稀土镧对薄膜中银纳米粒子的细化作用

通过更换基底材料,证实了稀土镧对AgBaO薄膜中银纳米粒子的细化作用.用LewisCampbell的薄膜理论分析表明,稀土镧对银纳米粒子的细化作用机理是,基底吸附稀土镧增强了基底对银原子的等效吸附能和基底表面徙动激活能,使镧和银结合形成的复合小银粒子在基底表面的徙动扩散运动受到削弱,进而减少了相互团聚所致.基底表面徙动激活能增量在0.04—0.07eV之间,相应的基底对银原子的等效吸附能增量在0.08—0.42eV之间 关键词： 细化 稀土 纳米粒子 粒度     

纳米电子学

在比较三代电子器件的基础上,说明纳电子器件是电子器件发展的新一代,它的主要特征是单电子行为和显著的量子效应.与真空电子器件、微电子器件相比,纳电子器件在信号加工中的主要特性有:(1)单电子,(2)保有相位,(3)量子电阻(h/e2),(4)量子字节(qubit),(5)普适电导涨落.电子器件的基本元件是具有信号放大能力的三极管,目前纳电子三极管有两种模式:纳米点三极管和碳纳米管三极管.文中重点讨论了构造纳电子三极管中的碳纳米材料的结构和特性.     

一种高效率的原子操纵方法

我们在恒流模式和扫描偏压不变的条件下，通过提高隧道电流成功地在Ｓｉ（１１１）７×７表面实现了原子操纵，这种方法具有较高的成功率和较快的操纵速率。其作用机理是：当偏压小于０．５Ｖ时，化学相互作用成为针尖和样品之间的主要作用；而当偏压大于０．８Ｖ时，场蒸发的影响则成为一个关键因素。     

有机复合薄膜中超高密度信息存储研究

利用大气中工作的扫描隧道显微镜，在真空蒸发方法制备的有机复合薄膜上，通过施加电压脉冲法做出了信息点阵，信息点大小为1.3nm.电流-电压特性表明：存储区表现为导体特性，非存储区为绝缘体特性.信息存储实验表明：相邻两个信息记录点的间距可小于2nm,信息存储密度可高达2.5×10¹³bit/cm².对信息存储的机制进行了初步分析. 关键词：     

ZnO纳米线的气相沉积制备及场发射特性

运用气相沉积方法分别在硅片表面和钨针尖上制备了非取向生长的ZnO纳米线,并通过场发射显微镜研究了纳米线样品的平面场发射特性和针尖场发射特性.结果显示,非取向生长的ZnO纳米线薄膜场发射的开启电压和阈值电压所对应的场强分别为4.7和7.6V/μm,场增强因子达103量级,具有较阵列生长的ZnO纳米线更为优异的场发射能力.非取向生长ZnO纳米线薄膜场发射能力的增强归因于其所具有的稀疏结构避免了强场作用下屏蔽效应的产生,有效地提高了薄膜场发射的电流密度.将ZnO纳米线组装在钨针尖上能够明显地改善针尖的场发射性能,在超高分辨显微探针领域具有良好应用前景.     

用探孔场发射显微镜研究单壁碳纳米管的场发射

探孔场发射显微镜可以观测样品的场发射图象,又能测量局域场发射电流和总场发射电流与电压的关系.本文利用具有二维调节探孔位置的场发射显微镜装置测量了单壁碳纳米管场发射图象不同区域、不同吸附状态和经过热处理后的I-V特性.     

纳米电子学中超高密度信息存储研究的新进展

超高密度信息存储是纳米电子学的重要课题，我们根据电荷转移原理，在有机复合薄膜上用扫描隧道显微镜首次得到直径为１３ｎｍ的信息点阵．信息记录点的形成起源于薄膜的局域电导变化，即此有机薄膜具有电学双稳态特性     

用量子产额谱分析多碱阴极中铯的作用

本文导出了半透明光电阴极的量子产额公式。光电阴极的量子产额可以用体积函数和表面函数来表示,当Na_2KSb光电阴极用铯(Cs)激活时,不仅改变了有效电子亲和势,而且改变了光电子的逸出深度。     

银超微粒子在半导体氧化钡薄膜中的生长特性

本文在透射电子显微镜上观察了金属银超微粒子在半导体氧化钡薄膜中的生长。实验发现,当经过一定的热处理后,金属银在氧化钡中能形成很好的超微粒子。我们还比较了单层制备和多层制备得到的Ag+BaO薄膜的结构差别。同时,考查了含银量不同的Ag+BaO薄膜银超微粒子的生长特点,发现当银量较大时,在Ag+BaO薄膜中,Ag超微粒子并不彼此连接起来形成金属迷津通道,而仍形成孤立的大微粒,微粒之间隔有几个nm的BaO层。 关键词：     

纳米信息存储薄膜研究的进展

本文讨论了微电子器件的物理极限，评述了纳米信息存储技术的进展。