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571.
在Ar和O2混合气氛中,利用直流反应磁控溅射Cd-In合金靶制备了CdIn2O4(简称CIO)薄膜,利用AFM和XRD技术表征了薄膜的形貌和组成,用XPS分析了薄膜的化学成分和元素价态,并在室温下测量了CIO薄膜的Seebeck效应以及加入磁场后的Seebeck效应.实验结果表明CIO薄膜是多晶薄膜,其表面粗糙度为1.60~2.60nm,晶粒大小为13~36nm,晶界清晰.它由CIO相和In2O3相组成,部分样品还含有微量的CdO相,退火处理后氧缺乏状态和氧充足状态的面积比由退火前的0.69增加到0.71,薄膜的导电性能得到提高.CIO薄膜具有非常明显的Seebeck效应,温差电动势随温差的增加而线性增加,温差电动势率随着电阻的增加而减小;加入磁场后,薄膜的温差电动势率变小.文章对制备条件和结构的关系以及Seebeck效应和加入磁场后的Seebeck效应的机理作了详细探讨. 相似文献
572.
蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性 总被引:2,自引:2,他引:0
通过台面隔离与注入隔离结合的方法,解决了由于GaN外延材料缓冲层质量差造成的AlGaN/GaN HFET击穿电压低的问题.通过优化的500℃/50s栅退火条件,改善Ni-AlGaN/GaN二极管特性,理想因子和势垒高度分别优化到1.5和0.87eV.通过改进AlGaN/GaN HFET制备工艺,得到提高器件输出功率的优化工艺,采用这一工艺制备的蓝宝石衬底总栅宽为1mm,器件在频率为8GHz时输出功率达到4.57W,功率附加效率为55.1%. 相似文献
573.
一、内蒙古三大业务区地理环境及无线网络状况 内蒙古自治区下辖3盟、9市,全区共有移动交换端局29个,总容量594.5万门,BSC66个,基站2925个,小区和载频数量分别为6789和22769. 相似文献
574.
介绍一种采用多条运算流水线技术的粗粒度动态可重构计算系统.使得能够在时间维和空间维上同时开发算法的循环级并行性。在此基础上研究了可重构器件的细织结构形式以及面向动态可重构的互连网络.并给出了在该系统上求解一般问题(如FIR)的重构与执行过程。最后,为实现算法到结构的自动化映射而初步建立了协同编译器框架并展望了在系统中融合向量技术的前景. 相似文献
575.
576.
577.
578.
ABB公司生产的ACS1000高压变频器系列,采用DTC核心技术实现了电动机所有关键变量的直接控制,设计了IGCT代替IGBT,增加了运行的可靠性,功率可达到5000kw,可使ABS单台生产能力达到40万吨/年,在石油化工树脂生产中,实现了安全运行、精细操作和节能的目的。 相似文献
580.
文章针对给定相位噪声为高斯分布和多高斯分布的情况,从相位噪声角度提出了选择锁相环IP(Intellectual Property)核的判据,理论计算结果通过了相位噪声软件仿真环境的验证,为深亚微米芯片设计理论的提升和完善做了有益的尝试。 相似文献