中国散裂中子源准直控制网数据处理方法

以中国散裂中子源CSNS的直线加速器控制网为例,对其数据处理方法进行研究,采用平面与高程二维平差以及三维定向平差两种方式对准直控制网进行处理分析。同时,为了使准直数据处理更加简易便利,提出利用激光跟踪仪的测量软件SA实现三维定向平差的方法。通过不同软件及不同数据处理方法的对比,验证准直控制网数据处理的正确性,最终200 m长直线控制网点位精度优于0.2 mm,这为准直控制网的数据处理提供了指导。     

一种用于电光开关的高速、高压电脉冲的产生

介绍了一种用于电光开关驱动源的高压超快电脉冲产生技术;电路采用级联的雪崩晶体管串和微波传输线结构,输出阻抗50Ω;在50Ω负载情况下,获得脉冲下降时间为1ns、幅度达到5kV、峰值电压为6.4 kV、幅度和半宽度稳定性优于2％、触发晃动为±15ps、触发延时为30 ns,脉冲峰值电流为128 A的高压高速大电流脉冲.     

线照明并行谱域光学相干层析成像系统与缺陷检测应用研究

针对玻璃缺陷在线无损检测的迫切需求,本文报道了一种基于线照明并行谱域光学相干层析成像系统的大视场检测系统.该系统采用快速面阵CMOS相机,单次拍摄即可获取完整的横截面(B-scan)图像.基于线照明面阵探测器的并行谱域光学相干层析成像系统,可以同时获取沿线照明方向各位置处的深度分辨信息,避免了横向扫描机构的应用.研制系统的轴向分辨率为17.9μm,并行方向上的横向分辨率55.7μm,扫描方向上的横向分辨率为24.8μm,轴向扫描速率为128 000 A-scan/s,横向视场为32 mm,空气中成像深度大于6 mm,成像灵敏度达到62 dB以上.利用研制的线照明并行谱域光学相干层析成像系统,开展了不同类型玻璃表面及其内部缺陷的检测应用研究.     

基于铟锡氧化物/Ti复合电极的高亮度碳纳米管场致发射冷阴极

通过制作亲碳性铟锡氧化物(ITO)/Ti复合电极,改善移植型碳纳米管(CNT)冷阴极的导电电极与CNT膜层之间附着性能,从而消除CNT与电极间的界面势垒和非欧姆接触对CNT阴极场发射均匀性和稳定性的影响.采用磁控溅射技术和丝网印刷工艺制作了ITO/Ti基CNT阴极.用X射线衍射仪和场致发射扫描电子显微镜表征CNT阴极结构,结果显示热处理后的ITO/Ti基CNT阴极中可能有TiC相生成,从而使得导电电极与CNT形成有中间物的强作用体系.该体系降低甚至消除电极与CNT之间的界面势垒,增加了CNT与电极间形成欧姆接触的概率.用四探针技术分析电阻率,结果表明ITO/Ti复合电极具有电阻并联效果,CNT阴极导电性能提高.场致发射特性测试表明ITO/Ti基CNT阴极的场致发射电流达到384μA/cm2,较普通ITO基CNT阴极的场致发射电流有显著提高,能够激发测试阳极发出均匀、稳定的高亮度荧光.制作ITO/Ti复合电极是实现场致发射稳定、均匀的低功耗CNT阴极的有效途径.     

蒙特卡罗方法模拟金属-半导体接触的直接隧穿效应

运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应.模拟的内容包括具有不同的势垒高度的金属-半导体接触在正向和反向偏置下的工作状态.分析模拟结果可知,隧穿电流在反向偏置下起主要的作用.同时还模拟了引入肖特基效应后,SBD的工作特性,验证了模拟使用的物理模型.得到了与理论计算值符合的模拟结果.分析模拟结果表明,由于肖特基效应形成的金属-半导体接触势垒的降低,会在很大程度上影响金属-半导体接触的输运特性.     

基于SOPC技术的PET瓶缺陷检测系统设计

介绍基于SOPC技术的PET瓶缺陷检测系统的软、硬件设计方法.利用SOPC Builder在FPGA芯片EP2C35F6726C上配王的NIOSⅡ软核处理器作为控制核心,在Avalon总线上挂接接口模块和用户自定义逻辑模块,于NIOSⅡ中使用C++编程实现图像检测判别准则,并加上FPGA的外围单元,共同完成系统主要的功能设计.实验结果表明,该设计方法可行、可靠,检测效果快速精确.该设计在图像处理中采用并行处理设计,其应用上具有一定的帮助性和可借鉴性,也证明FPGA在图像处理方面的优越性.采用FPGA并行处理的方法进行图像识别,系统处理速度快、集成度高、成本低、维护方便.     

医用外照射微波辐射器的改进和临床应用

针对医用外照射微波辐射器临床应用存在的问题,将同轴－波导转换中针形激励线改为略带锥形的阿基米德螺线,从而使驻波系数等参数得到改善,并减小了体积、重量与微波泄漏,经临床使用,疗效满意。     

Nano-Crystalline Diamond Films with Pineapple-Like Morphology Grown by the DC Arcjet vapor Deposition Method

A nano-crystlline diamond film is grown by the dc arcjet chemical vapor deposition method. The film is characterized by scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy （HRTEM）, x-ray diffraction （XRD） and Ftaman spectra, respectively. The nanocrystalline grains are averagely with 80hm in the size measured by XRD, and further proven by Raman and HRTEM. The observed novel morphology of the growth surface, pineapple-like morphology, is constructed by cubo-octahedral growth zones with a smooth faceted top surface and coarse side surfaces. The as-grown film possesses （100） dominant surface containing a little amorphous sp2 component, which is far different from the nano-crystalline film with the usual cauliflower-like morphology.     

抑制共模噪声的SIW 平衡馈电差分缝隙天线阵*

提出一种利用差分天线在共模激励和差模激励下方向图不同来抑制共模噪声的方法,并基于该理论 设计了6×6 平衡馈电差分SIW 缝隙天线阵进行验证。该天线由6个宽边纵向SIW 缝隙天线子阵列组成。辐射缝隙 被设计为只在差模激励下辐射,达到抑制共模信号的目的。每个天线子阵采用平衡差分馈电方式,使用两个1分6 梳状功分器将6个子阵同时激励。整个天线使用标准PCB 工艺加工,为了测试共模和差模激励,分别设计了带有 180°相移的功分器和T型功分器用来生成差模和共模信号。在差模激励下,天线的最大增益为20.2dBi,S11幅值小 于-10dB 带宽为7.2%(39.6 ~43.8GHz),在共模激励下天线的最大增益为10.1dBi,在整个工作频段内S11幅值大于 -7dB。仿真和实验结果验证了该结构的SIW 缝隙天线对差模信号能够有效地辐射而对共模信号进行抑制。