在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As／GaAs单量子阱特性

文章报道了用分子束外延（ＭＢＥ）法在６００℃和６５０℃下，在Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ衬底的（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上成功地生长了高质量的ＡｌｘＧａ１－Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱材料。计算了光荧光（ＰＬ）峰值能量，并与实验作了比较。讨论了（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上的不同生长特性。     

基于S-CDMA的HFC上行信道接入协议性能仿真分析

讨论了基于S－CDMA的HFC网上行信道的高效接入协议－SAMA，提出了双信道接入机制的工作原理，并对系统性能进行了分析与计算机仿真，得到一些有意义的结论。     

提高本地传输网络安全性的探讨

经过近几年的大规模建设，中国移动各个地区的本地传输网络已经基本成型，基本实现了传输电路的自给。随着业务网络对传输需求的不断增加，传输网络的规模不断扩大，网络组织日益复杂，传输网络的安全性成为评估网络质量的重要因素。如何进一步完善现有的本地传输网、优化网络的组织结构、提高网络的安全性，成为本地传输网建设中的重点问题。     

基于锁相环的低杂散细步进频率合成器

针对传统频率合成器小步进杂散的问题,提出一种新颖的宽带频率合成器方案;采用双锁相环的混频及分频实现锁相环参考信号的细步进;通过参考频率和鉴相频率的变化实现锁相环输出信号的小步进变化;弥补了传统DDS激励锁相环的频率合成方式难以实现小型化的缺点;通过锁相后的倍频及分频实现Ka波段的宽带覆盖;分析了方案及设计中的技术难点,...     

小波降噪对TDLAS 干涉抑制的研究

基于多光程吸收池的可调谐半导体激光吸收光谱 (TDLAS) 系统在检测过程中容易出现噪声干扰, 影响着其 实际检测性能。针对这种干扰的特征进行分析, 提出利用小波降噪法来改善 TDLAS 系统的探测性能。首先依据理论 研究结果选择合适的小波函数和分解层数, 然后通过这种小波对叠加干扰的仿真信号进行滤波, 结果表明这种降噪技 术具有良好的去噪效果。最后利用小波降噪技术处理了实验采集的不同浓度气体的直接吸收光谱 (DAS) 和二次谐波 信号, 相比于原信号, 降噪后信号的信噪比从 0.4 增加到 259, 系统的检测限也达到 7×10−6, 表明小波降噪方法在气体 光谱检测中具有较高的应用价值。     

面向智能电网的云数据处理系统评价方法

智能电网数据处理系统需要存储从巨量设备端点周期性采集到的海量数据,处理高度并发的读写请求,并要求系统具有良好的可扩展性.新兴的云数据服务系统为我们提供了很好的选择.但是现在云数据服务系统种类繁多,各方面的性能存在差异,如何选择合适的云数据服务系统成为关键问题.基于智能用电场景,提出了一种对云数据服务系统的性能评价和分析方法,并利用该方法评测HBase、Voldemort和Cassandra三者的性能.     

矿用防爆变频技术及应用研究

本文首先对防爆技术进行了介绍,并对矿用防爆变频系统及其在煤矿中的相关应用进行了研究,给出了智能局扇、乳化液泵、皮带机、刮板机变频驱动系统、绞车提升机系统五种不同负载工况的应用方案。最后给出了研制500kW/1140V隔爆兼本质安全型变频器的系统方案,提出了隔爆兼本质安全结构和电气系统的设计方法。其研究结果具有较大的工程价值和实践意义。     

基于空间信息技术的重庆市地表热环境遥感定量分析

年来城市气候和环境问题引起广泛关注,其中城市热环境是当前城市气候、环境研究的热点问题。地表热环境的变化会对人类的生产和生活带来影响,因此,热环境的时空分布状况已经成为全球环境变化研究的重要内容之一,也是城市的发展规划和环境问题的防治提供了依据。本文基于遥感技术及GIS空间分析功能,选择西南地区经济快速发展的重庆市区作为研究区域,利用1992年和2002年的两期LandsatTM影像,对重庆市区的地表热环境效应做了相关分析,以期为重庆规划城市发展、保护城市环境、建设生态型城市提供依据。     

Influence of annealing conditions on impurity species in arsenic-doped HgCdTe grown by molecular beam epitaxy

Based on our previous work,the influence of annealing conditions on impurity species in in-situ arsenic (As)-doped Hg 1 x Cd x Te (x ≈ 0.3) grown by molecular beam epitaxy has been systematically investigated by modulated photoluminescence spectra.The results show that (i) the doped-As acting as undesirable shallow/deep levels in as-grown can be optimized under proper annealing conditions and the physical mechanism of the disadvantage of high activation temperature,commonly assumed to be more favourable for As activation,has been discussed as compared with the reports in the As-implanted HgCdTe epilayers (x ≈ 0.39),(ii) the density of V Hg has an evident effect on the determination of bandgap (or composition) of epilayers and the excessive introduction of V Hg will lead to a short-wavelength shift of epilayers,and (iii) the V Hg prefers forming the V Hg-As Hg complex when the inactivated-As (As Hg or related) coexists in a certain density,which makes it difficult to annihilate V Hg in As-doped epilayers.As a result,the bandedge electronic structures of epilayers under different conditions have been drawn as a brief guideline for preparing extrinsic p-type epilayers or related devices.