暗室用吸波材料大入射角吸波特性测试方法研究

本文介绍了根据对比原理测试吸波材料性能的一种方法,把通常采用的弓形法和RCS法进行了对比,指出弓形法在大入射角度情况下测试存在的困难,而在大的微波暗室内可以较好地解决大入射角测试的问题,最后给出了一组在RCS暗室内进行材料测试的结果,并对测试结果进行了分析。     

高能铒离子注入硅单晶的辐射损伤及其退火行为

利用卢瑟福背散射及沟道技术研究了2MeV Er+以不同剂量注入硅(100)所引起的辐射损伤及其退火行为.采用多重散射模型计算了2MeV 1×1014/cm2注入硅(100)引起的损伤分布,并与TRIM96模拟得到的结果进行了比较.结果表明计算得到的损伤分布与TRIM96模拟的损伤分布完全符合;实验结果表明MeV Er+注入后硅样品的退火行为与注入剂量及退火温度紧密相关.随着退火温度的变化,注入剂量为5×1014/cm2及其以上的样品存在反常退火行为.     

利用Pspice Optimizer进行电路的优化设计

文章介绍了电路优化设计的基本概念 ,通过两个优化实例详细介绍了利用PspiceOptimizer进行电路优化设计的方法     

氨化Si基Ga2O3/Co薄膜合成GaN纳米线及其表征

采用磁控溅射技术先在Si衬底上制备Ga2O3/Co薄膜,然后在950"C下流动的氨气中进行氨化反应制备GaN纳米棒.应用X射线衍射、扫描电镜、傅里叶红外吸收光谱、选区电子衍射和高分辨透射电子显微镜对样品进行表征.结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米棒.观察发现纳米棒表面光滑.并讨论了GaN纳米棒的生长机制.     

热壁化学汽相沉积Si基GaN奇异面

利用热壁化学汽相沉积在Si基上生长GaN薄膜。用扫描电镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外透射谱(FTIR)和荧光光谱(PL)对样品进行形貌、结构、组分和发光特性的分析。SEM显示在平滑的表面上出现了由绳状、树根状、项链状晶体组成的奇异面。FTIR、XRD和SAED显示生成的GaN奇异面呈六方纤锌矿多晶结构同时含有少量的碳污染。PL谱显示了不同于一般GaN发光谱的发光峰。     

高标清混合制播时期总控系统信号处理方法

为满足中央电视台全高清制作的要求,总控系统作为全台信号调度和处理的核心,需完成对国内外不同格式、制式和幅型的信号进行统一的处理,并给处理后的信号赋予正确的属性等工作。本文主要结合中央电视台新址总控系统的设计,对总控系统在高标清混合制播时期,如何通过引入AFD信息等方法完成可靠、准确的信号处理等工作进行了详细的论述。     

Cr4+:YAG被动调Q腔外三倍频紫外激光器

理论上分析了影响腔外三倍频输出效率的各因素,并对Cr4+:YAG小信号透过率、输出镜透过率、聚焦透镜焦距、非线性晶体尺寸的优化选取以及各元件的合理放置进行了讨论.在最大抽运功率为17W的情况下,获得了336mW的355nm准连续紫外激光输出,重复频率为28kHz,脉宽12ns,单脉冲能量为12J,峰值功率为1kW,总的光-光转换效率为2%.     

LD端泵Nd:YAG/Cr:YAG腔外变频产生高功率紫外

报道了对激光二极管端面泵浦的Nd：YAG晶体,Cr：YAG被动调Q产生的1．0641μm脉冲激光器,用KTP晶体进行腔外和、倍频,分别用LBO、BBO晶体三倍频、四倍频产生355nm、266nm紫外激光。首次采用了一种新颖的腔型设计,用20W的激光二极管阵列（LDA）,在泵浦功率为14．5W的情况下,红外（1064nm）调Q输出平均功率为2．2W,峰值功率高达12kW。用KTP腔外二倍频,532nm绿光输出平均功率为1．2W,LBO腔外三倍频、BBO腔外四倍频,355nm、266nm功率分别高达340mW、300mW。     

基于FPGA的LCoS驱动和图像处理系统设计

针对分辨率为1024×768的LCoS屏编写了VerilogHDL驱动代码,在quartusⅡ9．1平台上综合编译,并在Aftera的FPGA芯片EP3C5E144C8上进行了功能验证和实际输出信号测量。采用异步FIFO结构解决了跨异步时钟域的数据传输问题。嵌入FFTIP核后,可进一步对图像进行基于FFT的变换处理,分析图像的频谱。为计算全息3D图像处理及显示提供了硬件平台。     

《光学和光学仪器-光学薄膜》新国标的制定

介绍了国家标准GB/T26332《光学和光学仪器-光学薄膜》制定的背景及主要内容,分析了制定该标准所采用的国际标准ISO9211不同版本内容的变化及国际标准的发展趋势,对GB/T26332后续的制定和修订提出了建议.