全文获取类型
收费全文 | 542篇 |
免费 | 92篇 |
国内免费 | 97篇 |
专业分类
化学 | 150篇 |
晶体学 | 8篇 |
力学 | 25篇 |
综合类 | 16篇 |
数学 | 40篇 |
物理学 | 138篇 |
无线电 | 354篇 |
出版年
2024年 | 6篇 |
2023年 | 14篇 |
2022年 | 24篇 |
2021年 | 16篇 |
2020年 | 13篇 |
2019年 | 14篇 |
2018年 | 17篇 |
2017年 | 15篇 |
2016年 | 22篇 |
2015年 | 22篇 |
2014年 | 41篇 |
2013年 | 22篇 |
2012年 | 24篇 |
2011年 | 26篇 |
2010年 | 24篇 |
2009年 | 31篇 |
2008年 | 27篇 |
2007年 | 17篇 |
2006年 | 20篇 |
2005年 | 28篇 |
2004年 | 38篇 |
2003年 | 47篇 |
2002年 | 19篇 |
2001年 | 30篇 |
2000年 | 24篇 |
1999年 | 15篇 |
1998年 | 13篇 |
1997年 | 18篇 |
1996年 | 22篇 |
1995年 | 10篇 |
1994年 | 12篇 |
1993年 | 9篇 |
1992年 | 6篇 |
1991年 | 4篇 |
1990年 | 5篇 |
1989年 | 7篇 |
1988年 | 6篇 |
1987年 | 8篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 3篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 3篇 |
1972年 | 1篇 |
1956年 | 3篇 |
1955年 | 1篇 |
排序方式: 共有731条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
Influence of annealing conditions on impurity species in arsenic-doped HgCdTe grown by molecular beam epitaxy
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理 B》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
Based on our previous work,the influence of annealing conditions on impurity species in in-situ arsenic (As)-doped Hg 1 x Cd x Te (x ≈ 0.3) grown by molecular beam epitaxy has been systematically investigated by modulated photoluminescence spectra.The results show that (i) the doped-As acting as undesirable shallow/deep levels in as-grown can be optimized under proper annealing conditions and the physical mechanism of the disadvantage of high activation temperature,commonly assumed to be more favourable for As activation,has been discussed as compared with the reports in the As-implanted HgCdTe epilayers (x ≈ 0.39),(ii) the density of V Hg has an evident effect on the determination of bandgap (or composition) of epilayers and the excessive introduction of V Hg will lead to a short-wavelength shift of epilayers,and (iii) the V Hg prefers forming the V Hg-As Hg complex when the inactivated-As (As Hg or related) coexists in a certain density,which makes it difficult to annihilate V Hg in As-doped epilayers.As a result,the bandedge electronic structures of epilayers under different conditions have been drawn as a brief guideline for preparing extrinsic p-type epilayers or related devices. 相似文献
72.
在非对称交通网络中,针对路段容量限制下弹性需求用户均衡分配模型计算困难,提出了一种路段容量限制弹性需求用户均衡交通分配问题的有效算法.该算法在迭代时,排队延误因子、误差因子与交通需求通过自适应调节来逼近真实路段车辆行驶时间和出行者交通需求,促使各路段交通流量逐步满足限制条件,最终达到弹性需求广义用户均衡.方法克服了容量限制弹性需求用户均衡分配计算量大及随机分配法要求枚举所有路径的困难.随后证明了算法的收敛性,并对一个小型路网进行了数值试验. 相似文献
73.
L-Shell X-Ray Yields and Production Cross Sections of Zr and Mo Bombarded by Slow Highly Charged Ar16+ Ions
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
The L-shell x-ray yields of Zr and Mo bombarded by slow Ar16+ ions are measured. The energy of the Ar^16+ ions ranges from about 150 keV to 350 keV. The L-shell x-ray production cross sections of Zr and Mo are extracted from these yields data. The explanation of these experimental results is in the framework of the adiabatic direct- ionization and the binding energy modified BEA approximation. We consider, in the slow asymmetric collisions such as Ar and Mo/Zr, the transient united atoms (UA) are formed during the ion-surface interaction and the direct-ionization is the main mechanism for the inner-shell vacancy production. Generally, the theoretical results are in good agreement with the experimental data. 相似文献
74.
75.
76.
77.
通过锌片与水分别在乙二醇和乙二胺中120 ℃反应12 h,直接在锌片上原位合成出ZnO纳米片组装的微球和层状集聚体。利用X射线粉末衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和红外光谱对产物进行了表征和分析。结果表明,在乙二醇中得到的直径为0.3~2 µmZnO微球是由直径为30~50 nm纤锌矿结构的ZnO纳米片通过氢键组装而成;在乙二胺中得到的层状集聚体是由20~30 nm的纤锌矿结构的ZnO纳米片通过氢键组装成尺寸约为450×900 nm纳米片,这些较大尺寸纳米片再通过范德华力组装而成。研究了乙二醇和乙二胺在ZnO微球和层状集聚体形成过程中的作用并提出了可能的生长机理。在波长为300 nm光的激发下,发现ZnO微球和层状集聚体具有发光峰位于397 nm强的紫外光发光、485和520 nm弱的蓝绿光发光,它们分别起源于ZnO宽带隙的激子发射,氧空位与间隙氧之间的跃迁以及表面上离子化氧空位中的电子与价带中光激发的空穴之间的复合。 相似文献
78.
利用吲哚~-3~-醛和邻硝基苯基半卡巴肼设计合成了新型含内氢键的阴离子识别受体吲哚~-3~-醛~-邻硝基苯基半卡巴腙.利用核磁共振波谱、质谱和元素分析等手段对该受体进行了表征,利用荧光光谱滴定和核磁共振波谱滴定研究了该受体对Ac O~-,F~-,H_2PO~-_4,Cl~-,Br~-,I~-,HSO~-_4等阴离子的识别性能.结果表明,该受体与Ac O~-,F~-,H_2PO~-_4,Cl~-,Br~-,I~-,HSO~-_4的结合常数和结合比分别是6.98,1∶2;6.85,1∶2;5.40,1∶2;13.51,1∶2;6.34,1∶1;5.40,1∶1;2.88,1∶1.该受体由于具有内氢键,与具有适当体积、碱度的Cl~-很匹配,对Cl~-具有很强的结合能力和很高的选择性. 相似文献
79.
随着系统级封装(SIP)所容纳的电子元器件和集成密度迅速增加,传统的散热方法(热通孔、风冷散热等)越来越难以满足系统级封装的热管理需求。低温共烧陶瓷(LTCC)作为常见的封装基板材料之一,设计并研制了三种内嵌于LTCC基板的微流道,其中包括直排型、蛇型和螺旋型微流道(高度为0.3 mm,宽度分别为0.4, 0.5和0.8 mm)。通过数值仿真和红外热像仪测试相结合的方式分析了微流道网络结构、流体质量流量、雷诺数、材料热导率对内嵌微流道LTCC基板换热性能的影响,实验结果表明:当去离子水的流量为10 mL/min,热源等效功率为2 W/cm2时,直排型微流道的LTCC基板最高温度在3.1 kPa输入泵压差下能降低75.4 ℃,蛇型微流道的LTCC基板最高温度在85.8 kPa输入泵压差下能降低80.2 ℃,螺旋型微流道的LTCC基板最高温度在103.1 kPa输入泵压差下能降低86.7 ℃。在三种微流道中,直排型微流道具有最小的雷诺数,在相同的输入泵压差下有最好的散热性能。窄的直排型微流道(0.4 mm)在相同的流道排布密度和流体流量时比宽的微流道(0.8 mm)能多降低基板温度10 ℃。此外,提高封装材料的热导率有助于提高微流道的换热性能。 相似文献
80.
面向21世纪大学物理实验教学的改革与研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本详细阐述了目前物理实验教学中的不足,并提出面向21世纪大学物理实验教学改革的方法。 相似文献