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专用数据存储服务器架构可扩展性数据量的迅速增长为企业的发展提出了新的问题和要求。本文简要的介绍了NAS和SAN架构形式、安全性和管理及NAS架构和SAN架构优缺点和互补性进行的论述。 相似文献
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以胡麻籽油、羟乙基乙二胺为原料合成咪唑啉中间体,用苄基氯进行改性,得到阳离子咪唑啉衍生物。利用FT IR对合成产物进行了表征,用静态失重法、电化学极化曲线和FESEM对其缓蚀性能进行了评价,并考察了不同缓蚀剂浓度、腐蚀浸泡时间对缓蚀效果的影响,探讨了其在A30钢表面的吸附行为。结果表明,合成的缓蚀剂在盐酸体系中对A30钢有较好的缓蚀性能,在浓度为100mg/L时对低碳钢的缓蚀效率可达87%,并且其产物为阳离子型缓蚀剂,吸附满足Langmuir等温吸附方程。最后采用量子化学方法对其缓蚀剂的缓蚀机理进行了分析。 相似文献
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ZnS:Li_2O 薄膜的电致发光特性 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报道了新型较高亮度的 Zn S:L i2 O蓝色薄膜电致发光 ;烧结了新型的蓝色发光材料 Zn S:L i2 O,用电子束蒸发制备出 Si O2 夹层结构的 Zn S:L i2 O蓝色电致发光器件 ;通过吸收光谱、电致发光光谱、激发电压与发光强度的关系等研究了 Zn S:L i2 O薄膜发光特性。认为 Zn S:L i2 O薄膜电致发光可能是由 Zn填隙和氧替硫引起的 ,氧替位能抑制通过硫空位产生的无辐射跃迁使蓝色发光增强 相似文献
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本文报道了共轴反射式电光取样系统。该系统时间分辨率不低于20ps,空间分辨率不低于3μm。用它检测了砷化镓共央波导内部的微波信号,这套系统将应用于砷化镓调整集成电路内部特性的在片检测。 相似文献
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利用喷雾热解法合成了Tm、Tb及Eu离子掺杂的铝酸钡(BaAl2O4)发光膜,研究了合成条件对其结构和发光特性的影响.在退火温度达到700℃时,生成了BaAl2O4膜.Tm3+和Tb3+掺杂的BaAl2O4膜分别发蓝光和绿光,而Eu3+掺杂的BaAl2O4膜的发光既有Eu2+的特征发射——宽的蓝光发射带,也有Eu3+的特征发射——窄的红光发射峰.BaAl2O4:Tm3+的发射主峰位于462nm,在电压为5kV和电流密度为57μA/cm2的条件下,其阴极射线发光(CL)亮度可达25cd/m2,效率可达0.11lm/W.BaAl2O4:Tb3+的发射主峰位于549nm,在相同的条件下,其阴极射线发光亮度可达120cd/m2,效率可达0.55lm/W.BaAl2O4:Eu3+的发射主峰位于616nm,其阴极射线发光亮度为50cd/m2,效率为0.23lm/W.BaAl2O4:Eu2+发蓝光,峰值位于452nm,其阴极射线发光亮度为640cd/m2,效率为2.93lm/W. 相似文献
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利用一种软化学合成方法——喷雾热解法,在玻璃基底上制备了钨酸镉(CdWO4)发光膜,研究了其结构、吸收光谱、光致发光及较低电压下的阴极射线发光特性。由吸收光谱估算出CdWO4膜的禁带宽度约为3.70 eV。当基底温度在350℃以上时,生成的CdWO4膜在紫外光及阴极射线激发下发出蓝绿光,其光谱为一宽蓝绿发光带。利用高斯函数进行拟合,发现此发光由3个发光带组成:一个峰值位于495 nm(2.51 eV)的主发光带,另外两个分别位于444 nm(2.80 eV)和545 nm(2.28 eV)的发光带。证实了峰值位于495 nm(2.51 eV)的主发光带和氧空位无关,是由阴离子络合物WO66-的发光引起的。研究了退火温度对CdWO4膜发光特性的影响。随着退火温度的升高,发光亮度和效率增大。样品的亮度随外加电压的增加而增大,没有观察到亮度饱和现象。经600℃下退火的CdWO4膜,在电子束电压为5 kV,电流密度为57μA/cm2的条件下,其阴极射线发光亮度可达420 cd/m2,效率达1.9 lm/W。研究结果表明,CdWO4发光膜有可能用在以玻璃为基底的平板显示器件中。 相似文献