吕夏:为爱停驻

她的写真,颇有江南才女的风范,听风言志,不以物喜,更不以物悲.在演员这个浩若星海的行业,最难做到的是坚持己见却又人淡如菊般释然.或许她已经做到了,只是尚未自知.巨蟹座的女子一定是至真至爱,一旦停驻,只为心安.     

锦屏一级水电站地下厂区破坏成因分析

锦屏一级水电站地下厂区位于雅砻江右岸一套大理岩地层中,埋深350m,地下厂区洞室在开挖过程中,围岩出现各种变形破坏现象。通过分析破坏现象,总结了破坏现象的规律性：主厂房及主变室破坏现象主要集中在下游边墙顶拱,破坏方式以岩体开裂为主; 母线洞及压力管道下平段破坏现象主要集中在顶拱外侧,破坏方式以弯折破坏为主。最后利用数值模拟结果解释了径向应力大于岩体强度是引起锚索超限的原因。     

国外燃料电池研究发展现状

国外燃料电池研究发展现状①（参加１９９６年２月第二次国际燃料电池（日本神户）会议（２ｎｄＩＦＣＣ）观感）李乃朝衣宝廉（中科院大连化学物理研究所,大连１１６０１１）燃料电池（ＦＣ）是继火力、水力和核能之后的第四种发电方式,其特点是高效、清洁、低噪音、负...     

完善信息产业政策法规推动行业又好又快发展

一、2006年信息产业政策法规工作回顾 2006年是“十一五”的开局之年，我国信息产业持续、快速、协调、健康发展，全国电话用户总数达到8．3亿户，互联网上网人数达到1．37亿，电子信息产业预计实现销售收入4．75万亿元。信息产业的发展得益于中央的正确领导和各界的大力支持，得益于国民经济发展的良好环境，也得益于行业改革和政策法规的不断完善。     

ZnS:Li_2O 薄膜的电致发光特性

本文报道了新型较高亮度的ZnS:Li2O蓝色薄膜电致发光,烧结了新型的蓝色发光材料ZnS:Li2O,用电子束蒸发制备出SiO2夹层结构的ZnS,Li2O蓝色电致发光器件,通过吸收光谱,电致发光光谱,激光光电压与发光强度的关系等研究了ZnS:Li2O薄膜发光特性,认为ZnS:Li2O薄膜电致发光可能是由Zn填隙和氧替硫引起的。氧替位能抑制通过硫空位产生的无辐射跃迁使蓝色发光增强。     

具有MgF_2夹层有机-无机复合电致发光器件的性能

本文把 Mg F2 引入有机电致发光器件的电子传输层和空穴传输层之间 ,制备了有机 -无机复合的电致发光器件。通过发光和电学研究发现 ,Mg F2 层的引入可以明显抑制激基复合物的形成 ,增加短波长光的发射的强度 ;同时 ,它对降低起亮电压 ,改善器件发光性能具有明显的效果     

基于Web面向知识管理的OA系统研究与开发

现如今,在这个充满着信息资源的时代,企业之间对信息资源的共享、企业内部利用信息资源进行开发及研究,已经成为了企业在市场竞争中生存的渠道。政府机构及事业单位通过运用基于WEB技术的OA系统(办公自动化)来提高员工的办公效率,节省在系统开发及维护上所需的费用。可见,OA系统的研究和开发将必定改变传统的工作方式以此适应于如今高科技、信息共享的局面。     

砷化镓高速集成电路内部电信号的光探针直接取样

本文介绍了电光取样技术原理报道了砷化镓高速集成电路内部电信号在片直接电光取样测量系统,它的时间分辨率优于20ps,空间分辨率优于3μm.通过对砷化镓共面波导的测量证实该系统可以对砷化镓高速集成电路内部电信号进行在片直接电光取样测量。     

添加纳米Ti(C7N3)的ZrO2基纳米陶瓷模具材料

本文针对模具对陶瓷材料的要求,从提高陶瓷模具材料的综合力学性能出发,采用纳米复合方法制备出具有较高综合力学性能的纳米陶瓷模具材料.研究了纳米Ti(C7N3)和Y2O3的组分含量对纳米陶瓷模具材料微观结构和力学性能的影响,结果表明添加纳米Ti(C7N3)和Y2O3的氧化锆纳米陶瓷模具材料的力学性能优于纯氧化锆陶瓷材料,纳米颗粒的添加改善了材料的微观结构和力学性能.当纳米Ti(C7N3)和Y2O3的添加量分别为17.15vol;和5 mol;时,材料的综合性能最好,其抗弯强度为814MPa、断裂韧性6.35 MPa· m1/2、维氏硬度11.87 GPa.     

SiO/SiO_2超晶格结构界面发光的研究

利用热蒸发技术在硅衬底上制备了层厚不同的SiO/SiO2超晶格样品.对其光致发光谱进行研究发现,随着SiO/SiO2超晶格中SiO层厚度的增加,发光峰在400～600 nm之间移动.研究表明,样品的发光中心来自于SiO/SiO2界面处的缺陷发光(界面态发光).即在样品沉积的过程中,在SiO/SiO2的界面处由于晶格的不连续性,会形成大量的Si-O悬挂键,这些悬挂键本身相互结合可以形成一定数量的缺陷,同时由于O原子容易脱离Si原子的束缚而产生扩散,因此,这些悬挂键可以与扩散的O原子结合,随着SiO层厚度的增加,在SiO/SiO2的界面处先后出现WOB(O3<≡Si-O-O·),NOV(O3≡Si-Si≡O3),E'中心(O≡Si·),NBOHC(O3≡Si-O·)等缺陷,这些缺陷在SiO层厚度增大的过程中对发光先后起到主导作用,从而使得发光峰产生红移.