STM研究Si(111)7×7表面畴界结构

根据对Ｓｉ（１１１）表面各种不同畴界的研究，我们发现并提出了在畴界形成过程中决定这些畴界结构的三个重要因素：二聚体（ｄｉｍｅｒ）和顶戴原子（ａｄａｔｏｍ，亦称吸附原子）之间的相互作用；７×７单胞中层错半单元（ｆａｕｌｔｅｄｈａｌｆ）和非层错半单元（ｕｎｆａｕｌｔｅｄｈａｌｆ）的差异；亚稳态的（２ｎ＋１）×（２ｎ＋１）结构的影响。     

金属颗粒调制的复合碳纳米管电子器件的构建和特性测量

利用传统微电子加工与纳米组装技术构建出了金属颗粒调制的复合碳纳米管场效应及单电子器件。电子输运性能测量结果表明这类复合碳纳米管电子器件具有一些不同于一般碳纳米管电子器件的独特性能。     

四川白云母薄膜的结构特性

本文介绍了使用透射式电子显微镜和扫描电子显微镜研究厚度约为300—1000?的四川甲级白云母薄膜的结构和成分组成,结论是这种白云母薄膜具有相当完善的单晶结构特性,没有检测到存在什么杂质,但在某些区域存在图2—4所表明的缺陷。云母薄膜可以作为基底材料,在其上沉积或生长具有较大晶粒的其他薄膜。 关键词：     

多碱光电阴极的研究动问

引言多碱光电阴极(Na_2KSb[Cs])由于它具有较高的光电灵敏度(～700μA/lm)和较宽的光谱响应(2000■～10000■),因此受到人们的重视,被广泛地应用于光电器件中,是目前夜视器件和单光子检测器件的基础之一。但其制备工艺较复杂,其光电发射机理至今不是很清楚。1955年,Sommer 发明这种阴极时,把光电转换的高效率原因称为“多碱效应”。二十多年来,为探讨“多碱效应”做了很多结构和特性的研究工作。     

镧与真空沉积银纳米粒子的金属间化合

根据HumeRothery规则,分析了银与镧两元素之间形成金属间化合物的倾向性,并根据真空蒸发沉积的条件,分析了在真空蒸发沉积情况下镧与银之间形成金属间化合物的可能性.用X射线光电子能谱化学位移方法对真空蒸发沉积的银、镧薄膜进行了分析,结果表明在真空沉积条件下镧与银之间的确形成了金属间化合物. 关键词： 金属间化合物 镧 银 纳米粒子     

设计光电阴极光学监测装置的几个问题

本文讨论了光电阴极光学监测装置的光学系统结构,对造成光学系统光能损失的因素作了分析,提出了开孔反射镜的改进方案;同时对改进前后的光学系统透光率进行了比较。开孔反射镜的孔洞造成了光能损失,用面积反射率(?)表示反射镜的有效光能;并将影响其数值的各元件间尺寸关系用公式表示。本文还对斩光器的结构尺寸与光脉冲的颇率、波形的关系进行了讨论。     

薄膜中的扩散和分区协同扩散生长的艺术形象

作者在寻找新型存储薄膜材料等的实验中发现有四种材料能拍摄到美丽图像．文章按形成生长方式把它们分成３类，即准平衡态扩散生长、分区协同扩散生长和分区非协同扩散生长．后两者属于远离平衡的非线性耗散结构系统．但目前的耗散结构理论、突变论和协同学还不能直接用来讨论薄膜中的形成生长问题．在这些材料中已能形成类似花草果实和某些动物艺术形象的无生命图片．这可能是科学与艺术的新结合点．     

Ag-BaO薄膜内场助光电发射增强现象研究

通过在Ag-BaO薄膜表面真空沉积10nm厚的银电极,成功制备了内场助结构Ag-BaO光电阴极.测试结果显示,Ag-BaO薄膜光电发射电流随内场助偏压的增大而上升.理论分析表明,Ag-BaO薄膜内场助光电发射增强现象产生的机理在于内场助作用下Ag微粒和BaO介质间等效界面位垒的减小及薄膜表面真空能级的相对下降. 关键词： 内场助光电发射 能带弯曲 金属超微粒子 Ag-BaO薄膜     

砷掺杂的ZnO纳米线的发光特性

在GaAs基底上制备了高质量的直径为10～100 nm、长度约几个微米的As掺杂ZnO纳米线. 扫描电镜、EDX分析及透射电镜分析显示, ZnO纳米线具有较好的晶态结构. 对As掺杂前后的ZnO纳米线进行光学特性测量, 结果表明, ZnO纳米线在385 nm处有较强的紫外发光峰, 在505 nm左右有较弱的蓝绿发光峰; As掺杂较大地改变了ZnO纳米线的发光性质, 使本征发光峰移到393 nm处, 蓝绿发光强度有了很大程度的提高.     

单根砷掺杂氧化锌纳米线场效应晶体管的电学及光学特性

采用化学气相沉积（CVD）的方法在砷化镓基底上合成直径为20 nm左右、长约数十微米的氧化锌纳米线,然后采用热扩散的方法,将生长于砷化镓基底之上的氧化锌纳米线通过600 ℃,30 min的有氧退火处理后,获得了砷掺杂的氧化锌纳米线.将获得的掺杂后的氧化锌纳米线采用电子束曝光以及真空溅射镀膜的方法将钛/金合金作为接触电极引出,从而构建成场效应晶体管.文中研究了单根氧化锌纳米线砷掺杂前后的电学特性,证实了通过砷掺杂来获得p型的氧化锌纳米线的可行性.构建的p型砷掺杂氧化锌场效应晶体管的跨导为35 nA/V,载流 关键词： p型ZnO纳米线 砷掺杂 场效应晶体管 光致发光