全文获取类型
收费全文 | 1059篇 |
免费 | 182篇 |
国内免费 | 208篇 |
专业分类
化学 | 237篇 |
晶体学 | 8篇 |
力学 | 98篇 |
综合类 | 6篇 |
数学 | 184篇 |
物理学 | 250篇 |
无线电 | 666篇 |
出版年
2024年 | 14篇 |
2023年 | 25篇 |
2022年 | 44篇 |
2021年 | 44篇 |
2020年 | 37篇 |
2019年 | 37篇 |
2018年 | 21篇 |
2017年 | 27篇 |
2016年 | 33篇 |
2015年 | 29篇 |
2014年 | 53篇 |
2013年 | 47篇 |
2012年 | 49篇 |
2011年 | 52篇 |
2010年 | 70篇 |
2009年 | 65篇 |
2008年 | 50篇 |
2007年 | 51篇 |
2006年 | 63篇 |
2005年 | 72篇 |
2004年 | 71篇 |
2003年 | 59篇 |
2002年 | 38篇 |
2001年 | 46篇 |
2000年 | 21篇 |
1999年 | 29篇 |
1998年 | 22篇 |
1997年 | 24篇 |
1996年 | 43篇 |
1995年 | 18篇 |
1994年 | 22篇 |
1993年 | 13篇 |
1992年 | 9篇 |
1991年 | 18篇 |
1990年 | 8篇 |
1989年 | 15篇 |
1988年 | 14篇 |
1987年 | 9篇 |
1986年 | 12篇 |
1985年 | 8篇 |
1984年 | 11篇 |
1983年 | 19篇 |
1982年 | 9篇 |
1981年 | 6篇 |
1980年 | 11篇 |
1979年 | 3篇 |
1978年 | 2篇 |
1963年 | 1篇 |
1962年 | 1篇 |
1955年 | 1篇 |
排序方式: 共有1449条查询结果,搜索用时 15 毫秒
131.
132.
133.
IP核可重用设计方法是未来大规模集成电路的主流设计方法。本文论述了在设计光网络终端ONT传输会聚(TC)层上行组帧中,一种将IP核模块与VHDL语言描述相结合的ATM信元存储方案,并用FPGA予以实现,得出IP核设计方法的优越性。 相似文献
134.
135.
薛培元 《卫星电视与宽带多媒体》2006,(11):28-32
市场与政策法规概述本文考察了印度卫星转发器容量的供求现状,以及这一状况如何受到印度现有政策法规环境的影响,其现有相关政策法规要求印度国内服务提供商(即从印度上行并在印度有确定的覆盖区)使用印度本国的Insat卫星。同时,印度政府部门也受到各种新的压力,要求对来自印度 相似文献
136.
LD泵浦Nd:YVO4/LBO临界相位匹配腔内倍频瓦级绿光激光器 总被引:1,自引:1,他引:0
报道了一种光纤耦合LD泵浦Nd:YVO4晶体、腔内Ⅰ类临界相位匹配(角度匹配)LBO倍频、瓦级输出的全固态绿光激光器的设计方法和实验结果.采用短三镜折叠腔结构,通过对热透镜焦距的估算及计算机优化设计选取合适的谐振腔参量,在8 W的泵浦功率下,获得了1.6 W绿光基模输出,光-光转换效率达20%.经测量,绿光的偏振比超过400:1,4 h功率稳定度为±1.6%. 相似文献
137.
Si基氨化ZnO/Ga2O3薄膜制备GaN纳米线 总被引:1,自引:0,他引:1
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3薄膜进行氨化,高温下ZnO层在氨气气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线.X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN纳米线具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、傅里叶红外透射谱、能量弥散谱及选区电子衍射观测并分析了样品的形貌、成分和晶格结构.研究发现ZnO层的挥发有利于Ga2O3和NH3反应合成GaN纳米线. 相似文献
138.
本文介绍了用微机实现工作系统的故障检测,数据采集与控制,外部通讯等的实现方法,文中主要介绍其设计思想与原理组成及其应用。 相似文献
139.
140.
用磁过滤脉冲真空电弧沉积方法制备了CoPt(FePt) C纳米复合薄膜,并在不同温度下进行了退火处理,研究了薄膜中碳的含量以及退火温度对薄膜结构与磁性能的影响.制备态薄膜经过足够高的温度退火后,x射线衍射和磁力显微镜分析发现,在碳基质中生成了面心四方相的CoPt(FePt)纳米颗粒.对于特定组分为Co24Pt31C45和Fe43Pt35C22的薄膜,矫顽力以及颗粒尺寸都随退火温度的升高而增大,当退火温度为700℃时,Co24Pt31C45薄膜的矫顽力为21×105A/m,晶粒尺寸为17nm;当退火温度为650℃时,Fe43Pt35C22相应值分别为28×105A/m和105nm.
关键词:
磁记录材料
磁性薄膜
CoPt
FePt纳米复合薄膜 相似文献