一种基于协作分集技术的切换机制

现有切换管理机制主要采用基于提前切换准备的方法来降低切换过程中的服务中断时间,但是这类切换机制对移动预测算法具有很高的依赖性,因而实际部署的效果不佳。为解决该问题,该文提出了基于协作分集技术的切换机制,通过在切换过程中引入异构协作分集,延长了切换过程中源基站能够为移动终端提供服务的时间,降低对移动预测算法的依赖,从而很好地解决了现有移动管理机制的不足。     

基于GoogLeNet Inception V3的迁移学习研究

随着人工智能的再度崛起,使用深度学习模型进行图像分类的方法得到了广泛关注。针对典型深度卷积神经网络模型是在大型数据库和大算力的基础上进行训练得到的,但普通机器学习工作者很难拿到如此规模的数据集和算力现象,本文在GoogLeNet Inception V3深度学习模型的基础上,对GoogLeNet的特征提取模块进行迁移学习来训练特定的模型进行图像分类。实验结果表明,在硬件和数据集相对不足的条件下,采用迁移学习的策略可以高效地实现目标检测。     

电流作用对铜镁合金弯曲微动疲劳损伤特性的影响

采用自主研制的试验装置,研究了铜镁合金在不同电流强度条件下的弯曲微动疲劳损伤演变规律.运用红外线热成像仪测试电流条件下微动接触区温度分布情况;利用白光干涉仪、扫描电镜、电子探针、X射线光电子能谱仪对试样接触损伤区的微观形貌和化学行为进行分析.试验结果表明:在相同循环次数下,随着电流强度的增加,铜镁合金弯曲微动疲劳寿命逐渐降低,接触区温度逐渐上升,接触损伤区尺寸增大,剥落层逐渐细化,接触损伤区氧化程度越来越严重,氧化磨屑的主要成分为CuO和Cu₂O;主要损伤机制为氧化磨损、黏着磨损和剥落.     

翼型前缘分离流动在等离子体激励器控制下的响应

将等离子体对中性气体的作用模型化为彻体力矢量,采用DES(Detached Eddy Simulation)和DDES(Delayed-Detached Eddy Simulation)方法,求解带彻体力源项的Navier-Stokes方程,研究NACA0015翼型16°迎角下,前缘分离流动在等离子体激励器控制下的响应过程.激励器工作后,DDES计算结果显示,分离流动经历一个渐近的再附过程;DES计算因发生网格诱导分离,得到了非定常的响应过程.     

大数据分析在船舶机械故障诊断系统中的应用

因为船舶机械运作时间较长,且负荷功率较大,所以很容易出现故障,而船舶机械种类繁多,涉及面非常广泛,使得其故障类型、形式较多,这时出于保障船舶机械运作稳定的目的,就需要进行故障诊断.但现实情况中,依靠传统诊断系统对船舶机械故障进行诊断的方式已经不再适用,传统系统面对庞大、复杂的故障信息,难以保障诊断工作效率、准确性,因此...     

理论力学多面摩擦问题的程式化解法

为有效克服试凑法、穷举法在处理多面摩擦临界状态问题时造成的重复计算,通过引入临界状态集和偏离度两个新概念,提出一种求解多面摩擦临界状态问题的程式化方法.通过一个较为复杂的多面摩擦问题验证了方法的有效性. 结果表明,该方法显著降低试凑不同临界状态带来的计算量,可作为摩擦问题计算机辅助求解的一种有效算法.     

超高集成度卫星数字电视接收单芯片GX6101M

1 引言 DVB系统是目前被公认为全球推广最成功的两大民用系统之一,而DVBS卫星数字电视是技术发展得最完善的系统,相对于有线、地面及其他数字电视系统,卫星数字电视具有得天独厚的技术优势,仅仅一颗卫星就能覆盖数千万乃至上亿的用户.     

氨化Ga2O3/Mg薄膜制备簇状GaN纳米线

通过在1050°C时氨化Ga2O3/Mg薄膜制备出簇状GaN纳米线。用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收光谱(FTIR)扫描电子显微镜(SEM)和高分辨电子显微镜(HRTEM)对样品进行测试分析。结果表明,GaN纳米线为六万纤锌矿结构单晶相并且成族生长,直径在200～500nm米左右,其长度可达5～10μm。几乎所有纳米线的直径均有逐渐缩小的趋势。对Mg膜的作用进行了初步的分析。     

合成GaN粗晶体棒的研究

利用磁控溅射系统,在Si(111)衬底上的SiC缓冲层上溅射Ga2O3纳米颗粒薄膜。然后令该薄膜在NH3中高温退火,在产物中发现直径为数百纳米的GaN棒。直径如此大的GaN棒在国内外鲜有报道。该晶体棒被认为是在Ga2O3薄膜与NH3自组装反应过程中形成。该工艺可为合成大尺寸GaN一维结构提供一条新的途径。     

氨化温度对Si基GaN纳米结构质量的影响(英文)

通过磁控溅射技术在Si(111)衬底上沉积Ga2O3/Co薄膜,然后在不同温度下氨化制得GaN纳米结构。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行了表征。结果显示合成的GaN纳米结构具有六方纤锌矿结构,且纳米结构的生长受温度影响很大。PL谱显示在388nm处有一强的紫外发光峰,表明其在低维激光器件方面的应用优势。同时对纳米结构的生长机制进行了简单讨论。