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991.
992.
利用微分脉冲伏安法研究了对称四甲基六元瓜环(TMeQ[6])与过渡金属的相互作用。结果表明该主体大环化合物对Pb2+和Cd2+离子具有较好的选择性作用。伏安数据测定表明Pb2+及Cd2+离子与对称四甲基六元瓜环以nM2+/nTMeQ[6]=2配位,其配合平衡常数分别为(KPb2+=2.12×109L2·mol-2,KCa2+=2.10×109L2·mol-2)。Pb2+离子与TMeQ[6]的晶体结构进一步证实了上述实验结果。 相似文献
993.
金属氧化物薄膜如HfO2(被称为高k电介质)是现代微电子器件的关键组件,广泛用于计算机(平板电脑,笔记本电脑和台式机)、智能电话、智能电视、汽车和医疗设备中。具有大介电常数(k)的金属氧化物已经取代了介电常数小的SiO2(k=3.9),从而使得微电子元件进一步小型化。过渡金属化合物在化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)中被广泛用作前体,通过与O2、H2O或O3的反应生成金属氧化物薄膜。微电子金属氧化物膜是纳米材料最广泛应用的一个领域。本文概观该领域的最新进展,包括我们对d0过渡金属配合物与O2反应的研究。 相似文献
994.
超声辅助分散液-液微萃取/高效液相色谱联用富集分析环境水样中邻苯二甲酸酯类化合物 总被引:1,自引:0,他引:1
建立了超声波辅助分散液-液微萃取(DLLME)与高效液相色谱(HPLC)联用对环境水样中痕量邻苯二甲酸二甲酯(DMP)、邻苯二甲酸二乙酯(DEP)、邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、邻苯二甲酸二(2-乙基己基)酯(DEHP)和邻苯二甲酸二辛酯(DOP)富集分离测定的方法,优化了色谱分离条件,考察了萃取剂与分散剂的种类与用量、萃取时间和离子强度对超声辅助DLLME/HPLC的影响。在优化实验条件下,邻苯二甲酸酯色谱峰面积与其浓度在1.00~100μg.L-1范围内呈良好的线性关系,相关系数均大于0.996,平均加标回收率为91%~103%,相对标准偏差(RSDs,n=5)为2.0%~6.8%,5种邻苯二甲酸酯类化合物的检出限(S/N=3)分别为0.08、0.04、0.03、0.01、0.07μg.L-1。建立的方法用于环境水样中邻苯二甲酸酯的测定,平均加标回收率为85%~119%,RSDs(n=3)为2.3%~11.1%。该方法适用于环境水样中痕量邻苯二甲酸酯类化合物的富集分析。 相似文献
995.
研究了航空钛合金损伤结构梯度改性修复层和Ti600基体在800 ℃下的氧化行为; 采用恒温或循环氧化增重法、氧化速度常数、活度等理论计算研究了氧化的热力学和动力学规律; 利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)等分析了氧化膜形貌和组成。结果表明: 梯度修复层有较好的抗氧化性能, 其循环氧化动力学曲线基本符合抛物线规律; Ti600基体属次抗氧化级, 其循环氧化动力学曲线近似符合抛物线-直线规律; 梯度修复层氧化膜由金红石结构的TiO2和少量Cr2O3组成, 厚度5~6 μm, 与基体连接紧密, 且致密、连续, 为短纤维状组织; Ti600基体的氧化膜厚度达55 μm左右, 明显分为内氧化区、中致密层和外疏松多孔层, 为多面体规则形状组织。 相似文献
996.
介绍了一种采用0.35μm CMOS工艺制作的具有温度补偿的时钟振荡器电路。从环形振荡器的基本原理出发,基于对CMOS工艺各种非理想性因素的分析,提出一种新型的工艺补偿电路,减小振荡器偏置电流随阈值电压的漂移;在延迟单元的设计中,引入NMOS交叉耦合对组成的交流负阻抗来进一步补偿PMOS迁移率随温度的变化,从而有效抑制输出频率随温度的变化。该振荡器电路用于MEMS加速度计读出电路芯片。样品电路测试结果表明,在-20~100℃温度范围内,时钟振荡器的频率仅变化38kHz。 相似文献
997.
针对自动控制原理课程传统的课堂教学模式在工程应用型人才培养方面存在的不足。从教学内容、教学方法、教学手段等方面对自动控制原理课堂教学进行工程化教学模式探索和尝试。通过对电气工程及其自动化专业部分学生的实际教学表明,这些工程化教学改革提高了学生工程实践能力,取得了较好的教学效果。 相似文献
998.
999.
1000.
稳定性是Mg3N2粉末的一个重要特性。研究了利用镁粉与氨气直接反应法在最佳条件下制备的Mg3N2粉末的稳定性,包括热稳定性、在氧气中的抗氧化性以及在空气中的稳定性。用X射线衍射(XRD)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)对样品在设置条件下的变化进行了分析,结果表明用该方法制备的Mg3N2粉末具有非常好的热稳定性,在1 100℃下都不会分解;在低于800℃下,Mg3N2粉末表现出很好的抗氧化性能,在高于800℃时其直接被氧化为氧化镁粉末。通过对Mg3N2粉末在空气中的稳定性的研究,提出并利用三维水驱动扩散模型很好地描述并解释了Mg3N2在空气中变质的过程。 相似文献