飞秒径向偏振光紧聚焦实验

以飞秒激光器为光源,搭建记录测量聚焦光斑的光学实验系统,研究飞秒径向偏振光紧聚焦特性.数值模拟表明当物镜数值孔径为0.9,波长为750 nm时,线偏振光和径向偏振光焦斑的最小半高全宽分别是1.3 μm和1.0 μm.实验中,使用全息干板作为记录介质,记录和测量微小的聚焦光斑,并通过精密电动平移台实现几十纳米量级步长的移动,获得精确焦平面处的聚焦光斑.测量结果表明,线偏振光和径向偏振光焦斑的最小半高全宽分别是4.6 μm和2.9 μm.在高数值孔径聚焦条件下,径向偏振光可以获得比线偏振光更细锐的聚焦光斑.     

Ce3+注入对不同尺寸的nc-Si/SiO2 超晶格发光特性的影响

通过电子束蒸发方法以及高温退火处理,得到nc-Si/SiO₂超晶格。将样品分别注入剂量为2.0×10¹⁴ cm^-2和2.0×10¹⁵ cm^-2的Ce³⁺,再对其进行二次退火处理,获得多组样品。通过对样品光致发光光谱的分析发现,样品发光强度的变化不仅受到Ce³⁺注入剂量的影响,而且也受到nc-Si颗粒大小的影响。在相同注入计量和相同的二次退火处理温度下,nc-Si颗粒较大的样品经Ce³⁺注入后其发光强度增强较为明显。     

稀土离子掺杂的铝酸锌膜的低压阴极射线发光

在空气中采用喷雾热解法合成了稀土铕(Eu)、铽(Tb)及铥(Tm)掺杂的铝酸锌(ZnAl_2O_4)发光膜,研究了合成条件对其阴极射线发光特性的影响。ZnAl_2O_4:Tb~(31)、ZnAl_2O_4:Tm~(3 )及ZnAl_2O_4:Eu~(31)膜分别发出主峰位于555 nm的绿光、主峰位于478 nm的蓝光及主峰位于616 nm的红光。上述发光均可在低退火温度(700℃以下)下获得,因此可以使用玻璃作为基底。同时研究了样品发光的色坐标和色纯度,并与标准的红、绿、蓝粉的色品度进行了比较。样品的亮度和效率都随外加电压的增加而增大,没有观察到亮度饱和现象。此外,Eu掺杂的ZnAl_2O_4膜在850℃以上、还原气氛中退火后呈现Eu~(2 )的特征发射——宽的蓝发射带。     

红外吸收光谱法研究磁控溅射沉积SiOx非晶薄膜的过程

利用磁控溅射技术,在单晶Si衬底上生长了SiOx非晶薄膜.傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SiOx非晶薄膜存在3个吸收谱带.研究发现,随着溅射功率的提高,薄膜中先后形成Si-Oy-Si4-y(0＜y≤4),Si6环以及无桥氧空位中心(NBOHC)缺陷等结构,这几种结构对应的Si-O-Si键的伸缩振动吸收、非对称伸缩振动吸收以及O-Si-O键的振动吸收是导致薄膜的FTIR光谱出现3个吸收谱带的根本原因.     

基于GSM/GPRS的无线数据采集系统

本文针对远程测控问题,研制了基于MC35i的GSM/GPRS远程测控终端,对数据采集和无线通讯所涉及到的理论和实践进行了分析研究,阐述了设计思路、调试过程及实验数据。     

溅射气氛和退火方式对硅纳米晶的形成及发光特性的影响

利用磁控溅射技术溅射硅靶,通过调节溅射气氛在硅衬底上生长了SiO/SiO₂超晶格,热退火处理后超晶格中的SiO发生相分离得到硅纳米晶。通过比较不同退火方式对于硅纳米晶的形成的影响发现,管式炉退火处理的样品给出非常强的室温光致发光,其发光峰的峰位随着硅纳米晶尺寸的增大而红移,且管式炉退火比快速热退火更有利于硅纳米晶的形成。     

磁控溅射法沉积SiN_x非晶薄膜的生长机制及结构分析

利用磁控溅射技术在单晶Si衬底上沉积了Six非晶薄膜.样品的傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SNx非晶薄膜在812～892 cm-1范围内存在一个较强的吸收谱带.该吸收谱带对应于Si-N-Si键的伸缩振动吸收(stretching vibration mode),其吸收峰峰位随着溅射功率的增大明显红移;但退火后,该吸收峰又逐渐蓝移.结合中心力模型和自由结合模型,分析了磁控溅射过程中Six非晶薄膜的生长机制和内部结构.研究认为,随着溅射功率的提高,薄膜中先后形成Si-N4四面体,Si-N-Si3,Si-N2-S2及Si-N3-Si等结构,这几种结构分别对应着Si-N-Si键的不同模式的振动吸收.随着退火温度的升高,分子热运动逐渐加剧,非晶SiNx薄膜发生相分离,生成Si3N4和Si纳米晶颗粒,因此,S-N-Si键的吸收峰逐渐向Si3N4的特征振动吸收峰位870 cm-1靠近.     

新疆博格达峰南坡岩面生地衣群落特征的研究

本文以样点为对象,以岩面生地衣的盖度为指标,采用聚类分析和除趋势对应分析对博格达峰南坡的岩面生地衣群落进行数值分类,应用典范对应分析法研究岩面生地衣种类分布与环境因子间的关系. 结果表明:博格达峰南坡岩面生地衣共有68种,隶属于10目17科25属. 依据多元数据分析结果,可将该地区岩面生地衣群落划分为4个群丛. 群丛1...     

氢钝化对硅纳米晶发光强度的影响

通过热蒸发方法在单晶硅衬底上沉积了SiO/SiO₂超晶格样品,在氮气保护下对样品进行高温退火,得到硅纳米晶/SiO₂超晶格结构。随后将该结构样品分别注入3.0×1014和3.0×1015 cm-2两种剂量的H+。通过对样品的光致发光光谱的分析发现,H+注入后未经过二次退火的样品发光强度急剧下降;二次退火后的样品,随着退火温度的升高,发光强度逐渐增强;注入足够剂量的H+,其发光强度可以远远超过未注入时的发光强度。研究表明,样品发光强度的变化取决于样品内部缺陷面密度的改变,而缺陷面密度是由氢离子的注入剂量和注入后再退火的温度等因素决定的。     

关于提升网络资源面向客户的投放精准度研究

通过提取现网全量小区数据,根据网络资源规划来源,从业务需求、资管资源和市政规划三个层次进行分析,落实“一张光缆网”整体工作思路。经过对试点区域的无资源退单情况和装机时长进行统计,试点区域网络资源已经完全满足用户需求,提升了网络资源面向客户的投放精准度。