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71.
介绍了毫米波单片集成电路设计中的两个关键技术,有源器件(如PHEMT)等效电路模型的建立和无源元件(如微带T形结、十字结、转角等)精确电磁场模型的建立,同时介绍了毫米波单片放大器的CAD设计过程。 相似文献
72.
73.
对实验演示系统的系统架构、系统设计、体系结构进行了论述,创新性的采用RIA技术作为系统的表现层.论述了RIA技术的特点及优势,系统架构采用浏览器/服务器结构,系统设计中分析了系统模块的组成、系统安全性等.在体系结构中论述了系统的分层设计以及数据交换的方式.通过系统的实际使用,提高了学生自主学习能力,减少了教师的工作量,对数字化教学方法改革做了关键的一步. 相似文献
74.
采用磁控溅射技术在Si(111)衬底上溅射Au薄膜,900℃退火生成Au点阵模板,在Au点阵模板上溅射ZnO薄膜,O2气氛下1 000℃退火制备了ZnO堆垒单晶棒。研究了不同直径Au点阵模板对ZnO单晶棒结构性能的影响。采用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)对样品结构形貌进行了分析。结果表明,生成有序排列的ZnO棒均由诸多六方纤锌矿单晶堆垒而成,较小Au点阵生成单晶棒的直径约为100nm。室温光致发光PL谱表明在376nm出现一个较强近紫外发射,在488nm附近出现一个较宽的深能级绿光发射,说明所制备样品具有良好的发光特性。 相似文献
75.
目前,国内大量应用的10kV配电线路无功补偿装置多数是整组人工投切方式,这类装置只能做到高负荷时投入、低负荷时切除。它们不能随着负荷的变化以及对无功功率的需求及时自动进行相应的调整,更不能实现电压无功补偿综合自动调节。鉴于此,本文对无功补偿在10kV线路中的应用进行了探讨。 相似文献
76.
This paper reports that/3-Ga2O3 nanorods have been synthesized by ammoniating Ga2O3 films on a V middle layer deposited on Si(111) substrates. The synthesized nanorods were confirmed as monoclinic Ga2O3 by x-ray diffraction,Fourier transform infrared spectra. Scanning electron microscopy and transmission electron microscopy reveal that the grown β-Ga2O3 nanorods have a smooth and clean surface with diameters ranging from 100 nm to 200 nm and lengths typically up to 2μm. High resolution TEM and selected-area electron diffraction shows that the nanorods are pure monoclinic Ga2O3 single crystal. The photoluminescence spectrum indicates that the Ga2O3 nanorods have a good emission property. The growth mechanism is discussed briefly. 相似文献
77.
用国产半导体激光二极管(LD)端面泵浦NdYAG晶体, 通过优化激光谐振腔反射膜系,调节1 064 nm谱线的线性损耗以达到与弱谱线946 nm的增益匹配,在室温下实现1 064 nm和946 nm双波长连续运转,并通过I类临界相位匹配LBO晶体腔内和频在国内首次实现500.8 nm青色激光连续输出.当泵浦注入功率为1.4W时和频青色激光最大输出达20 mW,光-光转换效率为1.4%,功率稳定性24 h内优于±3%. 相似文献
78.
79.
80.
本文介绍在低温下工作的掺杂半导体辐射热计和光电导红外探测器的有关设计方程式。评鉴相应的前置放大器并研究探测器和前置放大器组合时可能产生的噪声性能。 相似文献