总体方案

烟台广电网络中心从2004年开始自主开发广电BOSS系统．并于2005年中期上线运行。目前,系统一直稳定工作,烟台广电信息网络中心以此系统为基础．在模拟电视、数字电视、广电宽带等业务上取得了重大突破,经济效益和社会效益都取得了前所未有的好成绩。可以说,烟台广电通过BOSS系统的实施．已经完成了由单一粗放型运营商向集约化综合业务提供商的转变,     

Ce3+注入对超晶格中硅纳米晶光致发光强度的影响

研究了铈离子注入和二次退火等因素对硅纳米晶(nc-Si)发光强度的影响.利用电子柬蒸发以及高温退火得到nc-Si/SiO2超晶格结构.随后将该结构样晶分别注入2.0×1014cm2和2.0×1015cm-2剂量的铈离子(Ce3+),再分别以不同温度对其进行二次退火,获得多种样品.通过对样品光敏发光光谱的分析发现,Ce3+注入后未经过二次退火的样品发光强度急剧下降.二次退火后的样品,随着退火温度的升高,样品的光致发光灶度逐渐增强,但当温度超过600℃时,发光强度反而下降,600℃为二次退火的最佳退火温度.注入适当剂量的Ce3+,其发光强度可以超过未注入时的发光强度,Ce3+的注入存在饱和剂量.研究表明,样品发光强度的变化受到铈离子注入剂量和注入后二次退火温度等因素的影响,并且存在着Ce3+到nc-Si的能量传递.     

铥、铽及铕离子掺杂的BaAl2O4膜的阴极射线发光特性

利用喷雾热解法合成了Tm、Tb及Eu离子掺杂的铝酸钡(BaAl₂O₄)发光膜,研究了合成条件对其结构和发光特性的影响.在退火温度达到700℃时,生成了BaAl₂O₄膜.Tm³⁺和Tb³⁺掺杂的BaAl₂O₄膜分别发蓝光和绿光,而Eu³⁺掺杂的BaAl₂O₄膜的发光既有Eu²⁺的特征发射——宽的蓝光发射带,也有Eu³⁺的特征发射——窄的红光发射峰.BaAl₂O₄:Tm³⁺的发射主峰位于462nm,在电压为5kV和电流密度为57μA/cm²的条件下,其阴极射线发光(CL)亮度可达25cd/m²,效率可达0.11lm/W.BaAl₂O₄:Tb³⁺的发射主峰位于549nm,在相同的条件下,其阴极射线发光亮度可达120cd/m²,效率可达0.55lm/W.BaAl₂O₄:Eu³⁺的发射主峰位于616nm,其阴极射线发光亮度为50cd/m²,效率为0.23lm/W.BaAl₂O₄:Eu²⁺发蓝光,峰值位于452nm,其阴极射线发光亮度为640cd/m²,效率为2.93lm/W.     

ZnS:Li_2O 薄膜的电致发光特性

本文报道了新型较高亮度的 Zn S:L i2 O蓝色薄膜电致发光 ;烧结了新型的蓝色发光材料 Zn S:L i2 O,用电子束蒸发制备出 Si O2 夹层结构的 Zn S:L i2 O蓝色电致发光器件 ;通过吸收光谱、电致发光光谱、激发电压与发光强度的关系等研究了 Zn S:L i2 O薄膜发光特性。认为 Zn S:L i2 O薄膜电致发光可能是由 Zn填隙和氧替硫引起的 ,氧替位能抑制通过硫空位产生的无辐射跃迁使蓝色发光增强     

ZnS:Ag和ZnS:Cu的薄膜电致发光特性

本文研究了ＺｎＳ：Ａｇ和ＺｎＳ：Ｃｕ的电致发光性质。用磁控溅射镀膜机和电子束镀膜机,分别制备了以ＺｎＳ：Ａｇ和ＺｎＳ：Ｃｕ为发光层的夹层结构薄膜电致发光器件,测量了电致发光光谱,研究了发光强度随电压,频率变化规律。结果表明,利用ＺｎＳ：Ａｇ和ＺｎＳ：Ｃｕ均可获得蓝色电致发光。