半导体陶瓷电容器介质的一些进展

<正> 一般来说,整机的性能与小型化取决于元件,而元件的质量与小型化在一定程度上又取决于材料。电子设备中应用较广泛的陶瓷电容器要实现小型化,除了减小其介质厚度和增大电极的面积外,更重要的是尽可能地增大陶瓷介质的介电常数。我们知道,半导体陶瓷的介电常数特别大,因此它是制作     

促进微波通讯革新的高性能陶瓷介质

<正> 日本松下电器产业中央研究所研制成一种高性能陶瓷介质,现已投产和供应。该材料在微波段具有损耗小、介电常数大和稳定性好等特点,适于制作各种微波通讯用器件,实现器件的高性能和小型化。     

模的根和底座

在§1中我们将讨论模的根(定义1.1)以得到某些模类的分解性质,并由此推出Szsz关于半本原的MHL-环(即主左理想满足降链条件的环,见[7])的结构定理(命题1.8)。这样的环介乎半本原Artin环类和半本原环类之间,因而Szsz定理自然地给出了一个介乎古典的Wedderburn-Artin定理和Jacobson定理([2],p.14)之间的环结构定     

内外表面温度各为均布时圆底扁球壳的热应力

一、圆底扁球壳广泛应用于建筑等工程中,在很多情况下,需要知道它的热应力分布。本文对较常遇到的内外表面温度各为均布时有外环的简支圆底扁球壳的热应力作了探讨,得到了表为Bessel 函数的解(如无特殊说明,本文所用记号与前文[1]相同):     

改进三角方程的教学

現行高中三角课本中,“三角方程”一章的教材在个別地方不够簡洁;沒有圆滿地解决增根和遺根問題。本文提出个人对这一章教材的一些看法。第一課 基本三角方程。 課本在推导解三角方程的四个公式吋,不够簡洁,作者认为应作如下推导: 按照課本介紹三角方程的定义,說明三角方程的解法及其解的意义。接着指出:为了求出三角方程的未知数的一切值,先在某个函放的一     

DSP录音电话留言机

全固态DSP(Digital signal processor)录音电话留言机,采用微电脑控制的大规模集成电路将语言信号转变为数字信号,储存于高数位的记忆芯片中,主要特征是不用磁带,也称为永不磨损型录音留言机。该机为独立的装置,与电话机连接时,能自动应答回话并能将来话留言录音,解决了普通电话机守机接话的难题。在现代经济贸易、社会生活中,不失为一种新颖实用的电     

H4001非接触式IC卡读卡程序的研究

介绍了基于P4095芯片的一种非接触式IC卡（H4001）的读卡机制，并提出了一种曼彻斯特码的解码方法。     

相依样本下条件密度双重核估计的强相合性

设（Ｘ１，Ｙ１），…，（Ｘｎ，Ｙｎ）是从取值于Ｒ＾ｐ×Ｒ＾ｑ的随机向量（Ｘ，Ｙ）中抽取的随机样本，在给定Ｘ＝ｘ的条件下Ｙ具有条件密度ｆ（ｙ│ｘ）。在本文中，我们考虑ｆ（ｙ│ｘ）的通常的和递归形式的双重核估计ｆｎ（ｙ│ｘ）＝ｎ∑ｉ＝１Ｋ１（Ｘｉ－ｘ／ａｎ）Ｋ２（Ｙｉ－６／ｂｎ）／〔ｂｎ＾ｑｎ∑ｊ＝１Ｋ１（Ｘｊ－ｘ／ａｎ）〕ｆｎ（ｙ│ｘ）＝ｎ∑ｉ－１Ｋ１（Ｘｉ－ｘ／ａｉ）Ｋ２（Ｙｉ－ｙ／ｂｉ）／ｎ∑ｊ     

紫外Sc_2O_3薄膜的光学和结构性能表征及其激光作用下的损伤机理

利用电子束蒸发方法,在不同沉积温度(50~350℃)下制备了Sc2O3薄膜。分别用分光光度计,小角掠入射X射线衍射仪和轮廓仪测试了薄膜样品的光谱、微结构和表面粗糙度信息,并用薄膜分析软件Essential Macleod计算了Sc2O3薄膜的折射率和消光系数。结果表明:随着沉积温度升高,Sc2O3薄膜结晶程度增强,晶粒尺寸增大,且较高的沉积温度有利于获得较高的折射率。最后用355 nm,8 ns的三倍频Nd:YAG激光器测试了其激光损伤阈值(LIDT),最大值为2.6 J/cm2,且阈值与薄膜的消光系数、表面粗糙度、光学损耗均呈现相反的变化趋势。用光学显微镜和扫描电子显微镜表征了该薄膜的破坏形貌,详细分析了薄膜在不同激光能量作用下破坏的发展过程,以及Sc2O3薄膜在355 nm紫外激光作用下LIDT与制备工艺的关系,重点分析了355 nm激光作用下薄膜的破坏机理。     

氧化物缓冲层制备Si(111)基GaN纳米线

采用氧化物缓冲层,通过射频磁控溅射系统依次在n型Si(111)衬底上沉积Ga2O3/ZnO(Ga2O3/MgO)薄膜,然后将薄膜于950℃氨化合成GaN纳米结构,氨化时间为15min。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收谱(FTIR)和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品的结构进行了分析,结果显示两种缓冲层下制备的样品均为六方纤锌矿单晶GaN纳米结构,且缓冲层的取向对纳米线的生长方向有很大影响;采用扫描电镜(SEM)对样品的形貌进行了测试,发现纳米线表面光滑,长度可达几十微米,表明采用氧化物缓冲层制备了高质量的GaN线。同时对GaN纳米线的生长机理进行了简单讨论。